国家自然科学基金(60906051)
- 作品数：4 被引量：17H指数：2
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- 漏极注入HPM诱发的nMOSFET热电损伤机理被引量：4
- 2013年
- 研究了nMOSFET漏极注入HPM诱发的器件热电损伤机理。建立了nMOSFET在HPM作用下的二维电热模型,获得了器件内部电场、电流密度以及温度对HPM作用的响应规律,分析了源-衬底PN结、漏-衬底PN结附近器件内部温度分布随HPM作用时间的变化关系。结果表明nMOSFET器件漏极注入HPM时,器件内部峰值温度出现在漏端PN结附近,且具有累积效应。当温度达到硅材料硅熔点,器件内部漏端PN结表面附近形成熔丝,器件损毁。该机理分析得到的器件特性变化与器件HPM损伤实验的测试结果相吻合,验证了文中描述的器件损伤机理。
- 范菊平游海龙贾新章
- 关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管高功率微波熔丝
- 基极注入HPM导致的双极型晶体管失效分析被引量：1
- 2014年
- 为了研究高功率微波对双极型晶体管的作用,在双极型晶体管基极直接注入高功率微波效应实验现象的基础上,建立了高功率微波作用于双极型器件的物理过程与模型,并通过器件仿真,分析确定了高功率微波引起器件失效的主要原因是:高功率微波产生的感应电压脉冲,引起双极型器件基区烧毁形成熔丝和产生大量缺陷.基区烧毁面积与缺陷数量随高功率微波作用的时间和功率的增大而增大,不同的烧毁面积引起失效器件的直流特性将发生变化.器件仿真与实验结果能较好吻合,验证了文中结论.
- 范菊平游海龙贾新章
- 关键词：高功率微波双极型晶体管直流特性
- 高功率微波作用下热载流子引起n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性退化研究被引量：11
- 2012年
- 高功率微波(HPM)通过使半导体器件特性退化和功能失效,从而干扰电子系统无法正常工作.针对金属氧化物半导体(MOS)器件的HPM效应,建立了高功率微波引起n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)特性退化的物理过程与模型.器件仿真结果中nMOSFET的输出特性曲线显示栅极注入HPM引起器件特性退化,包括阈值电压正向漂移、饱和电流减小、跨导减小等;结合物理模型分析可知,HPM引起的高频脉冲电压使器件进入深耗尽状态,热载流子数目增多,热载流子效应导致器件特性退化.MOS器件的HPM注入实验结果显示,器件特性曲线、器件模型参数变化趋势与仿真结果一致,验证了HPM引起nMOSFET特性退化的物理过程与模型.
- 游海龙蓝建春范菊平贾新章查薇
- 关键词：高功率微波热载流子
- VDMOS栅引线脱落引起的阈值电压测试错误分析被引量：1
- 2014年
- 讨论了栅引线脱落导致栅悬空条件下,VDMOS器件的电流传输过程。通过器件测试与仿真,指出栅引线脱落引起阈值电压测试错误的原因。提出一种将传统"两线法"与"三线法"相结合的阈值电压测试方法,避免栅引线脱落导致阈值电压测试的误判。
- 赵杨杨游海龙刘鹏张宇贾新章
- 关键词：VDMOS阈值电压
