国家自然科学基金(51277147)
- 作品数：6 被引量：10H指数：2
- 相关作者：李永东王洪广刘纯亮林舒曾博更多>>
- 相关机构：西安交通大学西北核技术研究所教育部更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程机械工程电子电信更多>>
- 半导体断路开关截断过程模拟的缩比模型被引量：4
- 2013年
- 在维持电路参数同比变化和通过半导体断路开关(SOS)的电流密度不变的基础上,提出了一种SOS截断特性模拟的缩比模型,并可在Silvaco ATLAS软件中应用。在以不同的缩比率选取等效SOS横截面积的情况下,将原电路中串联的100个二极管等效为若干个二极管,模拟得到了相同的二极管电流和电压波形。模拟结果表明,该模型不仅可以得到正确的SOS瞬态截断过程,而且可将计算速度提高近百倍。通过对SOS截断过程中载流子分布和电场分布变化过程的分析发现,SOS的截断过程发生在n-n+区。
- 林舒李永东王洪广刘纯亮
- 关键词：半导体断路开关缩比模型
- 微波器件微放电阈值计算的蒙特卡罗方法研究被引量：2
- 2014年
- 为了精准快速地计算微波器件中微放电效应的阈值,在传统蒙特卡罗方法的基础上,提出了三种不同的蒙特卡罗方法,分别对二次电子的初始能量、出射角度和初始相位等参数进行随机,结合四阶龙格-库塔法和Furman模型计算电子的运动轨迹和单次碰撞产生的二次电子发射系数,然后应用不同的方法计算有效二次电子发射系数作为微放电效应的判据.以平板传输线TEM模式为研究对象,采用四种不同的蒙特卡罗方法计算微放电阈值,并与统计模型结果进行对比.结果表明单电子-多碰撞蒙特卡罗方法误差最小,而且稳定性最好.
- 林舒闫杨娇李永东刘纯亮
- 关键词：蒙特卡罗方法
- 半导体断路开关预脉冲产生机理和抑制方法的研究
- 半导体断路开关(SOS)反向快速截断过程中的预脉冲现象,严重影响了脉冲输出特性。本文采用Silvaco Atlas仿真软件,对预脉冲产生过程中器件内部的载流子运动和电场变化过程进行了分析,并在此基础上详细阐释了SOS预脉...
- 郝勇； 李永东； 林舒； 丁臻捷； 方旭；
- 关键词：半导体断路开关脉冲功率预脉冲
- 文献传递
- 均匀场中负流注放电形成过程粒子模拟被引量：4
- 2014年
- 为研究均匀场中负流注放电的形成过程,采用粒子模拟方法对平行平板间隙中均匀场作用下高电压流注放电通道的形成和发展进行模拟,获取流注形成发展过程的瞬态物理图像和流注通道中心场强的变化图像。模拟结果表明:电子崩向阳极发展过程中,头部呈辐射状发展,尾部细长,电子集中在电子崩头部,当电子崩转变为流注后,流注通道中形成非平衡等离子体,通道头部和尾部局部场强增大,流注头部存在高能电子;在流注通道内的电子数密度分布图中观察到流注通道存在明显的分叉现象,不同气压和场强下通道分叉现象存在差异;场强一定时,流注发展速度受气压影响较小;气压一定时,随着场强增大,高能电子出现时间缩短,流注发展速度明显提高,通道中电子数密度显著增大,电离程度加深。
- 李永东蒋铭曾博
- 关键词：高电压高能电子
- GaAs PIN二极管电热特性
- 2014年
- 通过T-CAD软件建立了PIN二极管的电学模型和热学模型,模拟了PIN二极管的稳态与瞬态特性。研究了PIN二极管器件在正反偏压和脉冲电压下的电学特性及热学特性,讨论了PIN二极管的I层厚度与温度的关系,模拟得到了不同I层厚度的稳态与瞬态响应曲线、得到了与器件内部温度的关系。模拟结果表明:随着I层厚度的增加,器件内部最高温度增长减慢,器件内部最高温度区由结区位置向器件的中间位置移动。
- 戚玉佳李永东周家乐王洪广李平刘纯亮
- 关键词：PIN二极管电热特性脉冲电压
- 高功率真空电子器件中击穿现象的粒子模拟
- 随着功率的不断提高,高功率真空电子器件中的击穿成为一个瓶颈问题。粒子模拟是真空电子器件研究的重要方法,本文给出击穿相关的二次电子发射、场发射、表面等离子体形成和扩散以及气体放电等击穿物理机制的建模方法,并给出大功率微波器...
- 李永东李姝敏李钰莹王新波王洪广刘纯亮
- 关键词：高功率真空电子器件击穿
- 文献传递
- 半导体断路开关输出预脉冲的产生机理及其参数影响规律
- 2018年
- 半导体断路开关的输出电压中的预脉冲现象,严重影响了整个系统的输出脉冲前沿陡度和重复频率。针对半导体断路开关在反向截断过程中预脉冲产生的过程和机理进行了研究。利用Silvaco Atlas仿真软件对半导体断路开关正反向泵浦过程中载流子的迁移和电场的变化过程进行了详细考察,发现预脉冲的产生是由双边截断过程中N-N^+结截断所引起的脉冲前沿变缓现象,其长短主要取决于P型轻掺杂区内的少子电子的迁移率,而脉冲前沿的陡度则取决于双边截断过程中的PN结截断过程。同时,对具有不同基区长度的器件,对其在不同泵浦电流密度下的情况进行了模拟和对比,发现器件基区越窄,脉冲前沿越陡,而预脉冲基本相等;低电流密度条件下只发生N-N^+结单边截断,大电流密度条件下则发生双边截断,而双边截断的延迟更长,但脉冲前沿拐点更陡,截断更快。
- 郝勇李永东丁臻捷王洪广方旭
- 关键词：半导体断路开关预脉冲脉冲前沿迁移率
- 半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律被引量：2
- 2014年
- 采用Silvaco TCAD软件,对P+-P-N-N+SOS结构输出脉冲宽度的参数影响规律进行了一维数值模拟研究,包括N+区扩散深度、有效横截面积、外电路参数等。模拟结果表明:随着N+区扩散深度、有效横截面积的增加和外电路电阻的增大,输出脉冲的宽度减小。通过参数优化,获得了脉宽约为4 ns的输出脉冲。
- 王古森王洪广戚玉佳李永东
- 关键词：半导体断路开关数值模拟脉冲宽度
