电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金(9140C0301030901)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- 相关机构：信息产业部电子第五研究所华南理工大学更多>>
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- PMOSFET的动态NBTI效应模型研究
- 2010年
- 为了能够准确地预测器件的寿命,研究了PMOSFET中的动态负偏压温度不稳定性效应(NBTI)模型.在静态NBTI效应模型及反应-扩散模型(R-D)的基础上,推导出动态NBTI应力下界面陷阱电荷模型,其与占空比成指数关系.考虑到占空比对器件NBTI效应的影响,推导出动态NBTI应力下阈值电压退化模型.通过实验所得到的器件退化数据和仿真数据进行比较分析,证明了阈值电压漂移量随着占空比近似按照指数规律变化,与模型相符合,可以预测器件交流应力的实际寿命.
- 李斌宋芳芳解江章晓文
- 关键词：阈值电压漂移占空比
- PMOSFET动态NBTI效应的研究被引量：2
- 2010年
- 负偏压温度不稳定性效应(NBTI)已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素,而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注。对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系统介绍,讨论了动态应力条件下NBTI(DNBTI)效应和静态应力下NBTI(SNBTI)退化机理,综述了DNBTI效应的动态恢复机制以及影响因素,最后介绍了NBTI效应对电路的影响。随着器件尺寸的日益缩小,如何提高电路的可靠性变得日益重要,进一步研究NBTI效应对电路的影响从而进行NBTI电路级可靠性设计已成为集成电路设计关注的焦点。
- 宋芳芳解江李斌章晓文
- 关键词：PMOS可靠性
