国家高技术研究发展计划(2001AA333010)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 相关作者：高积强李世斌金志浩吕振林刘银娟更多>>
- 相关机构：西安交通大学西安理工大学洛阳理工学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
- SiC/Si层状陶瓷的高温自愈合行为被引量：1
- 2008年
- 以纸张为主要原料,经树脂浸泡,成型、碳化后制得层状碳模板,再经液相Si的原位反应制得SiC/Si层状陶瓷。研究了不同热处理工艺对SiC/Si层状陶瓷复合材料表面裂纹和强度的影响。结果表明:SiC/Si层状陶瓷材料在900～1400℃温度下,材料表面压痕裂纹出现不同程度的自愈合现象,材料的抗弯强度大幅度提高。确立了材料表面裂纹的最佳热处理工艺,并对SiC/Si层状陶瓷材料表面裂纹的愈合机理进行了探讨。
- 杨刚宾刘银娟乔冠军高积强卢天健
- 关键词：层状陶瓷自愈合
- 硅/碳化硅在高温热处理过程中的组织变化
- 2006年
- 分别于真空和氮气气氛中,在1650,1750和1850℃对硅／碳化硅进行高温处理,通过光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射仪研究了硅／碳化硅的组织变化。结果表明：氮气氛下,α子晶在界面能驱动下,通过基面以层状形式不断聚合长大,最终以完全“吞食”所包裹的β-SiC来完成相转变；在真空条件下,除了前一种方式外,还有一定的蒸发-凝聚烧结机制存在,两者同时作用使得比氮气条件下有较快的β-SiC转化速度。转化驱动力随温度的上升而提高。1850℃氮气环境下处理的材料仍有少量β相存在,而真空1750℃处理后就能得到单-α相的多孔材料。
- 李世斌马明亮金志浩
- 关键词：显微组织
- 反应连接碳化硅材料接头的力学和电性能被引量：2
- 2003年
- 采用反应连接的方法实现了反应烧结碳化硅(RB-SiC)之间以及反应烧结碳化硅和重结晶碳化硅(R-SiC)之间的连接。分别在光学显微镜、扫描电镜上观察了连接区的显微组织和断口形貌,并用弯曲强度和电阻率评价了反应粘接硅/碳化硅材料接头的机械和电性能。研究结果表明,反应连接可以使母材间形成良好的接合界面,连接层未对整体材料的强度和电阻率造成明显的影响。接合区组织和成分的优化是获得碳化硅材料优异连接性能的关键。
- 李世斌吕振林高积强金志浩
- 关键词：碳化硅接头
