国家自然科学基金(50972056)
- 作品数：11 被引量：16H指数：2
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- 相关机构：河南科技大学南京大学南京工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省“青蓝工程”基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术医药卫生化学工程更多>>
- 缺陷钉扎导致的铁电陶瓷介电弛豫被引量：5
- 2012年
- 把电荷密度波理论引入到铁电陶瓷的介电温谱研究中。指出陶瓷中缺陷的钉扎效应导致介电响应的弛豫。高温时,集体钉扎主导陶瓷的极化行为;低温时,局域亚稳态的弛豫对极化起决定作用。两者的竞争导致介电峰值的出现。理论计算与试验结果定性吻合。
- 李立本郭惠芬陈庆东李庆收
- 关键词：铁电陶瓷介电弛豫电荷密度波
- Nb_2O_5掺杂对SnO_2-Zn_2SnO_4系压敏陶瓷电学性质的影响被引量：2
- 2014年
- 研究了Nb掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏材料电学性质的影响,研究结果表明:当Nb2O5的含量(摩尔分数)从0.05%增加到0.80%时,压敏电阻的压敏电压从28 V/mm增加到530 V/mm;对晶界势垒高度的分析表明:晶粒尺寸的迅速减小是样品压敏电压增高、电阻率增大的主要原因。本文对Nb含量增加引起晶粒减小的原因进行了解释。
- 吕本顺李立本臧国忠
- 关键词：压敏电阻二氧化锡势垒高度
- 钙钛矿型PbZrO_3电子能带结构的第一性原理研究被引量：1
- 2012年
- 采用第一性原理局域密度近似下的投影缀加平面波方法精确计算并比较了钙钛矿材料PbZrO3低温正交相(反铁电相)、高温立方相(顺电相)的电子能带结构.PbZrO3作为一种重要的反铁电材料,在高密度储能电容器,换能器和可控开关电容等领域具有重要的应用前景,同时关于其反铁电来源和电场驱动下的反铁电相变的理论研究具有重要意义.第一性原理方法可以从微观上揭示结构与性能之间的内在联系,有助于理解一些性质产生的根源.PbZrO3晶体从立方相到正交相的结构相变源于氧八面体ZrO6的扭曲畸变和阳离子Pb2+相对于阴离子O2-的移动.第一性原理计算结果显示:PbZrO3正交相及立方相的能带均为直接带隙绝缘体,带隙大小分别约为2.61eV、2.35eV,两相价带和导带主要是O的2p态及Zr的4d态、Pb的6p态组成;相对于立方相,PbZrO3正交相大约在-5eV附近,Pb的6p态、Zr的4d态及O的2p态有一个强峰,表明O、Zr与Pb的杂化效应比顺电相的增强,这是PbZrO3与BaTiO3同为钙钛矿结构但有不同的铁电行为的原因;由顺电相到反铁电相时,局域的Pb 6s态向低能移动,且O 2p也向低能移动并伴随着能带展开,这与Pb-O之间形成的杂化效应增强有关,它们的杂化起着降低原子间的短程排斥力的作用,有利于反铁电畸变的形成.能量计算结果也表明,反铁电相能量比顺电相的低0.44eV,进一步证实了PbZrO3基态为反铁电相.
- 唐春红张俊廷刘培生林长圣
- 关键词：第一性原理电子能带结构立方相
- 钙钛矿型YNiO_3电子能带结构的第一性原理被引量：5
- 2010年
- 采用第一性原理计算了钙钛矿材料YNiO3正交相、单斜相的电子能带结构。计算结果表明:YNiO3正交相为直接带隙,带隙大小约为0.99 eV;单斜相低能导带向费米面移动进入带隙区,与费米面相交而部分填满,使其具有金属性而导电。同时发现,Ni在正交相中只存在一种组态Ni3+,而在单斜相中则存在Ni2+和Ni4+两种不同的组态,即存在电荷歧化2Ni3+→Ni2++Ni4+。
- 唐春红张俊廷林长圣
- 关键词：钙钛矿氧化物电子能带结构第一性原理
- 弥散铁电陶瓷的峰值介电常数对频率的依赖关系研究被引量：1
- 2012年
- 采用传统固相合成法制备了锆掺杂的钛酸钡陶瓷Ba(Zr0.15Ti0.85)O3(BZT),并对其介电性能进行了研究.发现1 280℃烧结的BZT陶瓷的介电性能呈现明显的弥散性相变和弛豫特点.用Smolenski成分起伏理论结合德拜弛豫理论计算了BZT的介电常数峰值εrm与频率的关系,与实验结果吻合较好.
- 朱卫利喻惠武李立本王晓飞陈庆东王会娴
- 关键词：固相法介电弛豫
- 退火气氛对SrTiO_3薄膜电学性能的影响
- 2011年
- 在不同的退火气氛下,采用金属有机物分解法在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了SrTiO3薄膜材料,并对其结构和电学性能进行了研究。X射线衍射结果显示SrTiO3薄膜都呈现多晶立方钙钛矿结构。对比不同气氛下制备出的SrTiO3样品电学测量结果,发现在氧气氛中退火后,样品具有较低的漏电流和较好的介电性能,这可能是由于氧气氛中退火减少了SrTiO3薄膜内氧空位的浓度引起的。
- 王晓飞胡秋波
- 关键词：SRTIO3漏电流介电常数介电损耗
- 外延Pb(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3薄膜中畴生长与所加脉冲的关系
- 2012年
- 采用柱状畴的理论模型,研究了用原子力显微镜的探针在外延Pb(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3薄膜中形成的纳米畴的生长与所加脉冲的关系。指出在PZT薄膜中畴的半径随所加脉冲的持续时间的增加以对数方式增大,随脉冲电压的增加而线性增大。理论计算与试验结果相吻合。
- 侯光团李立本陈庆东
- Pr掺杂对SrTiO_3薄膜光学性能的影响被引量：1
- 2012年
- 采用金属有机物分解法在石英衬底上制备了Pr掺杂SrTiO3薄膜材料,并对其光学性能进行了研究。Raman谱显示Pr掺杂SrTiO3样品中存在极性纳米微区。另外,所有样品都表现出高的光学透过率,并且Pr的含量对样品的透过率和能隙都有明显影响,这与Pr掺杂造成样品的晶粒大小、晶格常数、结晶度以及氧空位浓度的变化有关。
- 胡秋波王晓飞张超李立本
- 关键词：SRTIO3透过率能隙
- SnO_2-Zn_2SnO_4复合陶瓷的介电性质研究被引量：1
- 2012年
- 通过传统陶瓷制备工艺制备了致密的SnO2-Zn2SnO4复合陶瓷,研究了不同SnO2、Zn2SnO4复合比例对陶瓷介电性质的影响及其高介电性质产生的机理。研究发现,40Hz时,该复合陶瓷的相对介电常数高达104,远高于SnO2、Zn2SnO4陶瓷,且样品的相对介电常数、导纳随组分的变化规律一致。进一步研究发现,样品的电容随着施加偏压的变化满足肖特基势垒电容公式,这表明,SnO2-Zn2SnO4复合陶瓷的高介电行为起源于晶界处的双肖特基势垒。
- 梅方李立本臧国忠
- 关键词：介电性质复合陶瓷肖特基势垒SNO2
- 不同激光照射方法对周围神经再生的影响被引量：1
- 2010年
- 为研究不同半导体激光照射方法对周围神经损伤的影响,将96只家兔随机分为3周,6周,9周,12周4个观察期组,每个观察期组又随机分为不同照射方法的治疗组和对照组。建立动物模型后,各照射组在术后1 d开始照射治疗,激光功率为10 mW,每次照射10 min,每天一次,连续照射10 d。照射治疗A组对准损伤神经吻合部位进行照射,照射治疗B组照射家兔L5、L6脊髓节段,照射治疗C组在对准吻合处进行照射同时还要照射L5、L6脊髓节段,对照组激光输出功率为零。实验结果表明低能量半导体激光照射能促进轴突再生,改善再生神经功能,以同时照射损伤周围神经部位和相应脊髓节段效果最为显著。
- 熊国欣宋伟宏李立本
- 关键词：半导体激光神经再生电生理
