天津市应用基础与前沿技术研究计划(07JCYBJC04000)
- 作品数：5 被引量：19H指数：4
- 相关作者：侯国付赵颖耿新华郁操孙建更多>>
- 相关机构：南开大学河北工业大学天津大学更多>>
- 发文基金：天津市应用基础与前沿技术研究计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学更多>>
- 直流磁控溅射工艺参数对β-FeSi_2薄膜性能的影响被引量：3
- 2010年
- 采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,经过后续Ar气氛围退火,在单晶Si(111)衬底上生长β-FeSi2薄膜。研究了溅射功率、工作气压、Ar气流量、沉积时间等工艺参数对β-FeSi2薄膜结构特性及电学特性的影响,通过Raman、Hall、X射线衍射(XRD)等测试对其性能进行表征,对工艺参数进行了优化,在溅射功率为80W、工作气压为1.3Pa和Ar气流量为35SCCM时溅射沉积Fe-Si薄膜,不仅可以得到单一相的β-FeSi2,而且薄膜结晶质量较好。最终,在上述实验条件下制备得到的未掺杂的β-FeSi2薄膜是n型导电的,β-FeSi2薄膜中载流子浓度约为3.3×1016cm-3,迁移率为381cm2/Vs。
- 刘芳侯国付郁操孙建杨瑞霞赵颖
- 关键词：直流磁控溅射工艺参数
- 高速沉积本征微晶硅的优化及其在太阳电池中的应用被引量：4
- 2009年
- 采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术高速(沉积速率约为1.2nm/s)沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,并通过Raman谱和XRD谱的测试,研究了高速沉积时本征微晶硅薄膜的微结构演变特性及其对电池性能的影响.针对其微结构特性及高速沉积本身存在的离子轰击作用强的特点,提出了在沉积微晶硅薄膜过程中采用功率梯度的方法,达到有效地控制薄膜微结构变化的目的,并在一定功率梯度范围内降低了电子温度,提高了薄膜质量,从而使电池效率明显提高.最后在沉积速率为1.2nm/s时,制备得到光电转换效率为9.36%的单结微晶硅太阳电池,将其应用到叠层电池中制备得到效率为11.14%的非晶硅/微晶硅叠层电池.
- 韩晓艳侯国付魏长春张晓丹戴志华李贵君孙建陈新亮张德坤薛俊明赵颖耿新华
- 关键词：微晶硅薄膜
- 直流磁控溅射法制备新型窄带隙光伏材料β-FeSi2研究
- 本实验采用室温对靶直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火,在单晶Si(100)上生长β-FeSi薄膜。主要研究了退火时间、升温速率和退火温度等因素对材料结构和电学特性的影响,结果表明:退火温度和时间的控制...
- 郁操侯国付薛俊明孙健赵颖耿新华
- 关键词：直流磁控溅射
- 文献传递
- 退火温度和β-FeSi2薄膜厚度对n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池的影响被引量：10
- 2009年
- 本文采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并通过后续退火温度的优化得到了单一相高质量的β-FeSi2薄膜。结果表明,在本实验条件下得到的未掺杂的β-FeSi2薄膜在室温下是n型导电的,其电学特性存在一个退火温度的最优点:800℃。而且在这个最佳温度点上,在Si(111)衬底上外延得到的薄膜载流子迁移率比在Si(100)上高出了一倍多。在上述研究的基础上,采用p-Si(111)单晶片作为外延生长β-FeSi2薄膜的衬底,并通过退火温度和薄膜厚度的优化制备出了国内第一个n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池,其Jsc=7.90 mA/cm2,Voc=0.21V,FF=0.23,η=0.38%。
- 郁操侯国付刘芳孙建赵颖耿新华
- 关键词：直流磁控溅射退火温度异质结太阳电池
- 新型薄膜窄带隙光伏材料β-FeSi_2的研究进展被引量：9
- 2009年
- 环境友好半导体薄膜材料β-FeSi_2具有0.85 eV的直接带隙结构、吸收系数大、对太阳光谱利用范围宽、原材料丰富、稳定性好等优点,被认为是一种非常有前途的窄带隙光伏材料。介绍了β-FeSi_2薄膜基本结构及其光电特性,分析了国内外关于β-FeSi_2薄膜光伏材料和器件的研究现状,指出了目前该领域研究中存在的问题和发展趋势,给出了在这方面取得的初步研究结果。
- 侯国付
- 关键词：太阳电池光伏材料异质结
- 直流磁控溅射法制备单一相高质量β-FeSi_2薄膜被引量：4
- 2009年
- 报道了在单晶Si(100)衬底上,采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火来制备β-FeSi_2薄膜的结果。主要研究了退火时间、退火温度等实验条件对样品结构特性、光学特性和电学特性的影响,制备出了单一相高质量的β-FeSi_2薄膜。霍尔测试表明未掺杂薄膜是P型导电的,载流子浓度5.747×10^(16)cm^(-3),空穴迁移率168cm^2/Vs。由反射-透射法得到薄膜的禁带宽度为0.879eV,吸收系数在光子能量为1.0eV时达到了1.42×10~5cm^(-1)。基于以上优异的光电性能,β-FeSi_2薄膜可望用作太阳电池的有源层。
- 侯国付郁操赵颖耿新华
- 关键词：直流磁控溅射太阳电池
