浙江省自然科学基金(Y105468)
- 作品数：8 被引量：25H指数：3
- 相关作者：席珍强杨德仁杜平凡阙端麟姚剑更多>>
- 相关机构：浙江大学浙江理工大学浙江机电职业技术学院更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电气工程动力工程及工程热物理电子电信更多>>
- PECVD法制备碳化硅薄膜的减反射性能研究被引量：5
- 2010年
- 利用正交实验方法,探讨PECVD法制备碳化硅薄膜沉积参数变化对其减反射性能的影响,并进一步研究不同沉积参数对薄膜沉积速率和折射率的影响规律。结果表明,沉积参数中衬底温度是影响碳化硅薄膜减反射性能的主要因素;薄膜的生长速率随着衬底温度和硅烷与甲烷流量比的升高而降低,并且薄膜的折射率随衬底温度的升高而增大,但气体流量比对折射率的影响不大。
- 张瑞丽杜红文张亚萍杜平凡问明亮张秀芳席珍强
- 关键词：PECVD碳化硅薄膜正交实验
- 铸造多晶硅中的原生杂质被引量：3
- 2007年
- 本文主要采用傅立叶红外仪、微波光电导少数载流子寿命仪研究了铸造多晶硅中的原生杂质的性质及分布规律。研究发现,铸造多晶硅中氧的浓度从底部到顶部逐渐降低。铸造多晶硅中碳的浓度分布总的趋势是从底部到顶部逐渐升高。而铸造多晶硅中铁的浓度分布则是底部和顶部浓度高,中间很低,这表明晶体底部高浓度的铁主要是由于铁的分凝所致,而这些铁主要来自于晶体凝固过程中坩埚的沾污。
- 唐骏席珍强邓海杨德仁
- 关键词：氧碳铁
- 铸造多晶硅硅片的磷吸杂研究被引量：3
- 2007年
- 主要研究了铸造多晶硅晶锭不同位置的硅片在磷吸杂前后电学性能的变化。结果发现,经过870℃磷吸杂40 min后不同位置处硅片的少数载流子寿命都有显著的提高,其中来自硅锭底部硅片的少数载流子寿命的提高程度明显低于来自顶部样品寿命的提高幅度。由于氧的分凝效应,在铸造多晶硅底部材料中含有较高浓度的间隙氧。结果表明,多晶硅磷吸杂的效果不仅与材料中过渡族金属的分布以及形态有关,而且还可能与硅中氧的浓度有关。
- 唐骏黄笑容席珍强杜平凡姚剑徐敏
- 关键词：多晶硅少子寿命
- 快速热处理对氮化硅减反射性能的影响
- 2009年
- 采用快速热处理对电池片表面非晶氮化硅膜进行不同温度和不同时间热处理退火比较,研究退火对薄膜减反射性能的影响。结果显示:随着快速热处理温度的升高,其达到较优减反射性能所需的热处理时间缩短;当热处理温度高于800℃时,其减反射性能普遍变差;得出较优的热处理方案为退火温度750℃,退火时间10 s,其加权平均反射率为1.59%。
- 徐敏杜平凡姚剑王龙成席珍强
- 关键词：氮化硅
- 快速热处理法制备单晶硅太阳能电池被引量：1
- 2006年
- 利用快速热处理(RapidThermalProcessing,RTP)技术,成功制备了单晶硅太阳电池。在三个重要的热处理环节(磷扩散制作P-N结、热氧化、电极烧结)采用了快速热处理法,电极制作采用了丝网印刷。初步研究,用大面积的单晶硅片制备出转换效率为11%、开路电压为564.6mV、短路电流密度为30.7mA/cm2的太阳电池。
- 花聚团杨德仁席珍强倪利红阙端麟
- 关键词：硅太阳电池
- 单晶硅太阳电池铝背场的快速热处理制备被引量：3
- 2009年
- 分别采用常规和快速热处理在800℃制备了单晶硅太阳电池的铝背场,并利用扩展电阻、X射线衍射和扫描电镜研究了铝背场的载流子浓度分布、铝硅相的组成和表面形貌。载流子浓度分布显示,快速热处理40s就能在硅片表面形成约7μm的背场,达到常规热处理20min的效果。X射线衍射分析和扫描电镜观察发现,快速热处理与常规热处理都能够在硅片背面形成Al_(3.21)Si_(0.47)相,但是快速热处理后形成了致密的铝硅合金,而常规热处理处理后表面依然呈颗粒分布。这些实验结果表明,快速热处理不仅促进铝在硅中的扩散从而能够在很短的时间形成铝背场,而且还能够同时促进铝硅合金化,形成良好的背电极。
- 姚剑蔡万华席珍强徐敏杜平凡王龙成
- 关键词：硅太阳电池
- 快速热处理工艺下直拉单晶硅中铜、镍对氧沉淀的影响(英文)
- 2006年
- 研究了快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜、镍对内吸杂工艺中氧沉淀形成规律的影响.实验结果表明:在快速热处理工艺下,间隙铜对氧沉淀几乎没有影响,铜沉淀却能显著地促进氧沉淀的形成;而间隙镍或镍沉淀对氧沉淀的形成都没有影响.基于实验结果并结合氧沉淀的形核理论,对金属铜、镍对氧沉淀的影响机理进行了解释.
- 吴冬冬杨德仁席珍强阙端麟
- 关键词：单晶硅氧沉淀CUNI
- 快速热氧化制备二氧化硅薄膜的红外研究被引量：10
- 2007年
- 通过傅立叶红外吸收光谱分析了不同温度和时间下在硅衬底上快速热氧化(RTO)处理后的样品。结果表明,在处理相同的时间下,随着热处理温度的升高,二氧化硅薄膜的非对称伸展振动模式峰强度增强,其峰位发生了偏移。在800℃下制备二氧化硅薄膜的热氧化动力学规律不同于1200℃下的情况。在800℃下,快速热氧化制备的薄膜中含有非化学计量比的氧化硅(SiOx),SiOxDE再氧化使得薄膜的氧化生长速率不断增加,同时也是导致红外吸收光谱中ASM峰位向长波数方向偏移。在1200℃下,快速热氧化制备的薄膜成份是二氧化硅,这种薄膜具有良好的介电性能。
- 陈涛席珍强杨德仁阙端麟
- 关键词：二氧化硅薄膜
