河北省教育厅科学技术研究计划(2008308)
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 相关作者：郭宝增刘鑫张锁良樊艳宫娜更多>>
- 相关机构：河北大学唐山学院北京工业大学更多>>
- 发文基金：河北省教育厅科学技术研究计划河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 深亚微米并行CRC32编码芯片的设计和实现
- 2014年
- 在分析CRC编码算法的基础上,从传统的串行编码算法着手,推导出适合高速通信的并行算法,通过FPGA(现场可编程门阵列)验证确保算法代码的逻辑功能正确;采用中芯国际simc18(180nm工艺库)实现了并行CRC32编码芯片的设计.该设计具有编码速度快、占用资源少、低功耗、易于量产等优点.
- 郭宝增吴鹏飞
- 关键词：CRC32COMPILERSOCENCOUNTER
- 温度和工艺参数浮动下双阈值footed多米诺电路的漏电流特性(英文)
- 2008年
- 考虑到温度和工艺参数浮动的影响,对休眠双阈值footed多米诺电路的漏电流特性进行了系统的量化研究和比较,得到了不同温度下的最佳休眠状态.基于65和45nmBSIM4模型的HSPICE仿真表明:与业已提出的CHIL(时钟为高,输入均为低电平)状态和CHIH(时钟和输入均为高电平)状态相比,本文提出的CLIL(时钟和输入均为低电平)状态更有利于减小低温下电路的漏电流和高温下的多扇入电路的漏电流.而且,分析了工艺参数的浮动对双阈值footed多米诺电路的漏电流特性的影响,并给出了温度和工艺参数浮动下,双阈值footed多米诺电路漏电流最小的休眠状态.
- 宫娜汪金辉郭宝增庞娇
- 关键词：双阈值漏电流
- 钎锌矿相GaN电子高场输运特性的Monte Carlo模拟研究被引量：1
- 2011年
- 应用全带多粒子Monte Carlo模拟方法,研究了钎锌矿相GaN材料电子的高场输运特性.模拟中利用了基于第一性原理总能量赝势方法计算得到的纤锌矿GaN的能带结构数据.用Cartier的方法,计算碰撞电离散射率.计算得到了电子平均漂移速度和电子平均能量与电场的关系曲线.电离系数的分析表明当电场强度大于1MV/cm时,才会有明显的碰撞电离发生,量子产额的分析表明当电子的能量大于7eV时,量子产额随能量增加迅速增大.研究了在0—4MV/cm电场强度范围内电子在各导带的分布,低场下电子全部位于第1导带,随着电场增加电子跃迁到更高的导带上.在所研究的电场范围内,电子主要位于第1和第2导带,高场下一些电子位于第3、第4和第5导带,第7和第8导带上的电子极少.
- 郭宝增张锁良刘鑫
- 关键词：碰撞电离MONTECARLO模拟
- 垂直电场作用下的钎锌矿相GaN电子输运特性的Monte Carlo研究
- 2012年
- 在GaN NMOSFET中,沟道电子由于受垂直于其运动方向电场的作用而产生界面散射,从而影响MOSFET特性。研究采用Monte Carlo体模拟方法计算钎锌矿相GaN材料在界面散射下的电子输运特性。模拟中在电子漂移方向加一个水平电场,同时在与其垂直的方向加另外一个电场,在垂直电场作用下,电子发生界面散射。采用基于指数协方差函数的界面粗超度函数计算界面散射率,计算中给定界面粗糙方均根值和相干长度,通过改变垂直电场强度,计算电子平均漂移速度和迁移率特性.在界面粗糙方均根值为0.65nm,相干长度值为1.5nm情况下,当垂直电场大于1×105V/cm时,电子迁移率由于受界面散射的影响开始下降;当垂直电场大于1×106V/cm时,电子迁移率低于200cm2/(V.s)。与直接采用MOS结构研究电子受界面散射的方法相比,此方法排除了MOS结构沟道电场不均匀、非瞬态输运等非理想因素。
- 郭宝增刘鑫师建英
- 关键词：蒙特卡罗模拟输运特性
- ZnS高场电子输运特性的Monte Carlo模拟研究
- 2009年
- 运用Monte Carlo模拟方法计算了ZnS材料的高场电子输运特性。采用非抛物面多能谷模型描述ZnS材料的导带能带结构,该能带结构包含导带的两个能量子带。模拟中电子的散射机制包括声学声子散射,极性光学声子散射,能谷间散射,电离杂质散射和碰撞电离散射等。模拟高场下电子输运特性,碰撞电离是必需考虑的散射机制。模拟计算得到了ZnS材料的电子平均漂移速度、平均电子能量、电子能谷占据数随电场强度变化的关系,以及碰撞电离率随电子平均能量变化的关系。模拟结果与全带Monte Carlo模拟得到的结果吻合得较好,但非抛物线多能谷模型比全带模型计算更简单。
- 郭宝增樊艳
- 关键词：MONTE碰撞电离ZNS
