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倒置型OLED的新型复合阴极研究被引量：2: 2004年; 利用光学薄膜辅助设计系统软件进行了一种黑膜的模拟计算,据模拟结果制备了黑膜,测试分析了其减反性能并进行了性能改进的初步研究。同金属Al电极相比,此黑膜可使环境光反射率从90%左右降低到20%,经过衬底优化后反射率最低为13%。; 杨广华吴春亚李娟孟志国郭斌周祯华李凤岩熊绍珍; 关键词：黑膜

电流模式Poly-Si TFT AM-OLED像素单元的模拟设计被引量：4: 2004年; 模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)有源矩阵有机发光二极管(AM LOED)像素单元的poly SiTFT/OLED耦合对的J V特性和poly SiTFT电流镜的I V特性。使用Mathcad数学计算软件和AIM SPICE电路模拟工具,分别对OLED和TFT耦合对和TFT电流镜进行了模拟计算。理论上,采用电流模式的poly SiTFTAM OLED可以解决器件间的不一致性问题。无论迁移率的不一致还是阈值电压Vth的差异都可以被补偿,从而使灰度的一致性得以改善。因为采用了倒置的OLED结构,可以用N型poly SiTFT作为电流阱来驱动OLED,所以像素的性能进一步优化。结果表明,poly SiTFT/OLED耦合对的驱动电压低,在200A/m2下不超过8V;而TFT电流镜的跟随能力很好,在0.0～2.5μA时饱和电压只有1.5～2.5V。; 郭斌吴春亚孟志国林立杨广华李娟周祯华熊绍珍; 关键词：多晶硅薄膜晶体管有源矩阵电流镜 AM-OLED

倒置型PLED的电致发光特性研究: 2004年; 提出一种以聚合物MEH PPV为发光材料,结构为Al/MEH PPV/CuPC/ITO的倒置型发光器件(I PLED)。对既是空穴传输层又是轰击缓冲层的CuPC厚度以及MEH PPV的浓度对器件性能影响的分析发现,在实验条件下,最佳的CuPC厚度约为3.5nm,最佳的MEH PPV浓度约为3‰;采用小分子染料红莫稀(Rubrene)对聚合物发光材料MEH PPV掺杂发现,器件的亮度从未掺杂的40 4cd·m2提高到掺杂后的207.7cd/m2,其发光峰从未掺杂的624nm蓝移到掺杂后的592nm,但其I V特性并没有明显的变化。; 杨广华吴春亚马海英李娟周祯华孟志国熊绍珍; 关键词：PLED 电致发光特性 MEH-PPV 发光材料蓝移

现代光通讯中的全集成CMOS限幅器及场强指示电路被引量：9: 2007年; 针对各种光通信系统和射频通信系统中的应用,设计了一款限幅器及场强指示器(RSSI)电路,提出了一种新的直流漂移补偿方案,可使限幅器部分更加适合于全集成。对传统的RSSI电路作出了改进,大大提高了其工艺稳定性和温度稳定性。设计的限幅器具有72dB的电压增益,可以对载波为1.5MHz、带宽为1MHz的中频信号进行放大;RSSI部分的动态范围为80dBm,场强检测的误差小于±1dB。; 陈殿玉孙伟明秦世才熊绍珍; 关键词：限幅器

彩色膜上ITO的室温沉积及其在FPD中的应用被引量：16: 2005年; 使用直流磁控溅射技术,在彩色膜衬底上室温制备出粘附性良好的氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。X光衍射(XRD)和原子力显微(AFM)分析表明,室温ITO为多晶态,薄膜具有很好的透过率和良好的导电特性,方块电阻为120Ω/□,对应ITO/彩色膜复合膜在450nm的蓝(B)光、530nm的绿(G)光、630nm的红(R)光处的峰值透过率均达到85%左右。彩色膜与ITO电极的形成及联接等加工工艺有良好的相容性。对该技术在彩色液晶显示(LCD)和彩色有机发光显示(OLED)中的应用,进行了探索。; 孟志国彭华君吴春亚李娟熊绍珍丘成峰李娟娟王文郭海成; 关键词：ITO FPD 方块电阻有机发光显示氧化铟锡透明导电薄膜

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天津市自然科学基金(023602011)