国家重点实验室开放基金(2012007)
- 作品数：2 被引量：10H指数：1
- 相关作者：张立文孟庆端余倩吕衍秋李艳更多>>
- 相关机构：中国航空工业集团公司河南科技大学武汉大学更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国家自然科学基金中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生更多>>
- 驱动蛋白家族成员4A对乙肝病毒复制影响的研究
- 2013年
- 目的探讨驱动蛋白家族成员4A(KIF4A)对乙肝病毒(HBV)复制的影响及其调节机制。方法将不同质量的KIF4A真核表达载体Flag2B-KIF4A转染HepG2.2.15细胞后,采用ELISA法对细胞上清液中的HBsAg和HBeAg进行定量检测;荧光定量PCR法检测细胞闭合环状DNA(cccDNA)的水平;将不同质量的Flag2B-KIF4A与HBV感染性克隆pHBV1.3、启动子pHBV-Luc共转染HepG2细胞后,采用荧光检测仪检测HBV启动子活性。结果 KIF4A能够上调细胞上清液中HBsAg、HBeAg和cccDNA的水平,并上调HBV启动子活性,且调节作用呈剂量依赖效应。结论 KIF4A在HepG2细胞可以促进HBV的复制。
- 祝成亮李艳叶芳丽汤兆明
- 关键词：驱动蛋白酶联免疫吸附测定转染
- InSb面阵探测器法线方向力学参数选取研究被引量：10
- 2012年
- 为明确InSb芯片前表面结构缺陷和背面减薄工艺对InSb芯片变形的影响,本文采用降低InSb芯片法线方向杨氏模量的方式,基于热冲击下InSb芯片的典型形变特征来探索InSb芯片力学参数的选取依据.模拟结果表明:当InSb芯片法线方向杨氏模量取体材料的30%时,最大Von Mises应力值和法线方向最大应变值均出现在N电极区域,且极值呈非连续分布,这与InSb焦平面探测器碎裂统计报告中典型裂纹起源于N电极区域及多条裂纹同时出现的结论相符合.此外,InSb芯片中铟柱上方区域向上凸起,台面结隔离槽区域往下凹陷,该形变分布也与典型碎裂照片中InSb芯片的应变分布保持一致.因此,基于InSb芯片法线方向应变的判据除了能够预测裂纹起源地及裂纹分布外,还能提供探测器阵列中心区域Z方向应变分布及N电极区域Z方向的应变增强效应,为InSb芯片力学参数的选取提供了依据.
- 孟庆端余倩张立文吕衍秋
- 关键词：焦平面锑化铟结构应力
