黑龙江省科技攻关计划(GC04A216)
- 作品数：14 被引量：64H指数：5
- 相关作者：范勇陈昊李娟何明鹏刘俊更多>>
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- 纳米氧化铝改性聚酰亚胺薄膜的制备与表征被引量：12
- 2009年
- 采用微乳化技术制备了铝的纳米氧化物分散液,并将其掺杂到聚酰亚胺基体中,分别制备出质量分数为4%、8%、12%、16%、20%、24%的聚酰亚胺杂化薄膜.利用耐电晕测试装置、耐击穿测试装置、热失重分析仪(TGA)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行了性能测试和结构表征.结果表明,经铝的纳米氧化物杂化的聚酰亚胺薄膜的耐电晕性能随铝的纳米氧化物掺杂量的增加而提高,当纳米组分的质量分数达到24%时,在60kV/mm的工频电压下,薄膜的耐电晕寿命可达50.7h(IEC343);杂化薄膜的击穿场强随掺杂量的增加而下降;铝的纳米氧化物掺杂量增加可以提高聚酰亚胺薄膜的热分解温度;所掺杂的纳米粒子可以较均匀地分散在聚酰亚胺基体中.
- 陈昊刘俊何明鹏李娟范勇
- 关键词：聚酰亚胺耐电晕
- 纳米有机硅掺杂聚酰亚胺薄膜的结构与电性能研究
- 调整甲基三乙氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比,通过溶胶-凝胶法制备了纳米有机硅溶胶用于杂化聚酰亚胺(PI)薄膜.对薄膜的结构与电气强度,相对介电常数 e 和介质损耗因数 tan δ的关系进行了实验研究,并采用 FT-IR,S...
- 李翠翠李娟陈昊张辰威范勇
- 关键词：聚酰亚胺电性能
- 文献传递
- 纳米有机硅杂化聚酰亚胺薄膜的结构与电性能研究
- 调整二苯基二甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比,通过溶胶-凝胶法制备了纳米有机硅杂化聚酰亚胺（PI）薄膜。用FT-IR,SEM表征了薄膜的化学结构和表面形貌,对电气强度,耐电晕性进行了实验研究。结果表明,随着纳米有机硅网络结...
- 刘晓玉陈慧丹陈昊李娟范勇
- 关键词：聚酰亚胺电性能
- 文献传递
- 二氧化硅/聚酰亚胺纳米复合薄膜的制备与性能研究被引量：10
- 2009年
- 采用溶胶-凝胶法,以苯基三乙氧基硅烷(PTES)为前驱体制备了氧化硅溶胶,并以均苯四甲酸二酐(PMDA)和4,4’-二氨基二苯醚(ODA)为原料,用原位生成法制备了一系列不同掺杂量(质量分数)的PI/SiO2复合薄膜。分别采用热失重分析仪(TGA)、扫描电镜(SEM)、耐电晕测试装置和耐击穿测试装置对薄膜的热性能、电性能进行了测试。结果表明,掺杂量为15%时纳米氧化硅粒子在PI基体中分散均匀,掺杂量为10%,热分解温度达到最大值,并且在工频50 Hz,场强为60 MV/m的室温条件下,掺杂量为15%时复合膜的耐电晕时间最长为55.73 h,电气强度为327 MV/m高于纯膜。
- 刘俊何明鹏陈昊李娟范勇
- 关键词：聚酰亚胺纳米氧化硅热性能电性能
- 纳米氧化铝改性无溶剂绝缘漆耐电晕性能的研究被引量：2
- 2007年
- 为了改进一种聚酯亚胺无溶剂绝缘浸渍漆的耐电晕性能,加入自制的纳米氧化铝改性。对漆膜的介质损耗tanδ测试表明,随着纳米氧化铝含量的增加,漆膜的介质损耗逐渐升高;用自制的耐电晕测试设备对改性漆膜的耐电晕时间进行测试表明,改性后漆膜耐电晕时间明显提高;通过扫描电镜观察表明,纳米氧化铝粒子很均匀的分散于绝缘漆中;但纳米氧化铝对漆的粘度和漆膜的韧性有一些不利影响。
- 范勇刘伟周宏安军伟
- 关键词：无溶剂浸渍漆纳米氧化铝耐电晕
- 纳米硅/铝氧化物杂化聚酰亚胺薄膜电性能研究被引量：4
- 2008年
- 为了提高聚酰亚胺薄膜的电学性能,将纳米硅/铝氧化物掺杂到聚酰亚胺(PI)基体中,通过固定掺杂总量,调整纳米硅/铝氧化物的相对质量百分含量,制备出一系列的无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜。采用SEM(扫描电镜)表征了薄膜的表面形貌,对薄膜电气强度和耐电晕寿命进行了测试。结果表明:无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜与纯的聚酰亚胺薄膜相比其电性能大幅度提高。
- 陈慧丹刘晓玉陈昊李娟范勇
- 关键词：聚酰亚胺纳米杂化电学性能
- 纳米有机硅杂化聚酰亚胺薄膜的结构及电性能研究被引量：5
- 2008年
- 调整二苯基二甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比,通过溶胶-凝胶法制备了纳米有机硅杂化聚酰亚胺(PI)薄膜。用FT-IR,SEM表征了薄膜的化学结构和表面形貌,对电气强度,耐电晕性进行了实验研究。结果表明,随着纳米有机硅网络结构的变化,掺杂薄膜的电气强度先保持平稳后下降,大约在二苯基二甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为1:3时出现极大值,二苯基二甲氧基硅烷和正硅酸乙酯的摩尔比为1:1时杂化薄膜的平均耐电晕寿命为纯聚酰亚胺薄膜平均耐电晕时间的8.57倍。
- 刘晓玉陈慧丹陈昊李娟范勇
- 关键词：聚酰亚胺电性能
- 纳米硅/铝氧化物杂化聚酰亚胺薄膜电性能研究
- 为了提高聚酰亚胺薄膜的电学性能,将纳米硅/铝氧化物掺杂到聚酰亚胺（PI）基体中,通过固定掺杂总量,调整纳米硅/铝氧化物的相对质量百分含量制备出一系列的无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜。采用SEM（扫描电镜）表征了薄膜的表面形貌,...
- 陈慧丹刘晓玉陈昊李娟范勇
- 关键词：聚酰亚胺纳米杂化电学性能
- 文献传递
- 纳米氧化铝杂化聚酰亚胺薄膜的制备与性能研究被引量：14
- 2007年
- 由铝的纳米氧化物溶胶制得纳米氧化铝杂化的聚酰亚胺(PI)薄膜。对PI薄膜的耐电晕性进行了测试,结果表明氧化铝质量百分数为23%的PI薄膜在棒板电极系统、气隙间距0.1 mm、50 Hz、90 MV/m条件下耐电晕时间达120 h以上,比纯PI薄膜提高30倍以上;使用介电谱仪测试其介电常数和介质损耗;采用FTIR、SEM分别表征了杂化PI薄膜与纯PI薄膜的化学结构和表面形貌。
- 范勇安军伟周宏刘伟
- 关键词：聚酰亚胺介电性能耐电晕氧化铝
- 纳米氧化铝改性聚酰亚胺薄膜的制备与研究被引量：10
- 2010年
- 用溶胶-凝胶法制得纳米氧化铝溶胶,将其掺入到聚酰胺酸基体中,采用原位生成法制备了一系列不同掺杂量的PI/Al2O3复合薄膜。利用耐电晕测试装置、耐击穿测试装置、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜进行了测试及表征。结果表明:随着掺杂量的提高耐电晕时间增大,当掺杂量为30%(质量分数)时PI薄膜的耐电晕时间为57.64 h,是未掺杂的15倍以上。随着掺杂量的提高杂化薄膜电气强度先增大后减小,但都比未掺杂的低。纳米氧化铝粒子在PI基体中分散较均匀。
- 何明鹏刘俊陈昊李娟范勇
- 关键词：聚酰亚胺纳米氧化铝电性能杂化
