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国家科技重大专项(2009ZX02001-002)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：邵花夏洋刘训春王文东更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低电阻率
  • 1篇电阻率
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇TA
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇王文东
  • 1篇刘训春
  • 1篇夏洋
  • 1篇邵花

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
磁控溅射法制备低电阻率Ta薄膜研究被引量：1
2013年
在无匹配层、常温、溅射气体为纯Ar的条件下,利用直流磁控溅射法在Si表面制备了Ta薄膜,系统研究了工作气压及直流功率对薄膜电阻率及微观结构的影响。分别用四探针测试仪、X射线衍射仪、原子力显微镜对不同条件下制备的Ta薄膜电阻率、相结构及表面形貌进行表征。结果发现,随溅射气压升高,高阻β相出现,薄膜电阻率随之增大;在相同溅射气压下,随着溅射功率的增加,薄膜电阻率先降低后升高。优化溅射工艺后制得的Ta薄膜的电阻率低至29.7μΩ·cm。
邵花王文东刘训春夏洋
关键词：磁控溅射TA
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