国家自然科学基金(60601021)
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
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- 一种多极点开环交指缺陷地结构
- 2009年
- 在一根50Ω微带线的地平面上蚀刻开环槽,且在槽内部添加了交指状的慢波结构,构成了一种新型的开环交指缺陷地结构(DGS)。和传统的哑铃形DGS相比较,这种DGS具有更小的体积和更高的Q值,第三阻带Q值可达53,而且该结构具有多个衰减极点。将三个开环交指DGS级联设计制作了多阻带的带阻滤波器,测试结果与仿真特性基本一致。
- 游彬钟文华孙玲玲
- 关键词：缺陷地结构开环
- 适合制作高性能带阻滤波器的新型C形环级联DMS结构被引量：1
- 2011年
- 对韩国学者最新提出的缺陷微带结构（DMs）进行了深入的研究；利用HFSSl0．0仿真软件和上海大学安捷伦8722ES网络分析仪对其进行了仿真和实际测量，分析了在导带上刻蚀左手单元互补开口谐振环（CSRR）的不足。在此基础上，提出了更简单的c形环状DMS结构，并对此新结构进行了电路理论的等效。将此新型结构和光子晶体理论结合，设计出了一种新型的基于补偿微带线和光子晶体的微波带阻滤波器拓扑结构。该结构刻蚀于微带线导带之上，具有结构小、重量轻、便于集成等优点。通过改变级联结构的单元距离可以轻松实现高衰减和宽阻带两种高性能滤波器。
- 李臣云张友俊王振
- 关键词：带阻滤波器
- 一种新型缺陷地结构带阻滤波器被引量：2
- 2010年
- 提出了一种新型缺陷地结构的带阻滤波器。该单元在现有各种形状的基础上,采用新的缺陷地结构,实现了带阻特性。该单元结构简单,易于加工,性能优越,可进一步减小滤波器尺寸。文中对新型缺陷地结构单元的带阻特性进行了分析,并建立仿真模型,从理论和实验中得到最佳的性能。实现了有较宽阻带的周期性缺陷单元。能够有较宽的阻带。最终设计出实际带阻滤波器,并对产品进行了实际测量,得出与仿真相似的结果。
- 张友俊王振李臣云
- 关键词：缺陷地结构带阻滤波器微带线
- 一种高增益低功耗的CMOS低噪声放大器
- 2010年
- 设计了一种新型的全集成的电流复用两级共源低噪声放大器,采用新型输入匹配和一个级联的级间谐振电感实现了低功耗高增益。为了降低芯片面积,两个LC并联网络代替了传统的大电感。这种新型的电流复用结构更有利于输入匹配,降低噪声和功耗。采用SMIC0.18μm RF CMOS工艺制作了一个频率为2.4GHz,噪声系数1.7dB,S11为-30dB,S22为-36dB,功率增益为23dB,反向隔离度小于-35dB,在1.8V的供电电压下仅消耗2mA。
- 康劲孙玲玲文进才赵明付章少杰
- 关键词：CMOS级间匹配电流复用低噪声放大器
- 折线形哑铃缺陷地结构与微波滤波器设计被引量：1
- 2008年
- 提出一种新型的折线形哑铃缺陷地结构（FDGS）。该FDGS对普通哑铃形DGS进行了改进，加入折线结构，从而在不增加蚀刻面积的情况下，大大增加其等效并联电容，获得较低的谐振频率。仿真结果显示，当某一特定尺寸的普通DGS的谐振频率位于4．7GHz时，同样大小的FDGS的谐振频率只有2，25GHz。制作了一个由三个相同的FDGS级联构成的带阻滤波器。结果表明：该带阻滤波器在1．8—2．78GHz之间，对信号的抑制从-26dB到-41dB。
- 钟文华游彬孙玲玲
- 关键词：电子技术滤波器仿真
- 新型缺陷地结构改善射频功率放大器的性能被引量：1
- 2010年
- 提出了一种新型的缺陷地结构,并将这种新型的缺陷地结构应用于实际所设计的射频功率放大器中。这种新型的缺陷地结构,蚀刻在射频功率放大器的偏置线下面的地平面和输出匹配电路后方的地平面,经过最后和不加这种结构的射频功率放大器进行比较和测试验证,证明成功的抑制了射频功率放大器的二次、三次谐波。
- 张俊庆游彬门阳
- 关键词：射频功率放大器谐波
