中国博士后科学基金(2005037302)
- 作品数：2 被引量：7H指数：2
- 相关作者：陈维德许振嘉宋淑芳徐叙瑢更多>>
- 相关机构：中国科学院北京交通大学更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究被引量：5
- 2006年
- 利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0·270eV处有一个深能级;GaN注入Er经900℃,30min退火后的样品出现了四个深能级,能级位置位于导带下0·300eV,0·188eV,0·600eV和0·410eV;GaN注入Pr经1050℃,30min退火后的样品同样出现了四个深能级,能级位置位于导带下0·280eV,0·190eV,0·610eV和0·390eV;对每一个深能级的来源进行了讨论.光谱研究表明,掺Er的GaN样品经900℃,30min退火后,可以观察到Er的1538nm处的发光,而且对能量输运和发光过程进行了讨论.
- 宋淑芳陈维德许振嘉徐叙
- 关键词：GANERPR深能级
- 掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究被引量：2
- 2007年
- 利用Raman散射谱研究了GaN注Er以及Er+O共注样品的振动模,并讨论了共注入O对Er离子发光的影响.在Raman散射谱中,对于注Er的GaN样品出现了300cm-1和670cm-1两个新的Raman峰,而对于Er+O共注样品,除了上述两个峰外,在360cm-1处出现了另外一个新的峰,其中300cm-1峰可以用disorder-activated Raman scattering(DARS)来解释,670cm-1峰是由于与N空位相关的缺陷引起的,而360cm-1峰是由O注入引起的缺陷络合物产生的.由于360cm-1模的缺陷出现,从而导致Er+O共注入GaN薄膜红外光致发光(PL)强度的下降.
- 宋淑芳陈维德许振嘉徐叙瑢
- 关键词：ERRAMAN光致发光
