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安徽省高等学校优秀青年人才基金(2010SQRL130)
作品数:
2
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H指数:1
相关作者:
许雪艳
马慧
印建平
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安徽省高等学校优秀青年人才基金
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极性冷分子的静电囚禁原理及方案简介
2010年
本文首先简单介绍了极性分子的静电囚禁原理,然后对目前存在的冷分子的静电囚禁方案进行了简单的介绍。
许雪艳
芯片表面上极性冷分子的静电囚禁
被引量:1
2011年
提出了采用芯片表面上方形载荷导线框产生的静电场实现极性冷分子芯片表面囚禁的新方案,计算了方形载荷导线框周围的电场分布,分析了囚禁中心位置和导线框几何参数之间的依赖关系,并研究了过囚禁中心在x和z方向的电场强度和其对应的CO分子的Stark囚禁势与几何参数之间的关系。研究表明,对于CO分子,该方案的有效势阱深度可达130 mK,这足以囚禁温度约为50 mK处于弱场搜寻态的极性冷分子。显然,这样的静电表面势阱在分子光学和分子芯片、量子光学、量子计算和量子信息处理等领域中都有重要的应用。
马慧
许雪艳
印建平
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