天津市高等学校科技发展基金计划项目(20060605)
- 作品数：10 被引量：29H指数：4
- 相关作者：王光伟张建民郑宏兴杨斐屈新萍更多>>
- 相关机构：天津工程师范大学天津职业技术师范大学复旦大学更多>>
- 发文基金：天津市高等学校科技发展基金计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- LPCVD-SiGe薄膜的物理及电学特性被引量：4
- 2007年
- 采用低压化学气相沉积法(LPCVD),分别在n-Si和SiO2衬底上制备Si1-xGex薄膜。Ge的组分比由俄歇电子谱(AES)测定。对n-Si和SiO2衬底上的Si1-xGex分别进行热扩散和热退火处理,以考察热扩散和退火条件对薄膜物理及电学特性的影响。薄膜的物相由X射线衍射(XRD)确定。其薄层电阻、载流子迁移率及浓度分别由四探针法和霍尔效应法测定。基于XRD图谱,根据Scherer公式,估算出平均晶粒大小。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近似的线性关系,从而得出LPCVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。
- 王光伟屈新萍茹国平郑宏兴李炳宗
- 关键词：LPCVD热扩散热退火
- 电场增强金属Al和Ni诱导非晶硅横向结晶被引量：4
- 2008年
- 本文分析了Al和Ni在外加电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。对影响非晶硅结晶的诸多因素,如场强、金属种类和退火条件进行了研究。简要概述了金属诱导横向结晶(MILC)相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管(TFT)中的应用。指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但场强超过一临界值后,则降低该速率,并基于电迁移效应较合理地解释了该现象。
- 王光伟张建民
- 关键词：金属诱导横向结晶扩散固相反应晶粒生长
- 非晶硅和非晶硅锗薄膜的金属诱导结晶被引量：1
- 2009年
- 分析了金属Ni、Al诱导非晶Si及非晶SiGe薄膜结晶的条件、特点和机理。简要介绍了金属诱导结晶相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管中的应用。概述了影响诱导结晶速率和薄膜微结构的诸多因素,如热处理条件和外加电场等。对电场增强金属诱导横向结晶的相关问题进行了探讨,指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但更强电场则会降低该速率,基于电迁移效应对该现象进行了解释。
- 王光伟张建民倪晓昌李莉
- 关键词：金属诱导结晶金属诱导横向结晶固相反应扩散晶粒生长
- 现代大面积电子学的系统考察
- 2007年
- 现代大面积电子学主要涵盖大面积显示、太阳能电池和图像传感器等。对大面积电子学从产品、材料、工艺和设计的角度,进行了系统考察;分析了大面积电子学的特征、现状和发展趋势,并主要对有源矩阵液晶显示器(AMLCD)和太阳能电池存在的问题和改进措施作了较为详细的探讨。
- 王光伟
- 关键词：太阳能电池集成电路集成电路设计
- ZnO薄膜的制备方法、性质和应用被引量：13
- 2008年
- 介绍了宽禁带半导体ZnO薄膜的制备工艺、主要性质和器件应用等几方面内容。ZnO薄膜的制备方法大致分为物理法和化学法。前者主要包括溅射、脉冲激光沉积和分子束外延等;后者则涵盖化学气相沉积、喷雾热解和溶胶-凝胶法等。从晶体结构、光学及电学等角度概述了ZnO薄膜的主要性质。与这些性质相联系的器件应用有太阳能电池、发光器件和紫外探测器等。对器件应用领域中存在的一些问题及其解决思路作了探讨。
- 王光伟张建民郑宏兴杨斐
- 关键词：ZNO薄膜光电特性光电器件
- 外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响被引量：1
- 2009年
- 综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等。结果表明,相对于无电场时,适当强度的电场可显著加快金属诱导横向结晶的速率,场强超过某一临界值则降低该速率,并基于电迁移效应作了较好的解释。对Cu诱导a-Si薄膜横向结晶,在同样条件下,直交流混合电场比单纯的直流电场能引发更高的结晶速率。
- 王光伟
- 关键词：金属诱导横向结晶晶粒生长交流电场
- 电场增强Ni诱导非晶硅横向结晶及其电迁移效应被引量：1
- 2009年
- 在外加直流电场作用下,Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜发生横向结晶。影响Ni诱导a-Si薄膜横向结晶的因素有很多,如场强、反应以及退火条件等。适当强度的电场能显著加快Ni横向诱导a-Si结晶速率,当场强超过某一临界值,则该速率降低。基于电迁移效应,给出较为合理的解释。
- 王光伟张建民张平许书云
- 关键词：金属诱导横向结晶固相反应电迁移晶粒生长
- 激光在半导体技术中的主要应用及进展被引量：1
- 2008年
- 简要概述了激光在半导体技术中的主要应用。这些应用大致涵盖激光掺杂、激光退火、激光沉积薄膜、激光引发固相反应和激光光刻等几方面。激光光刻中,选取248nmKrF,193nmArF和157nmF2准分子激光光刻着重进行了探讨。分析了这些激光工艺的现状、特点和最新进展,并对存在的问题和发展趋势作了研究。
- 王光伟
- 关键词：激光退火激光光刻
- 准分子激光光刻技术及进展综述被引量：5
- 2008年
- 从准分子激光的概念及特点引入,概述了以248nm KrF、193nm ArF以及157nm F2准分子激光光刻技术的现状和进展,并探讨了该领域面临的诸多挑战以及解决思路。
- 王光伟
- 关键词：准分子激光激光光刻刻蚀集成电路工艺
- 当代微电子技术和产业的发展趋势综述
- 2007年
- 从集成电路(IC)设计、工艺、封装和测试等几方面,综述了以IC为核心的当代微电子技术和产业的主要发展趋势,探讨了这些领域所面临的诸多问题及其解决方案,并简要介绍了一些典型的纳米新器件及其应用。
- 王光伟
- 关键词：集成电路设计封装微电子技术
