国家自然科学基金(50972141)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 相关作者：缪国庆张登巍符运良张铁民傅军更多>>
- 相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院海南师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金海南省教育厅高等学校科学研究项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层被引量：1
- 2011年
- 采用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上生长In0.82Ga0.18As,研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、结晶质量和电学性能的影响。利用InP(100)衬底与In0.82Ga0.18As材料晶格失配所产生的应变,在不同的生长温度下应变释放程度不同,进而在In0.82Ga0.18As表面形成不同类型的缓冲层。分析不同的缓冲层对外延层In0.82Ga0.18As的影响,从而优化出最佳的生长温度。
- 张铁民缪国庆傅军符运良林红
- 关键词：金属有机化学气相淀积缓冲层
- MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线被引量：1
- 2012年
- 采用自催化法,利用金属有机化学气相沉积技术,在Si(100)衬底上成功制备了InP/InGaAs核壳结构纳米线。通过扫描电子显微镜观察纳米线形貌,在核壳结构纳米线的顶端催化剂转化成了颗粒状晶体。利用X射线衍射和透射电子显微镜研究了InP纳米线上生长InGaAs外壳的过程,并应用X射线能量色散能谱仪对纳米线顶端进行了轴向和径向的线扫描,得到了纳米线上元素组分分布。催化剂的转化发生在制备InGaAs壳之前的升温过程中,且形成的晶体中含有合金成分。InGaAs壳的组分调整可以通过改变生长过程中生长源气体的流量来实现。
- 张登巍缪国庆
- 关键词：金属有机化学气相沉积纳米线
