国家高技术研究发展计划(2002AA312150) 作品数:11 被引量:26 H指数:3 相关作者: 周帆 王圩 王宝军 赵玲娟 王鲁峰 更多>> 相关机构: 中国科学院 清华大学 北京邮电大学 更多>> 发文基金: 国家高技术研究发展计划 国家重点基础研究发展计划 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 自动化与计算机技术 更多>>
在高阻硅衬底上制备低微波损耗的共面波导(英文) 被引量:1 2006年 分别在普通的低阻硅衬底、带有3μm厚氧化硅介质层的低阻硅衬底和高阻硅衬底上设计并制备了微波传输共面波导.结果表明,低阻硅衬底导致过高的微波损耗从而不能使用,通过加氧化硅介质层,微波损耗可以大大减少,但是需要较厚的氧化硅厚度.直接制备在高阻硅衬底上的共面波导在所测试的26GHz的频率范围内获得低于2dB/cm的微波损耗,而且工艺十分简单. 杨华 朱洪亮 谢红云 赵玲娟 周帆 王圩关键词:共面波导 高阻硅 高频 光电子封装 光纤光栅温度补偿桥式结构 被引量:12 2003年 通过对光纤光栅布喇格波长随温度及应力变化的分析,设计制作了金属桥式结构来补偿光栅的温度漂移。通过对3cm和10cm光栅的实验,补偿效果明显,10~70℃范围内,布喇格波长漂移小于0.03nm。 黄山 赵华凤 俞涛 周开军 刘海涛关键词:光纤光栅 温度补偿 使用低能离子注入导致的量子阱混杂方法制作可集成的分布式Bragg反射激光器(英文) 2004年 采用量子阱混杂的方法制作了可集成的分布式 Bragg反射激光器 .通过同时控制相位区和光栅区的注入电流 ,该激光器的波长可以准连续地调谐 4 .6 nm .在整个调谐范围内 ,除了少数几个模式跳变点以外 ,激光器的单模特性保持良好 ,边模抑制比均达到了 30 d 张靖 陆羽 赵玲娟 周帆 王宝军 王鲁峰 王圩关键词:量子阱混杂 波长调谐 渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料 2006年 采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变化范围内(15—30μm),得到了46nm的光荧光(Photoluminescence,PL)波长偏移量,PL半高宽(Full-Width-at-Half-Maximum,FWHM)小于30meV.为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性,我们采用了新型的渐变掩蔽图形,并且运用这种新型渐变掩蔽图形,研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响.我们还观察到,渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象. 赵谦 潘教青 张靖 周帆 王宝军 王鲁峰 边静 安欣 赵玲娟 王圩关键词:超低压 SG-DBR激光器波长控制系统的设计与实现 被引量:2 2005年 根据宽可调谐SG-DBR激光器的波长调谐特性,研制了一套波长控制系统。系统通过生成并调用“波长-电流”数据查询表,实现对SG-DBR激光器输出波长的调谐控制。系统设计引入了虚拟仪器和单片机技术,达到了降低设备成本、小型化系统的目的。实验证明系统波长控制精度高,波长控制误差不超过±0.02nm。 邓小波 赵华凤 俞涛 何熙 周开军 马晓红关键词:取样光栅 波长控制 虚拟仪器 单片机 DBR激光器 波长 单片机技术 调谐特性 虚拟仪器 超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源 被引量:6 2006年 采用超低压(22×102Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal_organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术成功制备了InGaAsP/InGaAsP级联电吸收调制器(electro absorption modulator,EAM)与分布反馈激光器(distributed feed backlaser,DFB)单片集成光源的新型光电器件.实验结果表明,采用该技术制备的器件具有良好的性能:激射阈值为19mA,出光功率为4·5mW,在5V的驱动电压下达到了20dB的消光比,器件3dB响应带宽达到了10GHz以上.应用这种新型器件,利用级联EAM的光开关效应,获得了重复率为10GHz、半高宽(full_width_at_half_maximum,FWHM)为13·7ps的超短光脉冲. 赵谦 潘教青 张靖 周光涛 伍剑 周帆 王宝军 王鲁峰 王圩关键词:超低压 集成光电子器件 超短光脉冲 同一芯片上制作变周期布拉格光栅的改进全息曝光法(英文) 2005年 提出了一种采用传统光学全息曝光技术,在同一芯片上制作不同周期的布拉格光栅的新方法.在这个简单实用的方法中,聚酰亚胺用来保护第一次做好的某一周期的光栅.这种新方法制作工艺简单,成本低,且与传统的半导体工艺兼容. 谢红云 周帆 王宝军 杨华 朱洪亮 赵玲娟 王圩关键词:布拉格光栅 DFB激光器 多波长 取样光栅DFB激光器 2005年 制作了取样光栅DFB激光器,比较研究了三种取样光栅的制备工艺,测试得到的取样光栅DFB激光器梳装光谱和理论计算大致吻合. 阚强 赵玲娟 周帆 王宝军 王圩关键词:取样光栅 基于单片机的SG-DBR激光器波长调谐测试控制系统 研制了一套基于单片机的宽可调谐SG-DBR激光器波长测试控制集成化系统。单片机通过与计算机串口通讯,实现对SG-DBR激光器电流的精确控制和波长扫描测量,光谱仪测得的光谱由488接口采集到计算机,测量结果经处理生成波长-... 于乐 赵华凤 马晓红关键词:波长调谐 单片机 波长控制 文献传递 宽带可调谐取样光栅DBR激光器(英文) 2005年 利用离子注入量子阱混杂技术,成功研制了三段取样光栅(SG)- DBR激光器.器件不连续调谐范围超过30nm,边模抑制比大于30dB. 阚强 赵玲娟 张靖 周帆 王宝军 王鲁峰 王圩关键词:取样光栅 波长调谐