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西安市科技计划项目(CXY11295)

作品数:5 被引量:18H指数:3
相关作者:高勇杨媛郑松付明晓马浩淼更多>>
相关机构:西安理工大学西安永电电气有限责任公司西安工程大学更多>>
发文基金:西安市科技计划项目国家科技重大专项陕西省科学技术研究发展计划项目更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 2篇IGBT
  • 1篇电机
  • 1篇电流
  • 1篇电流变化
  • 1篇电流变化率
  • 1篇电压
  • 1篇电压变化
  • 1篇电压变化率
  • 1篇英文
  • 1篇振荡
  • 1篇智能功率模块
  • 1篇矢量控制
  • 1篇视觉假体
  • 1篇数模
  • 1篇数模混合
  • 1篇双馈
  • 1篇双馈风力发电
  • 1篇双馈风力发电...
  • 1篇双馈风力发电...
  • 1篇损耗

机构

  • 4篇西安理工大学
  • 2篇西安永电电气...
  • 1篇西安工程大学
  • 1篇陕西师范大学

作者

  • 4篇杨媛
  • 4篇高勇
  • 1篇马浩淼
  • 1篇付明晓
  • 1篇郑松
  • 1篇杨晓菲
  • 1篇吕磊
  • 1篇郭晓东

传媒

  • 2篇电力电子技术
  • 1篇西安理工大学...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇西安工程大学...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 3篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
100A/1200V Si/SiC混合模块对比研究(英文)被引量:7
2015年
采取对比的方法将Si IGBT/Si FRD模块与Si IGBT/SiC SBD模块静态及动态特性进行了测量与分析。测试表明,将Si IGBT模块中Si FRD替换为SiC SBD后开关损耗减小明显,提升效率的同时可大大提高功率模块的工作频率,降低系统体积。为了解释Si IGBT/SiC SBD混合模块开通过程中电流电压振荡现象,本文对模块开通与关断过程中电流的流通路径进行了对比,用以解释产生开通振荡的原因。分析中发现,开通振荡主要来自于模块封装杂散电感与IGBT输出电容及SiC SBD结电容产生的LC谐振。SiC SBD由于结电容较大而导致开通振荡较为明显。因此,为了提高SiC器件系统的可靠性,需要找到一种低电感封装技术,满足SiC器件封装要求。
曹琳王富珍
关键词:开关损耗振荡
视觉假体中微电流刺激驱动电路设计
2012年
本研究针对视神经假体的参数需求设计了电极驱动电路,采用电荷平衡的双向电流作用于微电极来刺激视神经以产生视觉感受。基于TSMC 0.35μm BCD工艺,使用HSPICE软件对设计的电路模块进行了仿真,使用Modelsim和FPGA对设计的数字控制电路进行了仿真及验证。结果表明,所设计电路可以产生64通道的双向刺激电流,电流大小0~1 022μA,分512级可调,脉冲持续时间0~400μs。
杨媛郭晓东杨晓菲吕磊高勇
关键词:视觉假体数模混合
新型高压大功率IPM模块的封装与驱动技术被引量:3
2013年
随着电压与电流密度的不断增加,对IPM模块封装的稳定性与驱动电路的可靠性提出了更高的要求.本文以赛米控(Semikron)公司采用SKiiPR○技术的SKiiP3/4系列IPM为基础,分析了在新型高压大功率IPM封装中为了提高模块热稳定性与温度循环能力所采用的无底板技术、芯片烧结技术、压接技术.论述了大功率IPM中IGBT对栅极驱动电路和各保护机制的要求.针对信号隔离脉冲变压器易磁饱和的特性,运用脉冲调制的办法,使驱动信号可以在较宽占空比范围内通过脉冲变压器传递.设计了为栅极驱动电路提供足够驱动功率的DC/DC全桥变换器.
郑松高勇杨媛
关键词:智能功率模块IGBT
基于内模控制的变速恒频双馈风力发电系统被引量:2
2012年
变速恒频(VSCF)双馈风力发电系统是复杂的非线性、多变量、强耦合系统。为提高系统性能,设计了基于内模控制(IMC)的VSCF双馈风力发电系统的全新控制方法。IMC结构简单,参数单一,能清楚地表明调节参数和闭环响应及鲁棒性关系,从而兼顾快速性和鲁棒性。应用内模原理分别实现了机侧和网侧控制系统耦合量的不同处理,既保证了发电机与电网间的"柔性连接",又能保证输出直流电压恒定且具有良好的动态响应能力。与传统的矢量控制相比,IMC策略具有很好的快速性和准确性。
马浩淼高勇杨媛付明晓
关键词:双馈风力发电机矢量控制内模控制
栅极电阻对IGBT du/dt和di/dt的影响分析被引量:6
2012年
在IGBT关断过程中,过大的du/dt和di/dt将会引起器件的过电流和过电压,从而损坏器件。为了控制IGBT的开关特性,通常在栅极串联电阻,其大小与du/dt和di/dt有直接关系。传统观点通常误认为串联电阻越大,关断过程中du/dt和di/dt越小。针对此问题,基于IGBT器件关断过程的物理机理对栅极串联电阻与du/dt和di/dt的关系进行了分析,认为对于高电压等级的IGBT器件,随着栅极电阻的增大,其di/dt变化趋势反而会增大。通过对不同电压等级的IGBT器件进行测试,发现测试结果与理论分析一致。因此,选取合适的串联电阻对IGBT的安全使用至关重要,否则有可能因为过大的du/dt或di/dt而导致器件失效。
张红卫王富珍高勇杨媛
关键词:晶体管电压变化率电流变化率
共1页<1>
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