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国家高技术研究发展计划(2008AA031403)

作品数:5 被引量:16H指数:2
相关作者:刘明龙世兵王琴王永杨潇楠更多>>
相关机构:中国科学院微电子研究所安徽大学兰州大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信理学机械工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇非挥发性存储...
  • 2篇存储器
  • 1篇衍射
  • 1篇受性
  • 1篇数据保持
  • 1篇隧穿
  • 1篇纳米硅
  • 1篇耐受
  • 1篇耐受性
  • 1篇光强
  • 1篇光强分布
  • 1篇硅纳米晶
  • 1篇菲涅耳
  • 1篇菲涅耳衍射
  • 1篇俘获
  • 1篇高K材料
  • 1篇NVM
  • 1篇I-V特性
  • 1篇LOW-VO...
  • 1篇HIGH-P...

机构

  • 3篇中国科学院微...
  • 2篇安徽大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇兰州大学

作者

  • 3篇刘明
  • 2篇张满红
  • 2篇杨潇楠
  • 2篇王永
  • 2篇王琴
  • 2篇龙世兵
  • 1篇张森
  • 1篇王旦清
  • 1篇刘广元
  • 1篇刘肃
  • 1篇左青云
  • 1篇刘琦
  • 1篇马忠元
  • 1篇严敏逸
  • 1篇刘璟
  • 1篇徐岭
  • 1篇李颖弢
  • 1篇徐骏
  • 1篇胡媛
  • 1篇陈军宁

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性
2011年
硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。在此基础上制作四端硅纳米晶非挥发存储器,该器件展示出良好的存储特性,包括10 V操作电压下快速地擦写,数据保持特性的显著提高,以及在105次擦写周期以后阈值电压(Vt)飘移低于10%的良好耐受性。该器件在未来高性能非挥发存储器应用上极具潜质。
杨潇楠王永张满红张博刘明
关键词:硅纳米晶耐受性数据保持
二维移相光栅光强分布的计算及在制备有序纳米硅阵列中的应用被引量:1
2010年
从菲涅耳衍射积分的一般形式出发,结合二维(2D)移相光栅掩模(PSGM)的具体参数,通过数值计算得到了作用于样品表面的光强分布.实验上,采用激光干涉晶化的方法,利用周期为400nm的2D-PSGM调制KrF准分子激光器的脉冲激光束斑的能量分布,在氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜上直接制备了2D的有序纳米硅(nc-Si)阵列.测试结果表明:2D的nc-Si阵列的周期和PSGM的相一致,晶化区域与理论模拟的结果符合得很好.
严敏逸王旦清马忠元姚尧刘广元李伟黄信凡陈坤基徐骏徐岭
关键词:纳米硅菲涅耳衍射
基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究被引量:11
2009年
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。
李颖弢刘明龙世兵刘琦张森王艳左青云王琴胡媛刘肃
关键词:非挥发性存储器I-V特性
电荷俘获存储器中俘获层的研究进展被引量:2
2009年
随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅(α-SiOxNy)俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析,并对其进一步的研究趋势进行了展望。
李德君刘明龙世兵王琴张满红刘璟杨仕谦王永杨潇楠陈军宁代月花
关键词:高K材料
A low-voltage sense amplifier for high-performance embedded flash memory被引量:2
2010年
This paper presents a sense amplifier scheme for low-voltage embedded flash (eFlash) memory applications. The topology of the sense amplifier is based on current mode comparison. Moreover, an offset-voltage elimination technique is employed to improve the sensing performance under a small memory cell current. The proposed sense amplifier is designed based on a GSMC 130 nm eFlash process, and the sense time is 0.43 ns at 1.5 V, corresponding to a 46% improvement over the conventional technologies.
柳江王雪强王琴伍冬张志刚潘立阳刘明
共1页<1>
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