江苏省科技支撑计划项目(BE2009106)
- 作品数：10 被引量：12H指数：3
- 相关作者：刘拥军张春伟刘振华王书昶何军辉更多>>
- 相关机构：扬州大学更多>>
- 发文基金：江苏省科技支撑计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 钐掺杂氧化锌陶瓷的晶体结构和电磁特性被引量：3
- 2011年
- 以ZnO,Sm2O3粉体为原料,采用常压固相烧结法,通过优化烧结工艺,制备出平整、组织均匀、致密的Zn1-xSmxO(x=0.01,0.02,0.03,0.04,0.05)陶瓷样品.多晶X射线衍射分析结果表明:当Sm2O3的掺杂量x≥0.04时,过量或堆积的Sm与ZnO结合生成了锌钐尖晶石相ZnSm2O4.特别研究了样品Zn0.97Sm0.03O的表面形貌与成型压力之间的关系和晶粒尺寸、相对密度、电阻率随烧结温度的变化关系.结果表明:成型压力为5 MPa时样品缺陷最少,当烧结温度为1 300℃时,用四探针测试仪测得样品电阻率的最小值为4.78×10-2Ω.cm,用阿基米德排水法测得样品的相对密度超过95%;用振动样品磁强计(VSM)测量陶瓷样品磁化强度与磁场强度之间的关系,表明样品在室温下均呈现顺磁行为.
- 刘振华何军辉刘宝琴张春伟王书昶刘丽军曹永珍
- 关键词：氧化锌陶瓷掺杂陶瓷固相烧结电磁性质
- 退火温度对透明导电InSnGaMo氧化物薄膜性能的影响
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出可见光透过率高、电阻率极低的Ga、Mo共掺杂ITO基透明导电InSnGaMo复合氧化物薄膜,研究了退火温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明,退火温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响。XRD、SEM和霍尔测试结果表明,随着退火温度的升高,薄膜晶粒度增大,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高。当退火温度为500℃时,InSnGaMo复合氧化物薄膜的电阻率最低为1.46×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率最高分别为6.56×1020cm-3、65cm2/(V.s),在可见及近红外区平均透过率达92%以上,尤其当波长为362nm时,最高透射率可达99%。
- 刘振华刘宝琴张春伟王书昶刘拥军何军辉
- 关键词：透明导电薄膜脉冲激光沉积退火温度光电性能
- 混合梳子模型中反铁磁阻挫引起的量子相变被引量：1
- 2012年
- 利用严格对角化和密度矩阵重整化群方法研究近邻作用为铁磁耦合、对角的次近邻自旋为反铁磁耦合的两条链的混合梳子S=1/2海森堡模型,计算了该系统的基态能和基态总自旋.结果表明:当阻挫α≤0.25时,系统基态是单纯的铁磁态;随着阻挫的增强,系统基态经历一段总自旋S≠0的倾斜相,再转变到S=0的反铁磁态;与其不同的是,在混合梯子模型中,基态从单纯的铁磁态直接转变成S=0的反铁磁态.
- 潘丽华彭晓亮李俊英刘拥军
- 关键词：密度矩阵重整化群海森堡模型
- S＝1铁磁模型中阻挫和各向异性引起的量子相变被引量：1
- 2012年
- 利用密度矩阵重整化群(density matrix renormalization group,DMRG)方法研究近邻作用为铁磁耦合、次近邻为反铁磁耦合的一维S=1的各向异性海森堡自旋模型.计算了该系统的基态能、z轴自旋关联函数和面内自旋关联函数.结果表明:各向异性值Δ和阻挫α的相互作用使得系统基态发生相变;在低阻挫区域,Δ>1时系统为铁磁相,0<Δ<1时基态处于自旋液体相;在阻挫较大的区域,自旋关联函数随距离的增大呈现指数函数形式衰减,且具有周期振荡特征,与自旋S=1/2的结果形成鲜明的对比.
- 李俊英彭晓亮潘丽华刘拥军
- 关键词：密度矩阵重整化群各向异性
- 含阻挫的不对称铁磁梯子自旋模型的量子相图
- 2014年
- 采用严格对角化和密度矩阵重整化群方法研究阻挫和对称性对铁磁梯子基态的影响,得到体系在不对称强度参数-阻挫强度参数空间的基态相图.结果表明:在不对称性较强的体系中,随着阻挫强度的增大,系统基态从铁磁相转变为总自旋S≠0的倾斜相、再到总自旋S=0的反铁磁相;随着不对称强度参数αa的增大,倾斜相存在的阻挫强度参数区间越来越窄;当αa>0.08时,则不经历倾斜相,直接从铁磁相一阶相变为总自旋S=0的反铁磁相.
- 潘丽华胡冰刘拥军
- 关键词：密度矩阵重整化群基态相图
- ITO:Mo透明导电薄膜的制备被引量：4
- 2012年
- 利用通过固相烧结法得到的自制靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同的衬底温度下沉积得到薄膜。通过XRD对它们的晶体结构进行分析,对薄膜断面进行扫描,测量其薄膜厚度。利用四探针法和霍尔效率测试仪,分别对薄膜的电阻率和载流子浓度及迁移率进行测量和分析。最后,用分光光度计对薄膜的透光率进行测量和分析,并计算了薄膜的禁带宽度。结果表明,在500℃下沉积的薄膜综合性能最好,电阻率可达2.611×10-4Ω.cm,透光率在90%以上,禁带宽度为4.29eV。
- 张春伟王书昶刘振华刘拥军何军辉
- 关键词：透明导电薄膜PLDTCO
- 衬底温度对PLD法制备的ZnO:Ga薄膜结构和性能的影响被引量：3
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜的结构、表面形貌和光电性能的影响。研究表明:制备的ZnO:Ga薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜。随着衬底温度的增加,衍射峰明显增强,晶粒尺寸增大。当衬底温度为450℃时,薄膜的最低电阻率为8.5×10–4Ω.cm,在可见光区平均光透过率达到87%以上。
- 王书昶张春伟刘振华刘拥军何军辉
- 关键词：脉冲激光沉积衬底温度光电性能
- 透明导电InSnGaMo氧化物薄膜光电性能研究被引量：2
- 2012年
- 利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率极低的Ga,Mo共掺杂ITO基InSnGaMo复合氧化物薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明:衬底温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响。X射线衍射、扫描电镜和霍尔测试结果表明,随着衬底温度的升高,薄膜晶粒度增大,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高。当衬底温度为450℃时,InSnGaMo复合氧化物薄膜的电阻率最低为4.15×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率最大分别为3×1020cm-3,45 cm2V-1s-1,在可见及近红外区平均透过率达92%,特别地,波长为362 nm时,最高透射率可达99%。
- 刘振华刘宝琴张春伟王书昶刘拥军何军辉
- 关键词：透明导电薄膜脉冲激光沉积光电性能
- 实现低损耗的慢光光子晶体波导结构的设计
- 2014年
- 基于三角晶格空气孔光子晶体波导,通过在传统的光子晶体单线缺陷薄板波导中加入硫系玻璃材料作为基底,设计了一种在实验中易实现且损耗较低的新型波导结构.运用三维平面波展开法(MPB)计算了不同基底厚度产生的能带结构、场分布以及损耗大小,通过对比分析,得到既能将损耗降到最小、同时又能实现慢光的理想基底厚度.在最优化的波导结构中,得到了损耗为15.4dB·cm-1,光速为0.04 c(c为真空中光速)的理想慢光,比传统波导28.7dB·cm-1的损耗降低约46.3%.
- 潘玲汪丽春刘拥军
- 关键词：光子晶体慢光波导结构损耗
- 左手材料表面的电磁波反射特性
- 2009年
- 研究电磁波从真空投射到左手材料表面时的反射和折射现象,分析了反射波和折射波的振幅、偏振、相位的特征.研究表明,根据电容率ε和磁导率μ取值,可以将左手材料分为两类,它们具有不同的布儒斯特角,其反射波的偏振特性明显不同.对于电场垂直或平行于入射面的情形,折射波的相位行为相同,但是在布儒斯特角两侧反射波的相位跃变表现不同的特征.还探讨了εμ>1和εμ<1两种左手材料对反射波相位行为的影响,分析了反射波的相位特征,并对电磁波从真空投射到一般右手材料和投射到左手材料的情形进行了比较.
- 岑洁萍石刚樊莉叶晓山刘拥军
- 关键词：左手材料负折射率偏振
