上海市教育发展基金(08SG48)
- 作品数：3 被引量：27H指数：2
- 相关作者：朱亦鸣何波涌陈宏彦徐嘉明吴文威更多>>
- 相关机构：上海理工大学上海交通大学东京大学更多>>
- 发文基金：上海市教育委员会创新基金上海市教育发展基金上海市浦江人才计划项目更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信化学工程更多>>
- 飞秒激光烧蚀硅表面产生微纳结构过程中激光脉冲数目的影响被引量：7
- 2011年
- 为了研究飞秒激光脉冲数目与硅表面形貌之间的关系,在相同的SF6气体氛围下,改变照射硅表面的飞秒激光脉冲数,发现在飞秒激光照射下由硅表面形成的微型锥状尖峰的高度与飞秒激光脉冲数呈现一种非线性关系。通过对该关系的研究有利于找出在制造具有较高吸收效率的高微型锥状尖峰的"黑硅"的实验条件,有利于基于"黑硅"材料的光电器件转化效率的提高。
- 阮召崧彭滟朱亦鸣何波涌
- 关键词：光学材料飞秒激光脉冲
- “黑硅”表面特殊锥状尖峰结构的制备及其光学模型仿真被引量：19
- 2011年
- 为了更好地理解＂黑硅＂材料高吸收效率的物理原因,在成功制备了表面具有不同高度的锥状尖峰结构的＂黑硅＂材料基础上,利用扫描电子显微镜（SEM）获得锥状尖峰的几何参数,并根据该参数进行＂黑硅＂表面特殊结构建模,计算出＂黑硅＂材料有效吸收表面积相对于普通平面硅材料的有效吸收表面积增加了20多倍;同时根据表面建模和几何光学的方法在200-2000 nm的光谱范围内进行了反射率仿真,仿真结果与实验测试数据较为接近,从而在理论上验证了该特殊结构的强吸收性是由飞秒激光加工的硅材料有效吸收表面积增加和＂黑硅＂结构的陷光效应而引起的。
- 吴文威徐嘉明陈宏彦
- 关键词：激光技术
- 超低温高电场下GaAs的电子太赫兹功耗谱的研究被引量：1
- 2009年
- 利用自由空间太赫兹电光取样方法,测量了在高电场下,GaAs中受飞秒激光脉冲激发的电子所辐射出的太赫兹电磁波,发现从样品中辐射出的和电子加速度成正比的太赫兹电磁波电场强度ETHz(t),表现出双极特性.通过分析GaAs中辐射出的太赫兹电磁波的傅里叶变换谱,首次实验上得到在阶跃电场下的GaAs的电子太赫兹功耗谱.研究发现,当电场小于50kV/cm时,由电子谷间散射引起的负功耗(即增益)的截止频率νc,随着电场的增大而增大;当电场大于50kV/cm时,负功耗的截止频率νc开始在750GHz(10K)附近饱和.
- 朱亦鸣贾晓轩陈麟张大伟黄元申何波涌庄松林Kaz Hirakawa
- 关键词：太赫兹非平衡载流子
