您的位置: 专家智库 > >

广东省自然科学基金(10151063101000048)

作品数:13 被引量:13H指数:2
相关作者:陈俊芳冯军勤高鹏李炜杜金菊更多>>
相关机构:华南师范大学广东技术师范学院更多>>
发文基金:广东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 9篇理学
  • 4篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇等离子体
  • 5篇溅射
  • 5篇磁控
  • 4篇光谱
  • 4篇发射光谱
  • 3篇离子
  • 3篇光学
  • 3篇衬底
  • 3篇衬底温度
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇等离子体发射
  • 2篇等离子体发射...
  • 2篇电池
  • 2篇面粗糙度
  • 2篇溅射制备
  • 2篇反应溅射
  • 2篇表面粗糙度
  • 2篇磁控反应溅射
  • 2篇粗糙度
  • 1篇带隙

机构

  • 14篇华南师范大学
  • 1篇广东技术师范...

作者

  • 12篇陈俊芳
  • 7篇冯军勤
  • 6篇高鹏
  • 5篇邵士运
  • 5篇赵益冉
  • 2篇唐吉玉
  • 2篇刘振兴
  • 2篇陈兴来
  • 2篇杜金菊
  • 2篇李炜
  • 2篇周福成
  • 1篇符斯列
  • 1篇孙辰
  • 1篇王春安
  • 1篇李烨
  • 1篇马俊辉
  • 1篇李东珂
  • 1篇廖建军
  • 1篇林邦惜
  • 1篇张国芳

传媒

  • 3篇华南师范大学...
  • 3篇第十五届全国...
  • 2篇光谱学与光谱...
  • 2篇光散射学报
  • 2篇半导体光电
  • 1篇Journa...
  • 1篇材料导报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 7篇2011
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
低温等离子辅助蒸发纳米铝膜微结构及光学特性研究
2014年
采用低温等离子体辅助气相沉积技术在低压常温条件下制备稳定的纳米铝膜。利用发射光谱和Langmuir双探针法分析射频感应耦合Ar等离子体成分及分布密度特性,结果显示在衬底附近等离子体密度衰减趋于平缓且均匀,浮动电位0.329V;随着功率的增加,Ar+对成膜起主要影响。再结合铝膜的原子力显微结构,研究了不同的等离子环境条件对成膜质量及其紫外可见光谱的光学性质影响。结果表明射频离子源的加入,薄膜微结构发生较明显变化;随功率增加,膜反射率出现峰值;微结构特性对其光学性能影响较大,随着表面粗糙度的增加,紫外及可见光的透射率先减小后增大。
陈兴来陈俊芳刘振兴李烨马俊辉李东珂
关键词:金属薄膜表面粗糙度发射光谱紫外可见
电子束蒸发沉积TiN薄膜的电学特性研究被引量:1
2012年
采用TCP(Transverse coupled plasma)等离子体辅助电子枪蒸镀技术,在玻璃衬底上制备了TiN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了不同工艺条件对薄膜晶体结构和表面形貌的影响;用四探针法测量薄膜的电阻率变化。结果表明,所制备的TiN薄膜在(111)晶面有择优取向。与金属薄膜类似,TiN薄膜的平均表面粗糙度与电阻率之间存在近似线性关系,并且电阻率随残余应力增大而增大。
赵益冉陈俊芳邵士运冯军勤高鹏
关键词:电阻率残余应力表面粗糙度
衬底温度对Al/Zn_3N_2薄膜制备的影响被引量:1
2015年
运用等离子体发射光谱,分析衬底温度对氮化锌薄膜制备过程中各等离子体活性基团的影响,随着温度升高,N*2第一正系B3Πg→A3Σ+u,N*2第二正系C3Πu→B3Πg,N+*2第一负系B2Σ+u→X2Σ+g,Zn*以及Zn+*活性基团等离子体发射光谱特征谱线强度逐渐增强;由于衬底温度升高,腔室中各离子动能增加,使得碰撞电离加剧,导致N*2,N+*2,Zn*以及Zn+*活性基团的等离子体离子密度增加;等离子体发射光谱分析结果表明衬底温度在一定范围内升高有利于氮化锌薄膜生长。采用离子源辅助磁控溅射技术在Al薄膜上制备Zn3N2薄膜;X射线衍射图谱(XRD)分析结果表明:室温下,反应生长出单一择优取向面(321)氮化锌薄膜;随着温度的升高,在Al膜上反应生长的氮化锌薄膜择优取向面逐渐丰富,出现(222),(400),(600),(411),(332),(431)以及(622)择优取向面,体现出随着衬底温度的升高,薄膜的结晶度逐渐增加。XP-1台阶仪分析的结果表明,随着衬底温度的升高,氮化锌薄膜的沉积率逐渐增大。场效应扫描电子显微镜(SEM)图表明氮化锌薄膜晶粒尺寸随着衬底温度的升高逐渐变小,表面结构更加致密,晶粒排列更加有序;SEM断面扫描显示Al膜和氮化锌薄膜结合非常紧密。衬底温度影响薄膜性能实验分析结果与等离子体发射光谱分析的结果基本一致,体现出等离子体发射光谱了解等离子体内在特性的有效、快捷性。
冯军勤陈俊芳
关键词:磁控反应溅射等离子体发射光谱
射频感应耦合低压等离子体特性分析被引量:3
2013年
采用光谱诊断法和Langmuir单探针法对射频感应耦合Ar气等离子体特性进行分析。通过光栅光谱仪研究了低气压下Ar气等离子体的光谱强度的变化特性,采用Langmuir单探针法测量不同条件下电子密度和电子温度。等离子体发射光谱的光谱强度随着气压和功率的增加而增强,射频功率对光谱强度的影响较明显。当功率从120W增加到180W时,光谱强度将会迅速增加,等离子体发生E模向H模的模式转换。Langmuir单探针法测量的电子密度和电子温度在的变化规律符合E模向H模转换的变化规律。
高鹏陈俊芳冯军勤
关键词:感应耦合等离子体发射光谱LANGMUIR探针
衬底温度对氮化锌薄膜特性的影响被引量:2
2012年
采用直流磁控溅射的方法,在不同温度的玻璃衬底上生长Zn3N2薄膜.研究了衬底温度对样品的微结构、表面形貌以及光学性质的影响.结果表明,随着衬底温度的升高,生长的Zn3N2薄膜择优取向增多;晶粒尺寸逐渐变大;Zn3N2薄膜间接光学带隙由1.86 eV逐渐增大到2.26 eV.
邵士运陈俊芳赵益冉冯军勤高鹏
关键词:直流磁控溅射表面形貌光学带隙
等离子体化学气相沉积氮化镓薄膜中的N2/TMG等离子体发射光谱分析
2013年
对电子回旋共振低温等离子体化学气相沉积工艺(ECR-PECVD)沉积GaN薄膜过程中的氮气和三甲基镓有机金属气体(TMG)混合气体等离子体发射光谱进行分析。结果表明TMG在等离子体自加热条件下就发生离解,N2/TMG混合气体ECR等离子体主要以Ga气体粒子和亚稳态氮分子为主。发射光谱特征谱线随微波功率变化分析表明:当微波功率高于400W时,亚稳态氮分子浓度随着微波功率的增加而增加,而高激发态氮分子以及氮分子离子浓度却随着减少。
符斯列王春安陈俊芳
关键词:等离子体化学气相沉积GAN等离子体发射光谱
直流反应磁控溅射制备氦化锌薄膜特性研究
<正>近些年来,P型ZnO薄膜的制备成为人们研究和关注的热点。但我们知道,ZnO由于其自身存在的缺陷导致的补偿效应,所以很难实现重复性较好的P型ZnO薄膜的制备。N原子和O原子大小接近,所以N掺杂被认为是最好的选择。20...
邵士运陈俊芳赵益冉冯军勤高鹏
文献传递
ECR等离子体系统中粒子沿微管传输的研究
2012年
建立了一个等离子体系统内粒子传输模型,研究在一个ECR等离子体系统中,如何通过某些环境参数的变化来使得沿微管表面传输的粒子产生净流动.在此模型中,在非平衡热涨落、磁场作用和外场力等因素的综合作用和共同驱动下,得到一个净几率流J,当这些因素彼此竞争彼此作用时,J随着某个参数的改变而发生方向改变.此外,通过理论模型的计算,得到了J关于不同参数的相关函数.
杜金菊李炜
关键词:等离子体
氮分压与衬底温度对光透明材料氮化锌的影响
2014年
采用射频磁控溅射方法,在Ar-N2混合气中Si衬底上生长Zn3N2薄膜.研究了氮分压和衬底温度对样品的光透明性、微结构、表面形貌以及光学性质的影响,同时研究了样品在空气氛围下保持20天后的性能,并与新镀薄膜进行比较.结果表明,Zn3N2薄膜直接光学带隙可由氮分压调节的范围为1.18~1.50 eV,氮分压比例增大,薄膜的光透明性减弱,并且对暴露在空气中20天以后的薄膜进行测试发现,薄膜的光透明性明显增强,随着衬底温度的升高,生长的薄膜择优取向增多,晶粒尺寸逐渐变大.
刘振兴陈俊芳陈兴来孙辰
关键词:光学特性
Structural transition of FeSe under high pressure
2011年
The density functional calculations of the energy band structure and density of state for the tetragonal PbO-type phase α-FeSe and hexagonal NiAs-type phase β-FeSe are reported in this paper.The structural phase transition from tetragonal to hexagonal FeSe under high pressure is investigated,it is found that the calculated transition pressure for the α→β phase transformation is 8.5 GPa.Some fluctuations in the transition pressure maybe occurred by different external factors such as temperature and stress condition.There is about 17% volume collapse accompanying the α→β phase transformation.
李炜陈俊芳何琴玉王腾潘中良
关键词:密度函数结构相变相变压力氧化铅
共2页<12>
聚类工具0