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国家部委资助项目(s51308040203)

作品数：2 被引量：11H指数：2
相关作者：宋建军胡辉勇牛玉峰庄奕琪张鹤鸣更多>>
相关机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家部委资助项目更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇应变SI
  • 2篇应变硅
  • 2篇SI1-XG...
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇P

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇胡辉勇
  • 2篇宋建军
  • 1篇戴显英
  • 1篇庄奕琪
  • 1篇宣荣喜
  • 1篇张鹤鸣
  • 1篇牛玉峰

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
第一性原理研究应变Si/(001)Si1-XGeX能带结构被引量：6
2009年
应变SiCMOS技术是当前研究发展的重点,其材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。基于密度泛函理论框架的第一性原理平面波赝势方法对双轴应变Si/(001)Si1-XGeX(X=0.1～0.4)的能带结构进行了研究,结果表明:应变消除了价带带边和导带带边的简并度;应变几乎没有改变电子有效质量,而沿[100]方向空穴有效质量随着Ge组份的增加而显著变小;导带劈裂能、价带劈裂能、禁带宽度与Ge组份X的拟合结果都是线性函数关系。以上结论为Si基应变MOS器件性能增强的研究及导电沟道的应力与晶向设计提供了重要理论依据。
牛玉峰庄奕琪胡辉勇宋建军
关键词：应变硅第一性原理
应变Si／(001)Si1-xGex能带结构模型被引量：5
2009年
应变Si材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明:[001]、[001]方向能谷构成了张应变Si导带带边,其能量值随Ge组分的增加而变小;导带劈裂能与Ge组分成线性关系;价带三个带边能级都随Ge组分的增加而增加,而且Ge组分越高价带带边劈裂能值越大;禁带宽度随着Ge组分的增加而变小。该模型可获得量化的数据,对器件研究设计可提供有价值的参考。
宋建军张鹤鸣戴显英胡辉勇宣荣喜
关键词：应变硅
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共1页<1>
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