国家高技术研究发展计划(2012AA03A207)
- 作品数：6 被引量：19H指数：3
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- 相关机构：中南大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划创新研究群体科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺医药卫生更多>>
- Cu-Ti合金中Ti含量对C/C复合材料润湿性能的影响被引量：7
- 2013年
- 利用超高温接触角测量仪、光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪研究Tj含量对Cu-Ti合金与C／C复合材料润湿性的影响。结果表明，随下i含量增加，Cu—Ti合金对C／C的接触角逐渐降低。当Ti的质量分数为4．8％时，接触角降低到90°以下，Cu-Ti合金与C／C复合材料部分润湿；当Ti的质量分数为8％时接触角降为0°，Cu—Ti合金与C／C复合材料完全润湿。润湿界面形貌与Ti含量相关，当Ti含量为8％时，界面出现宽大的层状剪切裂纹；当Ti含量为12％时，界面致密无裂纹，Cu—Ti合金能较好地渗入C／C复合材料中的孔隙；当Ti含量为16％时，界面出现数量较多的细小裂纹，Cu—Ti合金熔体中的钛元素向界面扩散形成富钛层，并与C／C复合材料中的碳元素反应生成厚度为3～5gm的连续TiC层，该TiC层可改善合金对C／C复合材料的润湿性能。
- 于奇张福勤张小英夏莉红周显光
- 关键词：铜基合金润湿性能
- 化学气相渗透法制备炭/炭复合材料的显微结构和力学性能研究被引量：5
- 2014年
- 以天然气为碳源,氢气为载气,采用等温化学气相渗透工艺对预制体初始密度为0.5 g/cm3(纤维体积分数为28%)的针刺整体毡进行致密化,在70 h内制备出表观密度为1.76 g/cm3的炭/炭复合材料。采用压汞法对复合材料的开孔孔径分布进行了分析,用偏光显微镜和扫描电镜观察了基体的微观组织,分析了三点抗弯试样的断口形貌。结果表明,复合材料中的开孔以小于40μm的微孔为主,基体热解炭几乎全部由粗糙层热解炭组成,仅在化学气相渗透的初始阶段在炭纤维的表面形成了很薄的一层各向同性热解炭,复合材料的抗弯强度达到210 MPa。
- 黄群陈腾飞刘磊马艺林何平鸽
- 关键词：炭复合材料化学气相渗透显微结构孔径分布力学性能
- 再增密对机械加工后的C/C复合材料力学性能与生物相容性的影响被引量：2
- 2014年
- 采用化学气相渗透工艺对机械加工后的C/C复合材料进行再增密,对比研究再增密前后材料的力学性能、表面形貌和生物相容性。结果表明:经过再增密,材料的抗弯强度和抗压强度分别提高8%和51%,分别达到269.8 MPa和317.5 MPa,弯曲模量和压缩模量均接近人骨模量;材料表面粗糙度(Ra)由3.30μm下降到2.51μm,表面形貌由粗糙疏松状转变成光滑密实结构;细胞培养结果表明经再增密处理的C/C复合材料具有良好的细胞相容性。
- 马艺林朱东波陈腾飞吴松凌江红黄群何平鸽周科朝
- 关键词：C/C复合材料力学性能表面粗糙度生物相容性
- 碳化硅晶须对C/C复合材料表面SiC涂层的影响被引量：1
- 2012年
- 以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法(CVD)在C/C复合材料表面原位生长碳化硅晶须(SiCw)及制备SiC涂层,研究SiCw对SiC涂层微观形貌,织构及力学性能的影响。结果表明:SiCw不仅可促成SiC等轴颗粒的细化、生长完善,裂纹宽度减小、偏转明显,而且可使涂层的织构发生改变;同时,大量的空洞在SiCw处形成,使得内层SiC涂层硬度低于外层,从而导致整个SiC涂层的硬度和弹性模量降低。
- 谭周建李军张翔李丙菊褚胜林廖寄乔
- 关键词：碳化硅晶须C/C复合材料SIC涂层力学性能
- C/C复合材料表面原位生长SiC_w的工艺被引量：2
- 2012年
- 以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法在C/C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须,研究稀释气体流量、催化剂以及沉积温度对碳化硅晶须生长的影响。结果表明:有催化剂存在时可以制备具有较高长径比的SiCw,无催化剂制备的SiC主要以短棒状或球状SiC为主;随着稀释气体流量或者沉积温度的增加,SiCw的产率是先增加、后减少,在1 100℃、载气和稀释气体流量均为100 mL/min时,制备的碳化硅晶须的产率最高,晶须质量最好。
- 李军谭周建廖寄乔张翔李丙菊
- 关键词：碳化硅晶须C/C复合材料沉积温度
- 连接温度对C/C复合材料及Cu连接接头残余应力的影响被引量：3
- 2012年
- 采用热弹塑性有限元数值模拟方法,研究了连接温度对C/C复合材料与Cu平面对接接头残余应力的影响。结果表明:最大拉应力的分布具有方向性,在连接界面法线方向上,最大拉应力出现在靠近接头界面的C/C复合材料侧,位于连接件的棱边上;在平行连接界面方向上,最大拉应力出现在靠近接头界面的Cu侧表面。最大剪切应力位于接头界面处。随着连接温度的升高,接头残余应力峰值逐渐增大,但接头残余应力的分布形态相似。对于连接界面尺寸为4 mm×4 mm的接头,在连接温度为1 000℃时,离接头界面1.2 mm的C/C复合材料侧最容易发生断裂。
- 张小英张福勤夏莉红于奇
- 关键词：C/C复合材料CU连接温度残余应力
