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NaGdF4纳米晶多元醇法的合成、表征与NaGdF4：Eu^3＋和NaGdF4：Yb^3＋，Er^3＋纳米晶的发光被引量：5: 2008年; 通过多元醇法(polyol method)合成出NaGdF4∶Eu3+和NaGdF4∶Yb3+,Er3+纳米晶,利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和傅立叶变换红外吸收光谱(FT-IR)对合成的样品进行了表征。研究了Eu3+掺杂样品的下转换发光和Yb3+/Er3+共掺杂样品的上转换发光。对未经退火和经过退火的样品进行了比较。; 秦瑞飞宋宏伟潘国徽白雪范丽波戴其林任新光赵海峰; 关键词：NAGDF4 多元醇法

用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料被引量：1: 2007年; 采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.; 刘林生王文新刘肃赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭; 关键词：分子束外延砷化镓衬底

Dy3＋在ZnO–SiO2玻璃中的发光特性(英文)被引量：1: 2010年; 通过溶胶–凝胶法制备xZnO–(100–x)SiO2(x=0,5,10,20,摩尔分数)玻璃,研究ZnO含量对Dy3+发光强度的影响,并且研究Dy3+在紫外光和飞秒激光激发下的发光特性。结果表明:当ZnO摩尔(下同)含量为0、5%和10%,Dy3+的发光强度几乎不变,当ZnO含量达到20%时,Dy3+的发光强度显著增强,归因于基质微结构的明显改变。研究了飞秒激光激发时,Dy3+在ZnO–SiO2玻璃中的上转换发光特性。在飞秒激光(800nm)激发下,观察到强Dy3+的上转换发光。Dy3+的发光强度与泵浦光强度的依赖关系表明:上转换发光过程为双光子机制为主,根据Dy3+的能级,Dy3+在SiO2和ZnO–SiO2玻璃中的上转换发光的机制归因于激发态吸收。; 于立新; 关键词：镝离子发光

稀土离子Ce，Tb掺杂硼磷酸锶荧光粉的发光性质被引量：8: 2008年; 采用高温固相法合成了2SrO.0.25B2O3.0.75P2O5∶RE3+(RE=Ce,Tb)荧光粉。研究了其中Ce3+,Tb3+的光谱性质,Ce3+和Tb3+共掺杂时的能量传递效率,以及Ce3+和Tb3+的动力学过程。发现在共掺杂的样品中,Tb3+的5D4→7F5绿色发射比Tb3+单掺杂样品中的绿色发射有显著的提高。当Tb3+的含量从1%增加到8%时,Ce3+→Tb3+的能量传递效率逐渐增加至70%。通过动力学研究,在Ce3+和Tb3+共掺杂的样品中,提高Tb3+的浓度,Ce3+的寿命减小。此外,Ce3+离子寿命的倒数与Tb3+的浓度之间很好地符合线性函数关系,经过拟合Ce3+离子的电子跃迁速率和Ce3+→Tb3+的能量传递速率分别为5.1×10-2和1.34ns-1.mol-1。Tb3+的5D4→7F5跃迁的衰减曲线很好地遵守指数式衰减,并且随着Ce3+的掺杂浓度提高,Tb3+的5D4→7F5寿命增加。结果表明在共掺杂的2SrO.0.25B2O3.0.75P2O5材料中存在Ce3+到Tb3+的有效能量传递,这种材料在541nm处有着较强的绿光发射,所以将在发光以及显示领域有潜在的应用前景。; 王芳宋宏伟董彪

Fabrication and photoluminescent characteristics of one-dimensional La_2O_2S:Eu^(3+) nanocrystals被引量：3: 2013年; One-dimensional La202S：Eu3＋ nanowires （NWs） were fabricated with a simple hydrothermal method. The structures were characterized by X-ray diffraction and transmission electron microscopy （TEM）. The photoluminescent properties including excita- tion and emission spectra were studied. The results indicated that in excitation spectra there existed charge transfer （CT） absorption of both O^2-→Eu3＋ and S2-→Eu3＋, and f-f transitions absorption in NWs and corresponding sub-meter materials （SMs）. The relative in- tensity of CT absorption of O^2-→Eu3＋ to S2-→Eu3＋ in both samples clearly changed. The strong yellow and red emissions of Eu〉 ions in NWs were observed.; 于立新李富海刘海; 关键词：NANOCRYSTALS LUMINESCENCE

GaAs(110)量子阱的电子自旋弛豫: 2007年; 采用固态源分子束外延的方法在GaAs(110)取向衬底上生长了GaAs/Al GaAs多量子阱结构.对样品进行了低温光致发光谱和时间分辨光致发光谱的测量,结果表明激发功率和激发波长对室温下量子阱内电子的自旋弛豫时间有强烈的影响.对于常见的GaAs(100)量子阱起支配作用的D'yakonov-Perel'(DP)自旋弛豫机制,在GaAs(110)量子阱材料里被充分地抑制了.对于缺失了DP相互作用的GaAs(110)多量子阱,电子-空穴相互作用对自旋弛豫时间随激发功率变化有重要的影响.; 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利高汉超蒋中伟王佳黄庆安陈弘周均铭; 关键词：多量子阱分子束外延

GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性被引量：2: 2007年; GaAs(110)衬底上生长GaAs外延层时,不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式,对应反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡呈现出单双周期的变化。通过透射电子显微镜(TEM)、室温和低温光荧光谱(PL谱)对两种生长模式下的样品进行了测量。结果表明,量子阱样品在双层生长模式下光学性能较差,单层生长模式下光学性能比较好,但是量子阱界面会变得粗糙。利用这一特点,采用RHEED强度振荡技术,能够实现在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱。; 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭; 关键词：光荧光谱砷化镓分子束外延

关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究: 2007年; 在GaAs(110)衬底上生长的半导体材料有诸多优良性能,使得在非极性GaAs(110)衬底上获得高质量各类异质结材料,成为近年来分子束外延生长关注的课题.考虑GaAs(110)表面是Ga和As共面,最佳生长温度窗口很小;反射式高能电子衍射的(1×1)再构图案对生长温度和V/Ⅲ束流比不敏感,难于通过观察再构图案的变化,准确地找到最佳生长条件.作者在制备GaAs(110)量子阱过程中,观察到反射式高能电子衍射强度振荡呈现出的单双周期变化.这意味着不同工艺条件下,在GaAs(110)衬底上量子阱有单层和双层两种生长模式.透射电子显微镜和室温光致荧光光谱测量结果表明:在双层生长模式下量子阱样品光学性能较差,而在单层生长模式下量子阱光学性能较好,但是界面会变粗糙.利用这一特点,我们采用反射式高能电子衍射强度振荡技术,找到了一种在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱的可行方法.; 刘林生刘肃王文新赵宏鸣刘宝利蒋中伟高汉超王佳黄庆安陈弘周均铭; 关键词：反射高能电子衍射分子束外延

铕离子在SiO_2玻璃中的荧光变化: 2009年; 采用溶胶-凝胶法合成了SiO2:Eu3+玻璃,以Eu3+作为荧光探针研究了飞秒激光辐照所诱导的荧光变化。结果表明:经飞秒激光辐照后,Eu3+的电荷迁移吸收的相对强度明显降低;辐照后的低温7F0-5D0激发峰发生蓝移,表明飞秒激光辐照诱导Eu3+周围的微观环境发生变化。低温荧光谱线窄化光谱进一步证明飞秒激光辐照诱导了Eu3+周围的微结构发生变化。; 张东丽于立新; 关键词：硅酸盐玻璃铕离子飞秒激光微观结构

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国家自然科学基金(10504030)