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CdTe薄膜的射频磁控溅射制备及表征被引量：4: 2011年; 采用射频磁控溅射技术制备了CdTe薄膜,使用探针式台阶仪、X射线衍射分析仪、紫外可见分光光度计、扫描电镜等表征了薄膜的厚度、结构、透过率、表面形貌等随溅射工艺的变化.结果表明:沉积速率随着功率的增加而增加,随气压的增加而呈线性减小;薄膜的结晶程度随气压增大而降低;功率从100 W增大到180 W,出现了CdTe薄膜晶相从立方相向六方相的转变;当沉积条件为纯氩气氛、气压0.3 Pa、功率100 W、室温时,沉积的CdTe薄膜结晶性能最好.; 王波张静全王生浩冯良桓雷智武莉莉李卫黎兵曾广根; 关键词：射频磁控溅射 CDTE 禁带宽度

AlSb多晶薄膜的制备及性质被引量：1: 2010年; 用磁控溅射法制备了Al/Sb多层薄膜,通过X射线衍射(XRD)、X射线荧光(XRF)、Hall效应、暗电导率温度关系及透过谱的测试研究了退火前后薄膜的结构和性质。XRD测试结果表明,刚沉积的薄膜只有Sb的结晶相,而Al则以非晶态形式存在,500℃退火后化合为AlSb多晶,且沿(111)择优取向。Hall效应测试、电导激活能及光能隙的计算结果表明,所制备的AlSb多晶薄膜为P型材料,且载流子浓度为1019cm-3,光能隙为1.64eV,电导率随温度的变化可分为两个过程,在30℃到110℃,薄膜的电导率随温度的增加而缓慢增加,而在110℃到260℃间增加明显,升温电导激活能为0.11eV和0.01eV,这与AlSb多晶薄膜在升温过程中的结构变化有关。将制备的AlSb多晶薄膜应用于TCO/CdS/AlSb/ZnTe:Cu/Au结构的太阳电池器件中,已观察到明显的光伏效应,说明用这种方法制备的AlSb多晶薄膜适于作太阳电池的吸收层。; 贺剑雄武莉莉夏庚培郑家贵冯良桓雷智李卫张静全黎兵; 关键词：ALSB 磁控溅射法退火

Cd_(1-x)Zn_xS(x=0.88)多晶薄膜的制备及性能研究: 2010年; 采用真空共蒸发法制备了Cd1-xZnxS多晶薄膜,研究了Cd1-xZnxS(x=0.88)多晶薄膜的结构与光电特性。XRD的结果表明,0; 孙震谢晗科狄霞李卫冯良桓张静全武莉莉黎兵雷智; 关键词：多晶薄膜

AlSb多晶薄膜物相结构的实验研究: 2011年; 综合真空共蒸发和磁控溅射的优点,发展了双靶共溅射技术用于制备新型光伏材料AlSb多晶薄膜,采用X射线衍射、X射线荧光光谱、俄歇电子能谱等测试手段结合的分析方法,系统研究了薄膜组分、衬底温度、氧杂质等因素对薄膜物相结构的影响。结果表明,薄膜中Al、Sb原子接近1:1时,不会出现Al或Sb的结晶峰;衬底温度较高的情况下,形成了AlSb金属间化合物为主的多晶薄膜,并随着衬底温度的升高其晶粒得以长大;氧严重影响了AlSb的生成和结晶。; 夏庚培冯良桓武莉莉贺剑雄; 关键词：金属间化合物

AlSb多晶薄膜材料的性能研究被引量：7: 2009年; 采用共蒸法制备了新型AlSb多晶薄膜.通过XRF、XRD、Hall测试及电导率温度关系等研究了AlSb多晶薄膜的组分、结构及性能.分析表明,刚沉积的AlSb薄膜为非晶相,在540℃以上退火转变为AlSb相,转变的程度取决于退火的温度及Al、Sb的原子配比,其中NAl∶NSb为47.2∶52.8,580℃退火后的薄膜多晶转变最为明显,结晶度较高;测试结果表明,退火后的AlSb薄膜为p型间接带隙半导体,载流子浓度为1019cm-1,吸收系数为104,而且在升降温阶段电导率发生不可逆变化.这种薄膜用于TCO/CdS/AlSb结构的太阳电池器件中已经得到200mV左右的开路电压.; 宋慧瑾贺剑雄武莉莉郑家贵冯良桓雷智; 关键词：ALSB 退火多晶薄膜

AlSb多晶薄膜的性质表征: 本文研究用于太阳电池的AlSb多晶薄膜的性质。用几何靶磁控溅射方法在石英玻璃衬底上沉积了约460nm厚的AlSb薄膜,然后在580-650℃的温度下进行了1个小时的真空退火处理。X射线衍射谱显示退火后的AlSb多晶薄膜为...; 杨凯武莉莉张静全冯良桓雷智王静雅徐福施琼蔡伟李卫蔡亚平黎兵郑家贵; 关键词：太阳电池磁控溅射; 文献传递

AlSb多晶薄膜的制备及其潮解性研究被引量：2: 2010年; 采用磁控溅射法制备了Al-Sb多层薄膜,通过调节Al和Sb亚层厚度及层数改变原子配比,并在真空中退火。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、金相显微镜、Hall测试及俄歇电子能谱仪研究了薄膜的结构和性能。结果表明,刚沉积的薄膜只有Sb的结晶相,经500℃退火后化合为P型AlSb多晶薄膜,且沿(111)择优取向,退火温度超过600℃薄膜产生局部损伤。通过台阶仪显微摄像探头及俄歇深度剖图观察和分析了薄膜的潮解现象,提出了几种保护措施。; 贺剑雄武莉莉郑家贵夏庚培冯良桓张静全李卫黎兵; 关键词：ALSB 退火磁控溅射法

退火对Al-Sb多层薄膜的影响被引量：2: 2010年; 采用直流磁控溅射法制备Al和Sb交替层,在真空环境下进行高温退火后得到了AlSb多晶薄膜.通过X射线衍射(XRD)、霍尔效应、暗电导率温度关系以及透反射光谱研究了薄膜的结构、电学和光学性质.结果表明,退火后形成的AlSb多晶薄膜呈立方相,沿(111)择优取向,且导电类型是P型,载流子浓度为1019cm-3,吸收系数在可见光波段大于104cm-1.样品在580℃退火后,间接跃迁光能隙为1.64eV,且升温电导激活能为0.01eV和0.11eV.此方法制备的AlSb多晶薄膜应用于TCO/CdS/AlSb/ZnTe:Cu/Au结构的太阳能电池中,得到了107mV的开路电压.; 贺剑雄武莉莉郝霞郑家贵冯良桓张静全; 关键词：磁控溅射法退火

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国家高技术研究发展计划(2006AA05Z418)