贵州省科学技术基金(J[2010]2002)
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 相关作者：郝正同杨子义谢泉徐虎彭仁明更多>>
- 相关机构：贵州大学绵阳师范学院贵阳学院更多>>
- 发文基金：贵州省科学技术基金国际科技合作与交流专项项目贵阳市科学技术计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- KSi能带结构及态密度的第一性原理研究被引量：1
- 2010年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对KSi的电子结构进行了理论计算,计算表明KSi是一种准直接带隙半导体,禁带宽度为1.42eV。详细讨论了KSi在费米面附近的价带与导带的电子态密度的结构。
- 郝正同杨子义
- 关键词：第一性原理电子能带结构态密度
- 用算术几何平均值法求单摆周期近似解
- 2011年
- 采用算术几何平均值法研究了单摆周期的近似解,得出了简洁而严密的单摆周期近似解计算公式,并与其它的近似解进行了比较。结果表明:采用算术几何平均值法计算的单摆近似解比其它近似解有较高的精确度。该方法也适合其它涉及椭圆积分的物理问题的求解。
- 郝正同彭仁明
- 关键词：单摆周期椭圆积分近似解
- BaSi_2晶体结构及X射线衍射谱的研究被引量：1
- 2010年
- 基于汤姆逊弹性散射理论导出了计算衍射峰强度的具体表达式,计算并得到了BaSi2粉晶的X射线衍射谱图,研究了影响粉晶X射线衍射谱线位置、强度和形状的因素。给出了校验及修正粉晶衍射谱图的可靠方法。
- 郝正同谢泉杨子义
- 关键词：晶体结构X射线衍射衍射强度
- Ba_3Si_4的制备及电子结构的研究被引量：1
- 2010年
- 采用磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了Ba单层膜,研究了退火温度对Ba-Si化合物生成的影响。X射线衍射表明,在真空中退火12h后出现了Ba3Si4(202)和Ba3Si4(221)衍射峰,表现出择优取向,700℃是理想的退火温度。采用第一性原理对Ba3Si4的能带结构和态密度进行了计算,结果表明它是一种金属,价带主要是由Si的3s、3p及Ba的5p、6s态电子构成,导带主要由Ba的5d及Si的3p态电子构成。
- 杨子义郝正同谢泉
- 关键词：电子结构磁控溅射退火
- 正交相BaSi_2薄膜的制备及结晶研究被引量：1
- 2014年
- 室温下采用磁控溅射的方法在p-Si（111）衬底上沉积Ba膜,然后置入高真空退火炉中在400～850℃退火12 h生成Ba的硅化物薄膜,对退火后的Ba-Si化合物进行了晶体结构、表面形貌、透射光谱及电学性质的测试分析,研究了退火温度对薄膜结晶的影响。实验结果表明,退火温度对生成Ba-Si化合物及薄膜的表面形貌影响很大,随着退火温度从400℃升高到800℃,薄膜的结晶情况逐渐改善,晶粒随着温度的升高逐渐增大;800℃对于生成多晶的BaSi2薄膜是一个比较理想的退火温度;850℃生成了多相共生的硅化物薄膜。
- 杨子义郝正同徐虎
- 关键词：晶体结构表面形貌透射光谱电学性质
