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国家自然科学基金(60906010)

作品数:7 被引量:5H指数:1
相关作者:陈虹刘鸣张春王聪曹华敏更多>>
相关机构:清华大学更多>>
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相关领域:电子电信医药卫生自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇医药卫生
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇人工膝关节
  • 2篇人工膝关节置...
  • 2篇膝关节
  • 2篇膝关节置换
  • 2篇关节
  • 2篇关节置换
  • 2篇编译器
  • 2篇SOC
  • 2篇SRAM
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  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇低功耗
  • 1篇性关节炎
  • 1篇亚阈值
  • 1篇译码
  • 1篇阵列
  • 1篇置换手术
  • 1篇手术
  • 1篇随机存取

机构

  • 5篇清华大学

作者

  • 5篇陈虹
  • 3篇刘鸣
  • 2篇王志华
  • 2篇张春
  • 2篇郑翔
  • 2篇曹华敏
  • 2篇王聪
  • 1篇徐冠南
  • 1篇贾晨
  • 1篇高志强
  • 1篇唐竟
  • 1篇万维逸

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇微电子学
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇传感器与微系...
  • 1篇科技纵览

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
7 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
通用嵌入式SRAM编译器的设计与实现
2013年
介绍了一种适用于多厂商、多种工艺和电路结构的嵌入式SRAM IP核编译器设计方法,该方法使编译器的设计复杂度降低30%以上。专用版图处理工具LayoutBuilder能自动完成版图拼接、打孔、画线、添加端口和生成GDSII版图文件等。专用网表处理工具NetlistBuilder仅用三个函数即可完成网表的生成,同时,该工具还内嵌自动检查端口数目和对齐方式、自动检查内部浮空节点和自动检查浮空端口等功能。介绍了一种编译器验证流程和时序与功耗文件的生成方法。用这个方法开发了针对2种工艺、3种电路结构的8个编译器。对编译器生成的IP核进行了流片验证。结果表明,该方法可以生成满足不同要求的SRAM IP核。
王聪刘鸣陈虹郑翔曹华敏高志强
关键词:静态随机存取存储器IP核编译器
适用于编译器的高速SRAM阵列及外围设计被引量:1
2013年
SRAM编译器一般需要配置具有各种字宽、各种容量的SRAM。针对这种需求,SRAM阵列和外围电路需要设计成具有可配置性、可复用性的结构。使用0.525μm2的6管存储单元,采用阵列划分、两级译码和具有本地时序的灵敏放大器,实现了适用于编译器的高速SRAM设计。基于SMIC 65nm CMOS工艺,对512kb的SRAM进行流片验证。测试结果表明,该SRAM在1.2V工作电压下可实现1.06ns的高速访问时间。
曹华敏刘鸣陈虹郑翔王聪王志华
关键词:SRAM灵敏放大器编译器
智能骨科助力精准医疗
2021年
随着全球人口老龄化程度加剧,骨性关节炎病患数量呈现出较快上涨趋势,人工关节置换手术的需求也愈发增加,其中最为常见的是人工膝关节置换与人工髋关节置换.据不完全统计,中国每年约有10万例关节置换手术(约以每年15%的速度递增),其中约70%为髋关节置换,以北京积水潭医院为例,全膝关节手术数量从2002年的176例增长到2012年的1625例(约以每年28%的速度递增),全髋关节手术数量从2002年的238例增长到2012年的1197例(约以每年20%的速度递增).
陈虹
关键词:人工膝关节置换髋关节置换膝关节手术髋关节手术骨性关节炎
人工膝关节置换术中压力平衡测量装置
2011年
提出了在人工膝关节置换手术中测量膝关节假体与垫片之间压力的系统,帮助医生定量地了解软组织各部分张力的情况,保证膝关节内外侧软组织张力的平衡。采用触力传感器采集压力信息,用微处理器对系统进行控制和数据处理,通过无线方式进行数据传输,在显示终端以图形化的方式直观实时地显示压力分布。从理论上分析了系统的误差,并给出了测试方案和测试结果,并对结果进行处理以提高系统的精度。结果表明:该系统高效、可靠、精度高,验证了设计方案的可行性。
万维逸陈虹刘鸣唐竟张春王志华
一种极低功耗的CMOS带隙基准源被引量:4
2011年
随着SoC在便携产品中应用的迅猛发展,低功耗技术变得越来越重要。本文采用了0.18um的标准CMOS工艺来,设计了一种无电阻、工作在亚阈值区的低功耗、小面积的CMOS电压基准源。这个带隙基准可以灵活运用于极低功耗的SoC系统中。这个电路的电源电流大约为150nA,可以在1.5V~3.3V之间的电源电压下工作,基准源的输出电压的线性度为44.4ppm/V。当电源电压为1.5V,室温下带隙基准电路的输出电压为1.1126V,100Hz频率下的电源抑制比为-66dB,当温度在-20℃与80℃之间变化时,输出电压的温度系数是55ppm/℃。整个带隙基准的芯片面积是0.011mm2。
徐冠南贾晨陈虹张春
关键词:带隙基准低功耗亚阈值SOC
An ultra-low-power 1 kb sub-threshold SRAM in the 180 nm CMOS process
2010年
This paper presents a 1 kb sub-threshold SRAM in the 180 nm CMOS process based on an improved 11T SRAM cell with new structure.Final test results verify the function of the SRAM.The minimal operating voltage of the chip is 350 mV,where the speed is 165 kHz,the leakage power is 42 nW and the dynamic power is about 200 nW. The designed SRAM can be used in ultra-low-power SoC.
刘鸣陈虹张春李长猛王志华
A light-powered sub-threshold microprocessor
2010年
This paper presents an 8-bit sub-threshold microprocessor which can be powered by an integrated photosensitive diode.With a custom designed sub-threshold standard cell library and 1 kbit sub-threshold SRAM design, the leakage power of 58 nW,dynamic power of 385 nW @ 165 kHz,EDP 13 pJ/inst and the operating voltage of 350 mV are achieved.Under a light of about 150 kLux,the microprocessor can run at a rate of up to 500 kHz.The microprocessor can be used for wireless-sensor-network nodes
刘鸣陈虹张春李长猛王志华
A SoC for Pressure Balance Measurement Application in Total Knee Arthroplasty
This paper describes a System-on-Chip(So C) for pressure balance measurement in total knee arthroplasty(TKA). ...
Ke ZHAOHanqing LUOHong CHENMing LIUZhihua WANG
关键词:SOC
共1页<1>
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