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河北省自然科学基金(E2008000396)

作品数:5 被引量:10H指数:2
相关作者:张淑会吕庆薛向欣康志强黄大威更多>>
相关机构:东北大学河北理工大学更多>>
发文基金:河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇化学工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇铁尾矿
  • 3篇尾矿
  • 3篇SI3N4
  • 2篇氮化
  • 2篇导电性能
  • 2篇碳热还原
  • 2篇碳热还原氮化
  • 2篇陶瓷
  • 2篇热还原
  • 2篇复相
  • 2篇复相陶瓷
  • 2篇SI
  • 2篇TIN
  • 1篇电加工
  • 1篇制备SIC
  • 1篇数对
  • 1篇显微结构
  • 1篇相组成
  • 1篇力学性能
  • 1篇工艺参

机构

  • 5篇东北大学
  • 5篇河北理工大学

作者

  • 5篇薛向欣
  • 5篇吕庆
  • 5篇张淑会
  • 4篇康志强
  • 2篇黄大威
  • 2篇陈红建

传媒

  • 2篇功能材料
  • 1篇钢铁
  • 1篇材料导报
  • 1篇过程工程学报

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
TiN/Si3N4复相导电陶瓷的制备及其性能
2011年
以铁尾矿为主要原料经碳热还原氮化制成的Si3N4粉和高钛渣作为原料,常压烧结制备了TiN/Si3N4复相导电陶瓷。利用XRD对其相组成进行了表征,研究了初始原料中TiO2加入量对材料致密度、力学性能和导电性能的影响。结果表明,烧结产物主要由Si3N4和TiN组成,随初始原料中TiO2加入量的增加,烧结产物中TiN相含量增加;初始原料中TiO2加入量为25%(质量分数)时烧结试样的体积密度为3.32g/cm3,硬度为8.97GPa,抗弯强度为79MPa。最少需加入20%左右的TiO2,材料中的TiN才能形成导电网络,此时材料的电阻率为4.25×10-2Ω.cm。
张淑会康志强吕庆薛向欣陈红建
关键词:力学性能导电性能
工艺参数对铁尾矿合成Si3N4粉的影响
2009年
以铁尾矿和碳黑为原料,采用碳热还原氮化法合成Si3N4粉。利用X射线衍射法测定产物相组成及相对含量,研究了合成温度和恒温时间对反应过程的影响。结果表明,合成温度对碳热氮化合成Si3N4粉的影响显著,随合成温度的升高,产物中Si3N4相含量增加,1450℃时Si3N4相含量最高,是最佳的合成温度。恒温时间对产物相组成的影响不大,但适当延长恒温时间可使还原氮化反应进行得更充分,恒温8h时产物中Si3N4含量最高,是较理想的恒温时间。合成过程中SiO的挥发导致试样较大的质量损失,且随恒温时间的延长而增大。
张淑会康志强吕庆薛向欣
关键词:碳热还原氮化SI3N4工艺参数
利用铁尾矿制备SiC-Y3Al5O12复相陶瓷被引量:7
2008年
以铁尾矿合成的SiC粉为原料,Y2O3和Al2O3为烧结助剂,常压烧结制备SiC-Y3Al5O12(YAG)复相陶瓷。通过X射线衍射及扫描电镜等测定材料的相组成和显微结构,并分析烧结物的致密化过程,研究其结构和力学性能。结果表明:制备材料适宜的烧结温度为1800~1850℃。烧成产物主要物相为SiC,其余为YAG和少量FexSiy随烧结温度的升高,Y2O3和Al2O3生成的YAG相逐渐增加且稳定存在。细小的YAG颗粒弥散在基体周围,并逐渐增多聚集把短柱状SiC晶粒粘结在一起起到促进烧结的作用。随烧结温度的升高,材料的显气孔率降低,而体积密度、硬度和抗压强度均增加。
张淑会薛向欣吕庆黄大威
关键词:铁尾矿常压烧结相组成显微结构
Si_3N_4/TiN复相陶瓷常温导电性研究被引量:3
2010年
分析了以高硅铁尾矿合成的Si3N4粉和高钛渣为原料常压烧结制备的Si3N4/TiN复相陶瓷的常温导电性,并对其进行放电加工。研究结果表明,初始原料中20%(质量分数)左右的TiO2加入量是决定材料中TiN能否形成导电网络的最低TiO2加入量,此时材料的电阻率为4.25×10-2Ω.cm。烧结温度升高,材料的电阻率略有降低。随放电加工速度的增加,加工表面的粗糙度明显增加。
张淑会康志强吕庆薛向欣陈红建
关键词:复相陶瓷导电性能放电加工
利用铁尾矿合成Si_3N_4粉
2008年
在热力学分析的基础上,以铁尾矿为主要原料,采用碳热还原氮化法合成了Si3N4粉.研究了合成温度和N2流量对反应过程的影响,利用X射线衍射法、扫描电镜等检测了产物的组成及显微结构.结果表明,随着合成温度的升高,产物中Si3N4相增多,1450℃时Si3N4相最多,且晶粒多呈等轴柱状或短棒状,此温度是最佳的合成温度.N2流量增加有利于还原氮化反应进行,600mL/min较适宜.合成过程中SiO气体的挥发导致试样质量损失较大.
张淑会康志强吕庆薛向欣黄大威
关键词:碳热还原氮化SI3N4合成温度
共1页<1>
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