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舟山市科技计划项目(06110)

作品数:4 被引量:3H指数:1
相关作者:孔令民姚建明吴正云薛江蓉张野芳更多>>
相关机构:浙江海洋学院厦门大学南京理工大学更多>>
发文基金:舟山市科技计划项目更多>>
相关领域:理学电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇机械工程
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇时间分辨谱
  • 2篇单频
  • 2篇直流
  • 2篇直流分量
  • 2篇量子
  • 1篇多量子阱
  • 1篇自组装量子点
  • 1篇量子点
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇发光特性
  • 1篇发光特性研究
  • 1篇盖帽
  • 1篇INAS
  • 1篇INAS量子...
  • 1篇INGAAS...

机构

  • 5篇浙江海洋学院
  • 3篇厦门大学
  • 2篇南京理工大学

作者

  • 4篇孔令民
  • 3篇薛江蓉
  • 3篇吴正云
  • 3篇姚建明
  • 1篇程雪苹
  • 1篇王志兴
  • 1篇宿刚
  • 1篇李鼎
  • 1篇张野芳

传媒

  • 3篇半导体光电
  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 4篇2008
  • 1篇2007
4 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
直流分量跟踪法在单频干涉测长系统中的应用
针对单频激光干涉测长系统光强"零漂"问题,提出一种跟踪系统输出信号直流分量的方法。该方法根据信号过"零点"斜率绝对值最大的特点,检测信号直流分量。对信号直流分量的跟踪为系统计数器触发电平的调整提供了依据,具有自适应性强的...
薛江蓉孔令民王志兴程雪苹
关键词:直流分量
文献传递
InGaN/GaN多量子阱的变温发光特性研究被引量:1
2008年
采用低压金属有机化学沉积方法制备了InGaN/GaN多量子阱。变温PL测量发现,量子阱发光强度具有良好的温度稳定性,随着温度升高(10~300K),发光强度只减小到1/3左右。分析认为,InGaN/GaN多量子阱的多峰发光结构是由多量子阱的组分及阱宽的不均匀引起的。随着温度升高,GaN带边及量子阱的光致发光均向低能方向移动,但与GaN带边不同,量子阱发光峰值变化并不与通过内插法得到的Varshni经验公式相吻合,而是与InN带边红移趋势一致,分析了导致这种现象的可能因素。还分析了量子阱发光寿命随温度升高而减小的原因。
孔令民李鼎张野芳宿刚薛江蓉姚建明吴正云
关键词:INGAN/GAN多量子阱光致发光时间分辨谱
InGaAs/GaAs量子阱中自组装InAs量子点的光学性质被引量:1
2007年
在InGaAs/GaAs量子阱中生长了两组InAs量子点样品,用扫描电子显微镜(SEM)测量发现,量子点呈棱状结构,而不是通常的金字塔结构,这是由多层结构的应力传递及InGaAs应变层的各向异性引起的。采用变温光致发光谱(TDPL)和时间分辨谱(TRPL)研究了其光致发光稳态和瞬态特性。研究发现,InGaAs量子阱层可以有效地缓冲InAs量子点中的应变,提高量子点的生长质量,可以在室温下探测到较强的发光峰。在量子阱中生长量子点可以获得室温下1 318 nm的发光,并且使其PL谱的半高宽减小到25 meV。
孔令民姚建明吴正云
关键词:时间分辨谱
InGaAs/InAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响被引量:1
2008年
采用变温及时间分辨光致发光谱研究了MBE设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现引入InGaAs盖帽层可以使InAs量子点发光的半高宽减小,且向长波长移动。InGaAs/InAlAs联合盖帽层可以进一步改善InAs量子点发光性能,使得室温发光波长超过1.3μm;在10-300K温度范围内,发光峰值能量及半高宽随温度的变化都较小。随温度升高,InAs量子点的发光寿命首先增大,当温度升高到临界温度Tc后,发光寿命逐渐减小。但覆盖不同盖帽层的InAs量子点样品,其发光寿命具有不同的温度关系,联合盖帽层样品具有较大的Tc及发光寿命。根据应力及栽流子迁移模型对以上实验结果进行了分析。
孔令民姚建明吴正云
关键词:INAS量子点时间分辨谱
直流分量跟踪法在单频干涉测长系统中的应用
2008年
针对单频激光干涉测长系统光强"零漂"问题,提出一种跟踪系统输出信号直流分量的方法。该方法根据信号过"零点"斜率绝对值最大的特点,检测信号直流分量。对信号直流分量的跟踪为系统计数器触发电平的调整提供了依据,具有自适应性强的优点。对激光光强按0.9t的规律衰减,物体作非匀速运动情况进行了仿真分析,结果验证了物体低速运动时该方法的可行性。
薛江蓉孔令民王志兴程雪苹
关键词:直流分量
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