国家部委预研基金(9140A08050509DZ0106)
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
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- 具有部分超结的新型SiC SBD特性分析被引量：3
- 2010年
- 提出了一种具有部分超结(super junction,SJ)结构的新型SiC肖特基二极管,命名为SiC Semi-SJ-SBD结构,通过将常规SBD耐压区分为常规耐压区和超结耐压区来减小导通电阻,改善正向特性.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析,研究了不同超结深度和厚度时击穿电压(VB)和比导通电阻(Ron-sp),与常规结构的SBD比较得出,半超结结构可以明显改善SiC肖特基二极管特性,并得到优化的设计方案,选择超结宽度2W为2μm,3μm,超结深度大于5μm,可以使Ron-sp降低量大于10%,而且保持VB基本不变(降低量小于4%).
- 杨银堂耿振海段宝兴贾护军余涔任丽丽
- 关键词：JUNCTION导通电阻击穿电压
