中央高校基本科研业务费专项资金(2010MS054)
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
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- 基于FPGA的双模式光伏电池测试仪
- 2012年
- 为了解决传统的光伏测试仪功能单一,只能够测量光伏电池基本参数的问题,采用了增加采样信道,由FPGA控制采样模式的方法,设计完成了一款双模式的光伏电池测试仪。在完成光伏电池I-V曲线等参数测量的同时可以实时的检测光伏电池的工作状态,为光伏电池的维护提供了便利。同时,使用电容代替传统的电子负载作为采样负载,提高了对开路电压和I-V曲线的测量精度。
- 李青曾祥斌肖蓉
- 关键词：FPGA电容负载
- 高温退火处理下SiN_x薄膜组成及键合结构变化被引量：4
- 2012年
- 采用等离子增强化学气相沉积法,以氨气和硅烷为反应气体,p型单晶硅为衬底,低温下(200℃)制备了非化学计量比氮化硅(SiN_x)薄膜.在N_2氛围中,于500-1100℃范围内对薄膜进行热退火处理.室温下分别使用Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱技术和X射线光电子能谱(XPS)技术测量未退火以及退火处理后SiN_x薄膜的Si-N,si-H,N-H键键合结构和si 2p,N 1_s电子结合能以及薄膜内N和si原子含量比值R的变化.详细讨论了不同温度退火处理下SiN_x薄膜的FHR和XPS光谱演化同薄膜内Si,N,H原子间键合方式变化之间的关系.通过分析FTIR和XPS光谱发现退火温度低于800℃时,SiN_x薄膜内Si-H和N-H键断裂后主要形成si-N键;当退火温度高于800℃时薄膜内Si-H和N-H键断裂利于N元素逸出和si纳米粒子的形成;当退火温度达到1100℃时N_2与SiN_x薄膜产生化学反应导致薄膜内N和Si原子含量比值R增加.这些结果有助于控制高温下SiN_x薄膜可能产生的化学反应和优化SiN_x薄膜内的Si纳米粒子制备参数.
- 姜礼华曾祥斌张笑
- 关键词：X射线光电子能谱
- SiN_x薄膜中硅纳米粒子的制备及表征被引量：2
- 2011年
- 通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)法,以氨气和硅烷为反应气体,P型单晶硅和石英为衬底,低温下(200℃)制备了含硅纳米粒子的非化学计量比氮化硅(SiNx)薄膜.经高温(范围500～950℃)退火处理优化了薄膜结构.室温下测试了不同温度退火后含硅纳米粒子SiNx薄膜的拉曼(Raman)光谱、光致发光(PL)光谱及傅立叶变换红外吸收(FTIR)光谱,对薄膜材料的结构特性、发光特性及其键合特性进行了分析.Raman光谱表明.SiNx薄膜内的硅纳米粒子为非晶结构.PL光谱显示两条与硅纳米粒子相关的光谱带,随退火温度的升高此两光谱带峰位移动方向相同.当退火温度低于800℃时,PL光谱峰位随退火温度的升高而蓝移.当退火温度高于800℃时,PL光谱峰位随退火温度的升高而红移.通过SiNx薄膜的三种光谱分析发现薄膜的光致发光源于硅纳米粒子的量子限制效应.这些结果对硅纳米粒子制备工艺优化和硅纳米粒子光电器件的应用有重要意义.
- 姜礼华曾祥斌张笑曾瑜
- 关键词：量子限制效应
