国家自然科学基金(50471098)
- 作品数：11 被引量：48H指数：6
- 相关作者：严文范新会陈建王雪艳李红英更多>>
- 相关机构：西安工业大学西安工业学院西北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金兵科院预研基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术电气工程机械工程更多>>
- 电子显微取向成像及其在单晶铜线材研究中的应用被引量：1
- 2007年
- 本文从基本原理、设备构造、角度和空间分辩率、试样制备方法以及数据处理等方面,系统地介绍了一种新的材料研究方法——电子显微取向成像.同时,结合在研课题的一些研究进展,针对变形前后单晶铜线材的组织演化,探讨了电子显微取向成像技术在微观组织、织构和晶体转动以及位错界面分析等中的应用,以展现电子显微取向成像的功能和应用.
- 严文陈建
- 关键词：电子背散射衍射形变组织单晶铜线材
- 拉拔单晶铜线材形变织构的研究被引量：6
- 2008年
- 采用水平单晶连铸方法制备直径为8mm的单晶铜线材,经拉拔得到直径为7、5、3、1mm的形变铜线材,应用取向分布函数分别对不同形变量单晶铜线材沿线材半径方向的织构组分进行了研究。结果表明:单晶铜在形变过程中,各层主要存在<100>纤维织构组分,取向主要向{100}<001>、{110}<001>聚集;形变单晶铜线材各层织构组分存在一定的差异,主要是由于单晶铜线材在拉拔过程中变形的不均匀性所致;剪切变形是织构组分转变的主要原因。
- 李巍严文陈建范新会
- 关键词：单晶铜线材织构取向分布函数
- 单晶铜线材的表面氧化研究被引量：7
- 2007年
- 为了解决单晶铜线材在存储过程中的氧化问题,本文通过氧化增重实验,对不同组织、不同纯度铜线材的表面氧化行为进行了研究.结果表明:温度的高低对铜线材的氧化速率起决定性作用,不同铜线材对温度的敏感程度不同.单晶铜的氧化速率低于多晶铜,纯度越高的单晶铜抗氧化性能越好.单晶铜的氧化速率与其晶粒取向有关,生长方向为<100>的单晶铜更容易氧化.铜线材的氧化速率是由Cu2O的生长速度控制的,主要因素是铜离子向外扩散的速率.低纯单晶铜和多晶铜的氧化膜均容易脱落,不能对基体起到应有的保护作用.
- 李炳严文王鑫范新会
- 关键词：单晶铜氧化速率氧化膜
- 塑性变形单晶铜线材织构的研究被引量：9
- 2006年
- 将单晶连铸技术制备的直径Φ8 mm工业单晶铜线材,在C733-4/ZF型工业拉丝机上按同一方向冷拔至直径分别为Φ4 mm、Φ2 mm和Φ1 mm的铜线材,应用极图分析和织构定量计算的方法研究了变形量与织构的关系.结果表明:变形单晶铜线材中的形变织构主要为<100>丝织构,也有少量<110>丝织构;随着变形量的增加,<100>丝织构的体积百分数先减小后增加,而<110>丝织构先增加后减小.
- 李红英严文陈建范新会王雪艳
- 关键词：单晶铜塑性变形形变织构连铸
- 塑性变形对单晶铜线材导电性影响的研究被引量：12
- 2005年
- 为了研究塑性变形对单晶铜线材导电性的影响,以及电阻率与塑性变形量之间的定量关系,将Φ8mm的工业单晶铜线材冷拔后,得到塑性变形量不同的试样,用四端引线法精确测量其电阻率.结果表明,单晶铜线材的电阻率随塑性变形量的增加而上升,其原因是由于单晶铜线材的微观组织畸变程度随塑性变形量的增加而加剧.
- 张亚宁严文陈建范新会李红英王雪艳
- 关键词：单晶铜线材塑性变形电阻率
- 单晶铜线材在冷拔过程中形成的亚结构被引量：8
- 2007年
- 采用光学金相和电子背散射衍射对单晶铜线材拉拔变形过程中的组织演化进行了分析。结果表明，变形单晶铜线材组织的演化分为3个阶段；当真应变为1．96时，变形单晶铜线材由〈100〉转变为〈100〉、〈111〉以及比较弱的〈112〉丝织构，织构组分转变是由剪切变形所致；当真应变为0．94时，界面错配角小于14°，属于小角度界面，当真应变为1．96时，界面错配角超过50°，在25°～30°大角度范围出现了由织构演化形成的第2个峰。
- 陈建严文陈绍楷王雪艳彭渝莉范新会
- 关键词：单晶铜线材
- 单晶铜线材在潮湿环境中的表面氧化规律研究被引量：1
- 2010年
- 采用氧化增重实验,通过改变温度、水蒸汽流量两个参数,对单晶铜线材的表面氧化行为进行了研究.结果表明:单晶铜线材在潮湿环境中的氧化由三个阶段构成;温度与水蒸汽流量两个因素对单晶铜线材的表面氧化均有显著影响,温度越高、水蒸汽流量越大,氧化速率越快;单晶铜线材在潮湿环境下的氧化产物是Cu2O,其氧化速度由Cu2O的生长速度控制,氧化膜对线材的后期氧化起阻碍作用.
- 李炳严文王鑫范新会
- 关键词：单晶铜氧化速率氧化膜
- 单晶铜线材在冷拉拔变形过程中的组织演化被引量：8
- 2007年
- 采用光学金相、电子背散射衍射和透射电子显微镜对单晶铜线材拉拔变形的组织演化进行了分析．发现单晶铜线材除了有少量的晶界之外，还有枝晶和少量生长孪晶，但凝固过程中所产生的枝晶在变形组织中却很难观察到．在室温下拉拔变形过程中，单晶铜线材的组织演化可分为3个阶段，当真应变小于0．94时，宏观尺度上晶粒没有发生明显的分裂，从微观尺度上讲，组织的演化为位错胞形成以及沿拉丝方向拉长的变形阶段；真应变为0．94～1．96时，宏观上出现晶粒分裂，微观上胞块和沿{111}的MBs开始增多；真应变大于1．96时，宏观上晶粒分裂加剧，形成纤维状组织，微观上出现剪切变形的S带．随变形量的增加，由晶粒竞争生长形成的〈100〉丝织构转变为〈100〉，〈111〉以及比较弱的〈112〉丝织构，剪切变形是织构组分转变的原因．变形形成的界面，其角度随变形量增加而增大．真应变为0．94时，界面属于小角度界面；真应变为1．96时，界面角度超过50°，并在25°～30°高角度范围出现了由织构演化所形成的第2个峰．
- 陈建严文王雪艳范新会
- 关键词：单晶铜线材电子背散射衍射透射电子显微镜光学金相
- 单晶铜的包申格效应被引量：2
- 2009年
- 单晶铜在实际应用时需经过多次塑性变形,将导致包申格效应的产生,对其后续工艺和产品质量产生影响.对单晶铜在先压缩后拉伸时出现的包申格效应进行了研究,并与多晶铜进行了对比.实验结果表明:单晶铜和多晶铜在正反向加载时均出现包申格效应,在预应变相同的条件下,单晶铜的包申格效应不如多晶铜的显著.单晶铜的包申格效应随预压缩量的增加先增大后减小,在预压缩量为0.156%附近该效应最为显著.多晶铜的包申格效应在预压缩量小于0.2%时变化不明显,大于0.2%时随预压缩量的增加而增加.单晶铜中出现包申格效应的根本原因是反向加载时短程应力的释放,多晶铜中由于存在晶界引起的长程应力,在反向加载时该应力和短程应力同时释放,从而体现出更为显著的包申格效应.
- 李炳严文陈建刘春霞王鑫范新会
- 关键词：单晶铜包申格效应
- 工业铜单晶线材浸蚀蚀坑的研究被引量：3
- 2007年
- 对工业铜单晶线材用不同浸蚀剂,浸蚀时间,材料晶体取向等方面进行了浸蚀试验.结果表明,在氯化铁盐酸溶液中仅当配比为20 g(FeCl3)∶5 ml(HCl)∶100 ml(H2O)时会有蚀坑产生;蚀坑密度(EPD)随试样浸蚀时间和试样的变形量的增加而增大,当达到一定程度时会趋于饱和;铜单晶线材中(111)面EDP值高于(100)面;经过扫描电镜观察,判定该蚀坑为位错蚀坑.铜单晶线材中位错蚀坑密度与材料浸蚀时间,变形量以及晶体学取向有关.
- 严文王雪艳陈建李巍范新会
- 关键词：铜单晶晶体取向塑性变形
