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江苏省普通高校研究生科研创新计划项目(CXZZ110382)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：花婷婷于映郭宇锋更多>>
相关机构：南京邮电大学更多>>
发文基金：江苏省普通高校研究生科研创新计划项目国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇耐压
  • 1篇耐压模型
  • 1篇绝缘体上硅
  • 1篇击穿电压
  • 1篇功率器件
  • 1篇SOI
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇南京邮电大学

作者

  • 1篇郭宇锋
  • 1篇于映
  • 1篇花婷婷

传媒

  • 1篇南京邮电大学...

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
考虑到纵向掺杂分布影响的SOI功率器件完全耐压模型
2014年
首先将任意纵向掺杂的漂移区等效为均匀掺杂的漂移区,然后基于二维泊松方程获得了SOI功率器件在全耗尽和不全耗尽情况下表面电场和击穿电压的完整解析表达式。借助此模型对漂移区纵向均匀掺杂、高斯掺杂、线性掺杂和二阶掺杂SOI二极管的表面场势分布和击穿电压进行了研究,解析结果和仿真结果吻合较好,验证了模型的准确性。最后在满足最优表面电场和完全耗尽条件下,得到器件优化的广义RESURF判据。
花婷婷郭宇锋于映
关键词：绝缘体上硅功率器件击穿电压
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