湖南省科技计划项目(2011GK3129)
- 作品数：3 被引量：11H指数：2
- 相关作者：胡锦郝明丽李庆山翟媛张笑瑜更多>>
- 相关机构：湖南大学中国科学院微电子研究所苏州锐控微电子有限公司更多>>
- 发文基金：湖南省科技计划项目国家科技重大专项长沙市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 应用于WLAN的SiGe射频功率放大器的设计被引量：4
- 2012年
- 采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段范围内的AB类射频功率放大器.该放大器采用三级放大结构,偏置电路采用电流镜形式的自适应偏置控制电路,具有温度补偿和线性化作用.后仿真结果显示:1dB压缩点输出功率高达27.73dBm,功率增益为25.67dB,电路的S参数在2.4GHz频段内,输出匹配S22小于-10dB,S12小于-60dB.
- 胡锦翟媛郝明丽张笑瑜
- 关键词：射频功率放大器SIGE
- 带温度与工艺补偿的新型振荡器被引量：6
- 2013年
- 设计了一种能够对温度和工艺进行补偿的振荡器电路,无外部器件连接,芯片采用自补偿技术对温度和工艺进行检测并校准,而不需要额外的修调。使用0.18μm CMOS工艺,工作温度变化范围为-30～70℃,输出频率最大偏差为2%,芯片面积为0.12mm2。电源电压为3.3V,室温正常工作时功耗为165μW。
- 李庆山胡锦李湘春
- 关键词：振荡器校准
- 带有基极镇流电阻的SiGe HBT射频功率放大器被引量：1
- 2012年
- 基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计了一款应用于WLAN、WIFI以及蓝牙等应用领域的射频功率放大器。该功率放大器带有基极镇流电阻,增强了热稳定性和交流稳定性,工作在AB类状态,由三级电路级联构成。完成了功率放大器芯片的PCB板级测试,测试结果如下:在2.4 GHz工作频率处,S参数S21为24.3 dB,S11为-10.79dB,S22为-13.8 dB,S12为-45.5 dB;1 dB压缩点输出功率为20.3 dBm,最大输出功率可达23 dBm。
- 胡锦刘安玲陶可欣郝明丽
- 关键词：射频功率放大器锗硅
