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国家自然科学基金(21276220)

作品数：14 被引量：38H指数：3
相关作者：关荣锋申倩倩贾虎生薛晋波孙倩更多>>
相关机构：盐城工学院河南理工大学太原理工大学更多>>
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相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 14篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 4篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程

主题

  • 3篇电池
  • 3篇纳米
  • 3篇催化
  • 2篇电化学
  • 2篇电化学性能
  • 2篇异质结
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇硫化
  • 2篇化学性能
  • 2篇溅射
  • 2篇光催化
  • 2篇光电化学
  • 2篇光电化学性能
  • 2篇白光
  • 2篇白光LED
  • 2篇CDSE
  • 2篇掺杂
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 2篇TIO2

机构

  • 7篇盐城工学院
  • 6篇河南理工大学
  • 4篇太原理工大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中海油太原贵...

作者

  • 8篇关荣锋
  • 3篇薛晋波
  • 3篇贾虎生
  • 3篇申倩倩
  • 2篇孙倩
  • 1篇赵斌
  • 1篇许并社
  • 1篇宋娟
  • 1篇王晓雪
  • 1篇张爱琴
  • 1篇许宁
  • 1篇刘欣
  • 1篇胡兰青
  • 1篇张大峰
  • 1篇张金鹏
  • 1篇李勤勤
  • 1篇袁海滨
  • 1篇钱凯

传媒

  • 2篇化工新型材料
  • 1篇太原理工大学...
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇润滑与密封
  • 1篇功能材料
  • 1篇发光学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇材料工程
  • 1篇贵金属
  • 1篇电子与封装
  • 1篇纳米科技
  • 1篇Optoel...
  • 1篇Nano R...

年份

  • 1篇2022
  • 4篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2013
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
磁控溅射与硫化热处理制备β-In2S3薄膜
2015年
采用磁控溅射预制In薄膜和硫化热处理工艺制备了性能优良的β一In2S3薄膜,应用XRD、拉曼光谱仪及UV一Vis测试对薄膜的品质进行了分析,并测试了薄膜的光学与电学性能, 结果表明,溅射功率对薄膜的结晶性能影响较大,比较合适的溅射功率为100W和140W.此外,硫化热处理温度对薄膜的品质影响也很大,比较合适的热处理温度范围为450.相比之下,溅射气体压强对薄膜品质的影响小一些,溅射气体压强可选择在04一0.6Pa.光学与电学性能测试结果指出,得到的β一In2S3薄膜品质较好,光谱透过率高,属n型半导体,可用于太阳能电池缓冲层.
关荣锋王晓雪
关键词：薄膜太阳能电池磁控溅射硫化
磁控溅射与硫化热处理制备β-In_2S_3薄膜及光电性能
2015年
采用磁控溅射预制In薄膜和硫化热处理工艺制备了性能优良的β-In2S3 薄膜.应用XRD、拉曼光谱仪及UV-Vis测试仪对薄膜的品质进行了分析,并测试了薄膜的光学与电学性能.结果表明,溅射功率和硫化热处理温度是影响薄膜品质的主要因素,比较合适的溅射功率为100-140W,硫化热处理温度为450℃,过高的热处理温度容易在薄膜中形成缺陷,在薄膜生长过程中容易产生In5S4 杂相,相比之下,溅射气体压强对薄膜品质的影响较小,溅射气体压强可选择在0.4-0.6Pa.光学与电学性能测试结果指出,得到的β-In2S3 薄膜具有良好的光谱透过率,属n型半导体,可用于太阳能电池缓冲层.
关荣锋尤亚军
关键词：薄膜太阳电池磁控溅射硫化
Hierarchically porous carbon foams for electric double layer capacitors被引量：4
2016年
对便携式的电子设备的成长要求意味着力量采购的那个无足轻重的人逐渐地被寻求在以后。电的双层电容器(EDLC ) 正在答应候选人因为使用尽最大努力由于他们的高力量密度和突出的控告 / 解除骑车稳定性采购原料。三维(3D ) 自食其力基于碳的材料广泛地在小 EDLC 为使用被学习了。然而，为 3D 碳电极的主要挑战是在他们的内部空格的有限离子散开率。探讨这限制，为内部离子散开提供另外的隧道的层次地多孔的 3D 结构被建议了。此处，我们为 ultralight 的合成报导一个新化学方法(9.92 mg/cm 3) 3D 面对钾碳酸盐包含连接 glutaraldehydecross 的 chitosan aerogel 的碳化的多孔的碳泡沫(PCF ) 。电子显微镜学图象表明碳泡沫是包含一致地驱散的 macropores 的碳表的一个互连的网络。另外， Brunauer-Emmett-Teller 大小证实层次地多孔的结构。PCF 电极能完成的电气化学的数据表演当当前的密度从 0.5 ～ 100 A/g 被增加时，在 0.5 A/g 的当前的密度的 246.5 F/g 的一个突出的 gravimetric 电容，和 67.5% 的显著电容保留被观察。伪固态的对称的 supercapacitor 经由二的汇编被制作新 PCF 并且被发现交付一超离频在 2.8 Wh/kg 的精力密度的 25 kW/kg 的力量密度。这研究与高电容的性能表明 ultralight 和层次地多孔的碳泡沫的合成。
Feng ZhanTianyu LiuGuihua HouTianyi KouLu YueRongfeng GuanYat Li
关键词：双电层电容器多孔结构便携式电子设备高功率密度
PVA在提高TiO2/CdSe异质结光催化活性与抗光腐蚀性能方面的应用及机理被引量：1
2019年
通过阳极氧化法和电化学沉积制备了TiO2/CdSe异质结膜,并通过旋涂结合后续热处理的方法,在TiO2/CdSe异质结膜上制备适量脱水态的聚乙烯醇(PVA)来提高TiO2/CdSe异质结抗光腐蚀性能。采用XRD,SEM,FTIR,UV-Vis,PL,电化学测试,光催化降解罗丹明B等方法对样品的晶体结构、微观形貌、光电化学性能、光催化性能等进行了表征,并通过测定光降解体系中Cd2+的浓度,研究了纳米复合材料的抗光腐蚀性能。结果表明,与TiO2/CdSe相比,TiO2/CdSe/PVA纳米复合材料不仅具有更好的可见光光催化活性,还具有良好的可见光光催化稳定性和抗光腐蚀性能。同时,PVA的存在对光催化反应中的二次污染物Cd2+也有抑制作用。
王羿申倩倩关荣锋赵斌赵斌薛晋波贾虎生
关键词：PVA光催化
铈和铂掺杂钙钛矿催化剂的第一性原理研究被引量：2
2019年
用醇盐法制备了铈和铂元素掺杂的钙钛矿催化材料。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对材料进行了表征。结果表明,催化材料颗粒均匀,直径约30 nm,以钙钛矿(CaTiO3)和烧绿石(Ca2Ti2O6)共存,铈和铂元素分散均匀并形成掺杂的固溶体结构。构建了Pt(111)和铂铈原子替代钛原子的钙钛矿掺杂模型,并采用基于密度泛函理论的第一性原理对CaTixPtyCezO3材料的形成能、态密度和吸附性能进行了对比研究。结果表明,CaTi0.9Pt0.05Ce0.05O3对NH3的吸附能与Pt(111)最接近,掺杂使体系吸附能降低,有利于氨氧化催化的吸附和脱附。
刘欣韩非申倩倩申倩倩
关键词：催化化学铈铂第一性原理计算吸附能
电沉积制备CuInS_2半导体薄膜及其光学性能研究被引量：4
2013年
利用电化学循环伏安法研究了Cu2+、In3+及S2O23-在不同pH条件下的伏安特性,发现以柠檬酸为络合剂,pH=6时几种离子在-0.8 V电位下的电化学还原行为相近,在此基础上采用恒电位法在ITO导电玻璃基底上制备CIS薄膜太阳能电池用的吸收层材料CuInS2半导体薄膜。为提高膜层的结晶度,选取空气、Ar、及Ar+S三种气氛对沉积的膜层进行热处理,SEM、XRD及Raman光谱结果表明,经Ar气氛中硫化热处理才可以得到结晶度好且形貌均匀致密的薄膜。Cu2+/In3+比影响薄膜的结晶生长,结果表明,随着Cu/In比的增大,薄膜以典型的黄铜矿结构为主,当沉积电位为-0.8V且Cu2+/In3+=1.8时基底上得到的高质量CuInS2半导体薄膜的光学带隙是1.55 eV。
孙倩关荣锋张大峰
关键词：半导体薄膜太阳能电池光学带隙
GaN/TiO2-x异质结的制备以及氮化温度对其光电化学性能的影响被引量：1
2019年
采用溶胶凝胶法,以硝酸镓为镓源、二氧化钛纳米粉末为钛源,制备出Ga2O3/TiO2粉末材料。将样品置于不同温度下氮化,得到GaN/TiO2-x粉末。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、荧光分光光度计(PL)、表面光电压谱仪(SPV)、电化学工作站等对样品进行表征和性能测试,研究了氮化温度对样品的物相组成、微观形貌以及光电性能的影响。结果表明,氮化温度越高,Ga2O3被氮化的程度越高,GaN的结晶度越好。700℃下氮化时,TiO2保持原有状态,不发生相变和还原反应;当氮化温度达到750℃时,样品中的TiO2开始逐渐被还原为TiO2-x,且随着温度的升高,二氧化钛被还原的程度增大,TiO2-x量增多;从800℃开始,样品中几乎不含TiO2.紫外-可见光吸收数据显示,700℃氮化的样品吸收范围最大,900℃氮化的样品带隙最窄,而吸光度则大致随着氮化温度的升高而增大。电化学测试结果表明,850℃氮化的样品导电性最好,载流子浓度最高,且分离效率高,在-0.8V(vs.Ag/AgCl)偏压条件下,850℃和800℃氮化的样品瞬态光电流密度最高。
钱凯薛晋波胡兰青
关键词：溶胶凝胶法光电化学性能
Sb_2S_3改性聚合物基复合材料性能的研究被引量：1
2013年
通过热压成型的方法制备含Sb2S3的聚合物基复合材料,研究Sb2S3含量对复合材料物理力学性能、热稳定性及摩擦磨损性能的影响,借助扫描电镜观察复合材料断面结构及磨损表面形貌。研究结果表明:随Sb2S3含量增加,复合材料的硬度逐渐降低,密度和冲击强度呈先增后减的变化趋势;Sb2S3能提高并稳定复合材料的摩擦因数,增加耐磨性。Sb2S3质量分数为2.3%时,复合材料各项性能最佳,其磨损表面以热磨损和磨粒磨损为主。
王占红侯贵华何文平关荣锋
关键词：复合材料酚醛树脂
TiO2纳米管阵列基底退火温度对CdSe/TiO2异质结薄膜光电化学性能的影响被引量：2
2019年
通过电化学沉积法以TiO2纳米管阵列(TNTs)为基底制备CdSe/TiO2异质结薄膜。研究TiO2纳米管阵列基底不同退火温度(200,350,450,600℃)对CdSe/TiO2异质结薄膜光电化学性能的影响。采用SEM,XRD,UV-Vis,电化学测试等方法对样品的微观形貌、晶体结构、光电化学性能等进行表征。结果表明:立方晶型的CdSe纳米颗粒均匀沉积在TiO2纳米管阵列管口及管壁上。TiO2纳米管阵列未经退火及退火温度为200℃时,为无定型态,在TiO2纳米管阵列上沉积的CdSe纳米颗粒数量少,尺寸小,异质结薄膜光电性能较差,光电流几乎为零。随着退火温度升高到350℃,TiO2纳米管阵列基底开始向锐钛矿转变;且沉积在TiO2纳米管上的CdSe颗粒增多,尺寸增大,光电化学性能提高。退火温度为450℃时光电流值达到最大,为4.05mA/cm^2。当退火温度达到600℃时,TiO2纳米管有金红石相出现,CdSe颗粒变小,数量减少,光电化学性能下降。
赵斌张芮境申倩倩王羿薛晋波张爱琴贾虎生
关键词：退火温度光电化学性能相转变
Influence of Mn-doping concentration on the microstructure and magnetic properties of ZnO thin films被引量：1
2016年
The microstructure and magnetic properties of Mn-doped ZnO films with various Mn contents,synthesized by magnetron sputtering at room temperature,are investigated in detail.X-ray diffraction(XRD) measurement results suggest that the doped Mn ions occupy the Zn sites successfully and do not change the crystal structure of the ZnO films.However,the microstructure of the Mn-doped ZnO films apparently changes with increasing the Mn concentration.Arrays of well-aligned nanoscale rods are found in the Mn-doped ZnO films with moderate Mn concentrations.Magnetic measurement results indicate that the ZnO films doped with moderate Mn concentration are ferromagnetic at room temperature.The possible origin of the ferromagnetism in our samples is also explored in detail.
吴兆丰郭磊程鲲张峰关荣锋
关键词：锰掺杂氧化锌薄膜ZNO薄膜MN掺杂
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