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西安市科技计划项目(CXY11241)

作品数:3 被引量:7H指数:1
相关作者:陈文革卓磊辛菲赵珊珊张洋更多>>
相关机构:西安理工大学更多>>
发文基金:西安市科技计划项目更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇压电
  • 2篇氧化硅
  • 2篇流延
  • 2篇流延成型
  • 1篇等离子
  • 1篇等离子喷涂
  • 1篇电性能
  • 1篇压电材料
  • 1篇压电石英
  • 1篇压电陶瓷
  • 1篇压电性
  • 1篇压电性能
  • 1篇熔融
  • 1篇喷涂
  • 1篇喷涂制备
  • 1篇微观结构
  • 1篇离子喷涂
  • 1篇模压
  • 1篇模压成型
  • 1篇纳米

机构

  • 3篇西安理工大学

作者

  • 3篇卓磊
  • 3篇陈文革
  • 2篇张洋
  • 2篇赵珊珊
  • 2篇辛菲
  • 1篇张剑
  • 1篇赵姗姗
  • 1篇王艳丽

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇兵器材料科学...
  • 1篇压电与声光

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
等离子喷涂制备压电石英膜材料及性能分析被引量:1
2012年
采用大气等离子喷涂技术制备SiO2膜压电材料,利用XRD和SEM研究其组织结构,同时对其介电常数ε、介电损耗tanδ、压电常数d33、机械品质因数Q等性能进行测试。结果表明:采用大气等离子喷涂工艺可制备出相结构主要由α-石英和α-方石英共同组成组织较为致密、缺陷较多的SiO2压电膜,压电常数d33和介电常数εr随膜厚度的增加而增加,介电损耗tanδ随膜厚度的增加而减小;介电常数εr、介电损耗tanδ、机械品质因数Q随频率的增加而减小,当SiO2膜厚为5mm,压电常数d33最大值为2.3 pC/N。
张剑陈文革王艳丽赵姗姗卓磊
关键词:等离子喷涂SIO2膜压电材料压电性能
成型方法对纳米二氧化硅陶瓷烧结行为及微观结构的影响被引量:6
2014年
以二氧化硅纳米粉为原料通过流延成型和模压成型两种不同成型方法制备纳米二氧化硅陶瓷,用X射线衍射仪对原料粉和陶瓷进行物相分析,用场发射扫描电子显微镜分析陶瓷微观形貌。结果表明,用流延成型坯体颗粒在1050℃时出现熔融现象并且开始形成晶格不完整的α-方石英相;而模压成型坯体颗粒在950℃时出现非常明显的熔融现象,并晶化生成晶格完整的α-方石英相,说明纳米氧化硅的烧结温度不仅远低于传统烧结温度,而且其晶化反应直接生成α-方石英结构,不会出现α-石英和鳞石英。同时用微晶学说解释了纳米氧化硅烧结过程的相变。
卓磊陈文革张洋赵珊珊辛菲
关键词:二氧化硅流延成型模压成型熔融Α-方石英
流延法制备纳米SiO_2压电陶瓷的结构及性能
2014年
采用流延法使用无定型纳米SiO2原料粉制备SiO2压电陶瓷,XRD和SEM结果表明,烧结温度为850℃和950℃时未发生晶化反应,当烧结温度为1 050℃时生成α-方石英,晶粒尺寸随烧结温度的升高而长大,不同烧结温度下压电常数分别为1.1pC/N,1.2pC/N和1.4pC/N,烧结温度越高介电常数越大,机械品质因数越大,而介电损耗与烧结温度无关。
卓磊陈文革张洋辛菲赵珊珊
关键词:氧化硅压电陶瓷纳米粉流延成型
共1页<1>
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