江西省自然科学基金(512026)
- 作品数：3 被引量：7H指数：1
- 相关作者：赖珍荃王震东黄奇辉张景基范定寰更多>>
- 相关机构：南昌大学中国科学院更多>>
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- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 基底温度对磁控溅射制备氮化钛薄膜的影响被引量：6
- 2007年
- 在不同的基底温度下,采用直流磁控反应溅射法在硅基底上制备了氮化钛(TiNx)薄膜,研究了基底温度对薄膜结晶取向、表面形貌和导电性能的影响。实验结果表明:基底温度较低时,薄膜主要成分为四方相的Ti2N,具有(110)择优取向,当基底温度升高到360℃时薄膜中开始出现立方相的TiN。TiNx薄膜致密均匀,粗糙度小。随着基底温度的升高薄膜的电阻率显著减小。
- 蒋雅雅赖珍荃王震东黄奇辉
- 关键词：磁控溅射TIN薄膜基底温度
- PZT铁电薄膜的低温原位生长
- 2008年
- 在溅射法预制备的LaNiO3/Si基片上,用射频溅射法在较低的衬底温度（235-310℃）和纯Ar气氛中原位生长Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）薄膜.通过优化溅射功率、基片温度等工艺,最后在260℃的较低基片温度上成功制备出具有良好铁电性的PZT薄膜.使用X射线衍射（XRD）测试样品的结构,原子力显微镜观察其表面形貌,TD-88A标准铁电测试系统测试样品（Ag/PZT/LNO结构）的铁电性能.结果表明：（1）溅射功率110W,基片温度260℃时,原位沉积的PZT呈（111）、（200）取向;（2）上述工艺制备的PZT薄膜展现良好的铁电性,在5V测试电压时,其剩余极化为23.1uc/cm^2,漏电流密度为1.34×10^-4A/cm^2.
- 王震东赖珍荃范定寰张景基黄奇辉
- 关键词：铁电薄膜原位生长射频溅射钙钛矿相
- 电极对PZT铁电薄膜的铁电和光学性能的影响被引量：1
- 2007年
- 采用射频磁控溅射(RF Magnetron Sputtering)工艺在Si片上分别制备Pt/Ti和LaNiO3(LNO)底电极,然后在不同的底电极上沉积PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)铁电薄膜,在大气环境中对沉积的PZT薄膜进行快速热退火处理(RTA)。用X射线衍射(XRD)分析PZT薄膜的相结构和结晶取向,原子力显微镜(AFM)分析薄膜的表面形貌和微结构。再沉积LNO作为顶电极制成"三明治"结构的LNO/PZT/Pt和LNO/PZT/LNO样品,用RT66A标准铁电测试系统分析样品的电学特性,傅立叶红外光谱仪分别测得样品的反射谱和透射谱。分析了不同电极对PZT铁电薄膜的铁电和光学性能的影响。
- 张景基赖珍荃王震东李新曦钟双英范定寰黄志明
- 关键词：射频磁控溅射PZT铁电薄膜
