您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(61072010)

作品数:19 被引量:51H指数:5
相关作者:毛陆虹张世林谢生李建雄王倩更多>>
相关机构:天津大学天津工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 10篇自动化与计算...

主题

  • 10篇标签
  • 6篇射频识别
  • 5篇RFID
  • 5篇UHF_RF...
  • 5篇CMOS工艺
  • 4篇天线
  • 4篇CMOS
  • 3篇电路
  • 3篇阅读器
  • 3篇无源
  • 3篇无源RFID
  • 3篇RFID标签
  • 2篇电池
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇片上集成
  • 2篇温度传感器
  • 2篇芯片
  • 2篇感器
  • 2篇STRUCT...

机构

  • 16篇天津大学
  • 5篇天津工业大学

作者

  • 16篇毛陆虹
  • 11篇张世林
  • 9篇谢生
  • 5篇李建雄
  • 3篇王倩
  • 2篇王峥
  • 2篇陈力颖
  • 2篇门春雷
  • 2篇徐凯
  • 2篇张艳征
  • 2篇张欢
  • 1篇胡焙剑
  • 1篇马建欢
  • 1篇陈明省
  • 1篇韩聃
  • 1篇韩磊
  • 1篇李凤阳
  • 1篇郭维廉
  • 1篇周诗伟
  • 1篇谷江

传媒

  • 5篇传感技术学报
  • 4篇固体电子学研...
  • 3篇天津工业大学...
  • 2篇Journa...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇微电子学
  • 1篇High T...
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 2篇2014
  • 7篇2013
  • 7篇2012
  • 7篇2011
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
应用于无源UHF RFID标签的CMOS兼容集成微型太阳能电池研究被引量:3
2012年
在标准CMOS工艺下,设计了一种与CMOS工艺兼容的片上集成太阳能电池阵列,通过从外部环境收集光能为UHF射频识别(RFID)标签供电。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺制备出太阳能电池阵列,其面积约为0.2mm2;在AM1.5、1 000W/m2、25℃标准测试条件下,测得最大输出功率为10.212μW,短路电流和开路电压分别为28.763μA和0.458V,光电转换效率为5.106%。相对于常规Si太阳能电池复杂的制造工艺,本文太阳能电池阵列与CMOS工艺相兼容,可与电路系统集成从而实现片上供电。
侯贺刚张世林郭维廉毛陆虹谢生韩磊
关键词:CMOS片上集成
基于多波束切换的便携式RFID阅读器设计被引量:9
2013年
研究了一种基于多波束切换技术的便携式RFID阅读器,详细阐述了射频模块中各硬件部分的工作原理以及芯片参数的确定,给出了多波束天线系统的设计方案以及整个阅读器系统的设计方案.该阅读器工作频率的范围为860~960MHz,并且符合IS018000—6C(EPCGen2)标准.将多波束切换型智能天线系统应用于RFID系统中,经理论证明,可提高现有阅读器的最大识别距离、覆盖区域等性能.
张文锦李建雄毛陆虹
关键词:RFID阅读器智能天线
太阳能电池作为天线辐射体的RFID标签天线的设计被引量:3
2013年
利用HFSS v12软件设计了一种太阳能电池作为天线辐射体的RFID电子标签天线.利用太阳能电池的射频特性,将太阳能电池作为天线的辐射贴片.因此太阳能电池既可以提供能源,也可以发送和接收电磁波;提出的天线为多层结构,采用H形缝隙耦合馈电方式,可以较容易实现宽频谐振以及天线与芯片的阻抗匹配;给出了该天线的仿真结果,仿真结果表明天线性能良好,满足RFID应用要求.
马建欢李建雄肖康张世林毛陆虹
关键词:射频识别标签天线太阳能电池微带天线
基于相控阵天线的RFID系统设计
2012年
设计了一种可扩展阅读范围的相控阵天线RFID系统。采用Intel R1000阅读器开发平台、MASWSS0204开关芯片,研制了功率分配器、移相器、天线阵,搭建了符合ISO 18000-6C和EPC globalGen 2标准、中心频率为915 MHz RFID阅读器系统。系统引入相控阵原理,并对阅读器进行了简单改动,设计了相控阵RFID系统的硬件组成结构和软件工作流程。设计的相控天线阵列由2×2个微带天线单元、3个功率分配器和1个移相器组成,使用FR4介质板材料制作。实验结果表明,该系统增大了RFID信号的覆盖范围。
吴龙毛陆虹胡焙剑李建雄雷波
关键词:RFID阅读器移相器功率分配器相控阵天线
集成于无源UHF RFID标签的高分辨率CMOS温度传感器被引量:13
2012年
提出一种高分辨率的集成于无源UHF RFID标签的CMOS温度传感器结构。采用时域数字量化的方式,用与绝对温度成正比PTAT(Proportional to Absolute Temperature)电流源和标签内部振荡器构成的PTAT振荡器产生脉冲宽度与温度相关的脉冲信号,作为计数器的时钟信号,在温度-50℃~50℃范围内,脉冲周期从1.841μs~0.426μs;用数字电路对阅读器发送的帧头命令进行处理得到一个宽度为200μs的宽脉冲信号,作为计数器的使能信号,该脉冲的宽度完全不受温度影响;通过采样计数,得到包含温度信息的数字信号。本设计采用0.18μm UMC CMOS工艺,电源电压为1.8 V,直流功耗为789 nW,温度传感器后仿的有效分辨率达到0.332 LSB/℃。
王倩毛陆虹张欢张世林谢生
关键词:无源RFID高分辨率CMOS工艺
改进的RFID室内定位算法被引量:3
2013年
针对射频识别定位系统中RSSI线性定位算法的边界标签定位精度低问题,提出了一种改进的算法.该算法在边缘区域布置参考标签,并在这些布置参考标签的区域采用LANDMARC算法,而其它区域仍采用RSSI线性定位算法.使用MATLAB软件对算法进行仿真,结果表明:针对边界区域的定位标签,改进的算法比RSSI线性定位算法具有更好的定位精度,提高了整体定位区域的定位准确性;与LANDMARC算法相比,改进的算法由于使用较少的参考标签,所以降低了成本并且减少了算法的运行时间,从而提高了定位系统的实时性.
段本亮李建雄陈明省毛陆虹
关键词:射频识别接收信号强度指示
集成于无源UHF RFID标签的新结构CMOS温度传感器被引量:7
2011年
设计了一种集成于无源UHF RFID标签芯片的新结构温度传感器。利用高PSRR共源共栅结构的电流镜偏置电路产生两路温度系数相反的电流,实现了偏置电流对电源电压和温度补偿。与温度相关的脉冲信号由类似差分的结构产生,有效的克服了工艺偏差导致的误差。计数时钟信号由标签内部振荡器提供,振荡器频率受偏置电流控制近似与电源电压和温度无关。采用SMIC 0.18μm 2P4M CMOS工艺,仿真结果表明:电源电压为1.8V,温度在-10℃~100℃变化时,偏置电流为112 nA,标签提供的时钟信号频率为2 MHz,温度传感器有效分辨率为0.5℃/LSB,工作电流为774 nA。
张欢毛陆虹王倩谢生张世林
关键词:无源RFIDCMOS
Folded Microstrip Patch-Type tag antenna mountable on metallic surfaces
A novel folded microstrip patch-type antenna design suitable for radio frequency identification(RFID) tags and...
Bo LeiJianxiong LiLuhong Mao
文献传递
超高频RFID标签芯片射频电路的分析与测试(英文)
2012年
提出了一种应用于超高频(Ultra high frequency,UHF)射频识别(Radio frequency identification,RFID)标签芯片的射频测试技术。针对UHF RFID标签芯片射频电路的特殊工作方式,该技术可对芯片的输入阻抗和灵敏度进行准确测量,并同时完成芯片功能验证。与传统的RFID标签芯片射频测试技术相比,文中的方案利用商用阅读器和可调衰减器代替了高端或RFID专用测试设备,因此极大降低了测试成本。利用该测试方案,对已开发的UHF RFID标签芯片进行了测试与验证,并利用测试结果完成了折叠偶极子天线设计以实现芯片与天线之间的阻抗匹配。将芯片与天线组装成无源标签,其灵敏度可达-10.5 dBm。实验结果证明了该方案的正确性。
徐凯毛陆虹王峥陈力颖李建雄
关键词:超高频射频识别标签芯片灵敏度输入阻抗
High voltage generator circuit with low power and high efficiency applied in EEPROM被引量:1
2012年
This paper presents a low power and high efficiency high voltage generator circuit embedded in electrically erasable programmable read-only memory(EEPROM).The low power is minimized by a capacitance divider circuit and a regulator circuit using the controlling clock switch technique.The high efficiency is dependent on the zero threshold voltage(Vth) MOSFET and the charge transfer switch(CTS) charge pump.The proposed high voltage generator circuit has been implemented in a 0.35μm EEPROM CMOS process.Measured results show that the proposed high voltage generator circuit has a low power consumption of about 150.48μW and a higher pumping efficiency(83.3%) than previously reported circuits.This high voltage generator circuit can also be widely used in low-power flash devices due to its high efficiency and low power dissipation.
刘彦张世林赵毅强
关键词:EEPROM电压发生器可擦除可编程只读存储器CMOS工艺
共3页<123>
聚类工具0