常州市科技项目(CJ20120001)
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 相关作者：熊超袁洪春陈磊徐安成朱锡芳更多>>
- 相关机构：常州工学院华南理工大学更多>>
- 发文基金：江苏省高校自然科学研究项目常州市科技项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 细致平衡理论计算CdS/CdTe异质结太阳电池的极限转换效率被引量：1
- 2013年
- 在细致平衡理论基础上,针对异质结电池在结处由于能带不连续而形成载流子运动势垒可能对光生载流子的运输存在阻碍作用,建立异质结太阳电池的光电转换模型,解决了细致平衡理论无法计算异质结太阳电池极限效率的问题,推导出CdS/CdTe异质结太阳电池光照下的I-V特性表达式以及最大光电转换效率的求法。指出电池的I-V特性以及最大转换效率与电池的内建势垒密切相关,并求出在理想情况AM1.5的光照下CdS/CdTe异质结太阳电池最大转换效率可达29%;考虑到CdS和CdTe的典型参数后,计算出其最大转换效率可达25%。分析了现实中电池效率不高的原因,并指出实现电池转换效率提高的可行性。
- 熊超陈磊袁洪春姚若河
- 关键词：CDS太阳电池
- p-CuSCN/n-Si异质结的光电特性研究
- 2013年
- 采用成本廉价的连续离子层沉积法在n型Si衬底上沉积β相的六方晶体结构的CuSCN薄膜制备了p-CuSCN/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V和C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明,CuSCN/n-Si异质结存在良好的整流特性;由于在p-CuSCN/n-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大的缘故,在正向电压,无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。
- 熊超朱锡芳陈磊袁洪春潘雪涛周祥才
- 关键词：I-V特性C-V特性
- ZnO/p-Si异质结的I-V及C-V特性研究被引量：1
- 2013年
- 通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在p-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备了ZnO/p-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明ZnO/p-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。由于在ZnO/p-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故,在正向电压超过1V时,导电机理为空间电荷限制电流导电。同时,研究表明ZnO/p-Si异质结界面存在大量界面态,可以通过减小界面态进一步提高其光电特性。
- 熊超袁洪春徐安成陈磊陆兴中姚若河
- 关键词：I-V特性C-V特性界面态
- n-Si/p-CuI异质结的制备及其光电特性研究被引量：1
- 2013年
- 采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流特性,由于在CuI/nSi异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大,在正向电压、无光照下,导电机理为空间电荷限制电流导电,此时空穴电流主导;在光照下,异质结表现出良好的光电响应,因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。
- 熊超朱锡芳陈磊陆兴中袁洪春肖进丁丽华徐安成
- 关键词：I-V特性C-V特性
- ZnO/n-Si异质结的I-V、C-V特性研究
- 2012年
- 本文通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶,在n-Si片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备的ZnO/n-Si异质结,并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明ZnO/n-Si异质结存在良好的整流特性与光电响应,可以广泛应用在光电探测和太阳能电池等领域。由于在ZnO/n-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故,在正向电压超过0.8 V时,导电机理为空间电荷限制电流导电。同时研究表明ZnO/n-Si异质结界面存在大量界面态,可以通过减小界面态可以进一步提高其光电特性。
- 熊超肖进丁丽华陈磊袁洪春徐安成周详才朱锡芳潘雪涛
- 关键词：ZNO界面态
