国家自然科学基金(50532100)
- 作品数：3 被引量：12H指数：2
- 相关作者：杭寅张昌龙周卫宁覃世杰顾书林更多>>
- 相关机构：中国科学院上海光学精密机械研究所桂林矿产地质研究院南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金广西壮族自治区科学研究与技术开发计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- O_2流量对ZnO薄膜生长及性质的影响
- 讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O_2)流量,采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组ZnO薄膜样品。由厚度测量、Raman散射、XRD表征表明,随O_2流量增加...
- 周茂峰顾书林朱顺明
- 关键词：氧化锌薄膜金属有机物化学气相淀积锌源
- 文献传递
- P型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质
- 通过采用O2与N2O按照一定的流量比作为反应气源,利用MOCVD方法实现了较低电阻率的N掺杂ZnO薄膜。实验分别研究了改变O2与N2O流量比和改变衬底温度对于薄膜电学性质的影响,并利用Raman光谱与Hall测试结果的比...
- 汤琨顾书林朱顺明
- 关键词：金属有机物化学气相沉积P型
- 文献传递
- 在钛酸锶衬底上外延生长ZnO薄膜及其性能研究
- 2007年
- 用脉冲激光淀积法(PLD)在(111)面SrTiO3衬底上外延生长ZnO单晶薄膜。样品分别在衬底温度为350℃、500℃、600℃下外延生长。X射线衍射(XRD)的结果表明,所得的ZnO单晶薄膜结晶性能好,只出现(002)和(004)两个衍射峰,(002)峰的半高宽度(FWHM)为0.23°。在荧光光谱中我们只观察到来源于带边激子跃迁的强UV发射,并且随着生长温度的升高,紫外峰的强度逐渐增强。样品的SEM图像表明所得ZnO薄膜表面平整,晶粒均匀。衬底温度为600℃时,所得到的ZnO薄膜结构完整,晶粒尺寸最大,均匀;而且紫外发射最强。
- 杨锡林张连翰邹军何晓明宋词周圣明杭寅
- 关键词：PLDZNO薄膜SRTIO3
- 水热法生长ZnO晶体的外形、缺陷及性能表征
- 宋词杭寅张昌龙杨锡林何明珠周卫宁周圣明顾书林
- 文献传递
- Zn_(1-x)Mg_xO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究
- 以MOCVD系统生长Zn_(1-x)Mg-xO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn_(1-x)Mg_xO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31 eV覆盖到5.02 e...
- 单正平顾书林朱顺明
- 关键词：MOCVDZNMGO紫外探测器
- 文献传递
- 氧化锌晶体的水热法生长及性能表征被引量：8
- 2008年
- 报道以块状氧化锌陶瓷为培养料,KOH、LiOH和H2O2的混合水溶液为矿化剂体系,采用水热法生长出尺寸为30mm×38mm×8mm的氧化锌晶体。氧化锌晶体+c(0001)和-c(0001)方向的生长速度分别为0.17,0.09mm/day。+c面的颜色为浅绿色,而-c面的颜色为深褐色。在室温下测得+c面的载流子浓度为104cm-3,电阻率为80Ω·cm,迁移率为100cm2/V·s。晶体(0001)面的双晶摇摆曲线的FWHM为45arc-sec。对氧化锌晶体+c面在室温条件下的光致发光谱和吸收光谱进行了测试分析。
- 左艳彬周卫宁张昌龙杭寅霍汉德覃世杰卢福华顾书林张海霞白浪
- 关键词：氧化锌晶体水热法晶体生长衬底
- N掺杂ZnO中的缺陷与光致发光
- 采用金属有机物化学汽相沉淀法(MOCVD)在蓝宝石衬底(0002)上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜,继后在氧气氛中对薄膜进行1 000℃快速热退火,重点对退火后样品的发光特性进行变温光致发光谱的研究。低温下,在3.377、...
- 陈慧顾书林朱顺明
- 关键词：激子
- 文献传递
- MOCVD ZnO缓冲层生长与退火研究
- 采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量及表面形貌的影响。结果表明,低温生长时,生长温度的提高有利于增强反应物原子的扩散能力,降低表面粗糙度,...
- 朱光耀顾书林朱顺明
- 关键词：金属有机物化学气相淀积表面形貌晶体质量
- 文献传递
- 氧化锌晶体的水热法生长及其性能研究被引量：4
- 2006年
- 报道了采用水热法生长大尺寸氧化锌单晶体的研究结果.以块状氧化锌陶瓷为培养料,以KOH、LiOH和H2O2的混合水溶液为矿化剂,在温度为350℃～400℃、压力为120MPa的条件下,生长出了尺寸为31.5mm×23.5mm×6.5mm的ZnO晶体.测量了晶体的杂质含量、光吸收率和双晶摇摆曲线.
- 霍汉德左艳彬卢福华覃世杰张海霞张昌龙周卫宁杭寅宋词夏长泰顾书林
- 关键词：水热法氧化锌晶体生长
- Ga和Mn共掺ZnO薄膜的结构和光学特性
- 研究了高质量的Ga、Mn共掺ZnO外延薄膜的电子结构和光学特性,这些薄膜通过MOCVD沉积在蓝宝石(0001)面上。结果显示单Mn掺杂时的样品呈现高阻p型,Ga和Mn共掺时呈现n型,而载流子浓度出现一个最大值,然后随着G...
- 吴孔平顾书林朱顺明
- 关键词：化合物半导体稀磁半导体半金属
- 文献传递
