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Be薄膜制备及其生长动力学性质研究被引量：2: 2012年; 采用真空蒸镀法制备厚度400~2100nm、表面均方根粗糙度Rq〈6.0nm的Be薄膜。XRD结果表明不同厚度Be薄膜均由hcp结构的（αBe）相组成。当蒸发温度从1243K增加至1403K时,Be原子沉积速率急剧增大,α-Be晶粒平均直径增大近3倍,其择优取向发生显著改变。薄膜表面小岛由不规则的多边形晶粒逐渐转化为棱角分明的六边形晶粒,而横截面形貌始终以柱状晶生长为主,它垂直于基片呈定向排列。此外,理论计算的Be薄膜生长速率与实验测定的结果十分吻合,它与平衡蒸气压成正比,随蒸发温度的升高而呈指数函数关系增大。; 罗炳池罗江山李恺张吉强吴卫东唐永建; 关键词：柱状晶

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高温高密度等离子体物理国防科技重点实验室基金(9140C6805021008)