辽宁省科学技术基金(20022133)
- 作品数：8 被引量：27H指数：4
- 相关作者：胡礼中王志俊赵杰王兆阳张贺秋更多>>
- 相关机构：大连理工大学中国科学院更多>>
- 发文基金：辽宁省科学技术基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的光学和电学特性的影响被引量：5
- 2007年
- 利用脉冲激光沉积法(PLD)在c面蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜并对其进行了X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、光致发光(PL)谱和霍尔(Hall)测试。RHEED和XRD分析表明,温度在350℃至550℃之间时,ZnO薄膜的结晶质量随着衬底温度的升高而提高,当衬底温度进一步升高后,ZnO薄膜的结晶质量开始下降。四个样品中,衬底温度为550℃的样品具有最清晰的规则点状RHEED图像和半高宽最窄的(0002)衍射峰。PL谱和Hall测量的结果表明,衬底温度为550℃的样品还具有最好的发光性质和最大的霍尔迁移率。
- 赵子文胡礼中张贺秋孙景昌刘维峰骆英民霍炳至
- 关键词：ZNO薄膜脉冲激光沉积衬底温度
- 脉冲激光沉积方法制备ZnO薄膜生长参量对发光特性的影响被引量：6
- 2005年
- 用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。以325 nm He-Cd激光器为光源对薄膜进行了荧光光谱分析,用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别对薄膜的结构和形貌进行了分析。脉冲激光沉积方法的主要生长参量为氧压、激光重复频率、生长温度和激光能量。通过控制这些参量变量,研究了这些参量对ZnO薄膜发光特性的影响,得到了用于紫外发光的ZnO薄膜生长的优化条件:发现在温度为650℃左右、氧压50 Pa左右、频率5 Hz左右的范围内能得到半峰全宽较窄,强度较大的紫外发光峰。分析认为紫外峰主要是由激子辐射复合发光形成的,绿光带主要和OZn的存在密切相关,氧空位是蓝光发射的重要原因。
- 王兆阳胡礼中赵杰孙捷王志俊
- 关键词：光学材料脉冲激光沉积ZNO薄膜
- PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究被引量：5
- 2005年
- 用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降。相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,说明它们都是外延生长的高质量ZnO薄膜。XRD与室温PL谱分析表明,外延ZnO薄膜的质量随衬底温度的升高得到明显的改善。在650℃生长的样品具有最好的结构和发光特性,其(002)衍射峰的半高宽为0.185°,UV峰的半高宽仅为86meV。
- 赵杰胡礼中王兆阳李银丽王志俊张贺秋赵宇
- 关键词：ZNO薄膜X射线衍射光致发光
- 热氧化法制备ZnO薄膜及其特性研究被引量：5
- 2005年
- 用热氧化金属Zn膜的方法在Si(111)衬底上制备ZnO薄膜.X射线衍射结果表明,500℃氧化的样品的结晶性能最好.随氧化温度的升高,薄膜内的应力方向在450～500℃之间发生转变,从沿c轴的张应力变为压应力.500℃氧化的样品的室温光致发光(PL)谱中,紫外峰的半高宽为94.8 meV,其强度与深能级发射强度之比高达162.氧化温度超过700℃后,样品的PL谱以深能级发射为主,对此现象产生的原因进行了讨论.
- 赵杰胡礼中王兆阳王志俊赵宇梁秀萍
- 关键词：半导体材料ZNO薄膜热氧化X射线衍射光致发光
- 热氧化法与PLD方法制备ZnO薄膜的特性比较被引量：3
- 2005年
- 用热氧化与脉冲激光沉积(PLD)两种方法在Si(111)上制备了ZnO薄膜。对两种方法制备的薄膜的形貌、结构和室温下的荧光光谱作了比较,并对ZnO薄膜紫外光(UV)的发射机理作了初步的分析,发现与PLD方法相比,热氧化法制备的ZnO薄膜所产生的紫外光发射强度(17816任意相对强度单位a.u.)、半高宽(10nm)和紫外光与可见光的强度比(大约200∶1),都非常优异,认为热氧化法制备的ZnO薄膜的树枝状微晶界面及其方向的随机性有利于紫外光的发射和观测,而PLD方法制备的ZnO薄膜是垂直于衬底的六角柱状结构,紫外光最强的方向在垂直于侧面的方向上。
- 王兆阳赵杰胡礼中王志俊张贺秋
- 关键词：热氧化法
- PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究
- 2006年
- 用PLD方法在S i(1 1 1)衬底上制备了ZnO薄膜.在薄膜的沉积过程中,用安装在激光脉冲沉积设备上的反射高能电子衍射仪(RHEED)对薄膜的生长进行了原位监测.结合薄膜的X射线衍射(XRD)分析和荧光光谱(PL)分析,发现达到或者超过650°C时生长的薄膜,结构和光学特性得到了显著的改善.
- 王兆阳胡礼中赵杰孙捷王志俊
- 关键词：ZNO薄膜荧光光谱
- 选择液相外延法制备GaAs SNOM微探尖被引量：3
- 2005年
- 使用GaAs(001)衬底模拟垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片表面,采用选择液相外延技术在其上面制备了用于超高密度光存储的扫描近场光学显微术GaAs微探尖阵列,并用扫描电子显微镜对微探尖阵列进行了表征.结果表明,在合适的条件下,微探尖呈金字塔状,并且有着较好的分布周期性.这对解决微探尖与VCSEL出光窗口的对准问题、批量制备问题和实现多探尖并行扫描具有实际应用价值.
- 张红治胡礼中孙晓娟王志俊梁秀萍
- 透射电子显微镜对接膜样品的制作
- 2006年
- 在透射电子显微镜(TEM)样品制作中,对接膜样品制作最为复杂,同时得到的薄膜信息也非常多,是进行材料研究的一个非常有用的观测方法。并介绍了这种样品的制作过程和样品的测试分析情况。
- 王兆阳张贺秋胡礼中赵杰王志俊
- 关键词：透射电子显微镜选区电子衍射
