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U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响被引量：2: 2020年; U型槽的干法刻蚀工艺是GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件关键的工艺步骤,干法刻蚀后GaN的侧壁状况直接影响GaN MOS结构中的界面态特性和器件的沟道电子输运.本文通过改变感应耦合等离子体干法刻蚀工艺中的射频功率和刻蚀掩模,研究了GaN垂直沟槽型MOSFET电学特性的工艺依赖性.研究结果表明,适当降低射频功率,在保证侧壁陡直的前提下可以改善沟道电子迁移率,从35.7 cm^2/(V·s)提高到48.1 cm^2/(V·s),并提高器件的工作电流.沟道处的界面态密度可以通过亚阈值摆幅提取,射频功率在50 W时界面态密度降低到1.90×10^12 cm^-2·eV^-1,比135 W条件下降低了一半.采用SiO2硬刻蚀掩模代替光刻胶掩模可以提高沟槽底部的刻蚀均匀性.较薄的SiO2掩模具有更小的侧壁面积,高能离子的反射作用更弱,过刻蚀现象明显改善,制备出的GaN垂直沟槽型MOSFET沟道场效应迁移率更高,界面态密度更低.; 陈扶唐文昕于国浩张丽徐坤张宝顺; 关键词：射频功率

Fusion of ERT Images Based on Dempster-Shafer's Evidence Theory: 2013年; In this paper, an electrical resistance tomography(ERT) imaging method is used as a classifier, and then the Dempster-Shafer's evidence theory with fuzzy clustering is integrated to improve the ERT image quality. The fuzzy clustering is applied to determining the key mass function, and dealing with the uncertain, incomplete and inconsistent measured imaging data in ERT. The proposed method was applied to images with the same investigated object under eight typical current drive patterns. Experiments were performed on a group of simulations using COMSOL Multiphysics tool and measurements with a piece of porcine lung and a pair of porcine kidneys as test materials. Compared with any single drive pattern, the proposed method can provide images with a spatial resolution of about 10% higher, while the time resolution was almost the same.; 岳士弘李跃峰栗伟清王化祥; 关键词：图像融合算法证据理论 ERT 电阻层析成像时间分辨率

硅与二氧化硅界面的有限尺寸效应对纳米晶体管栅漏电流的影响（英文）: 2019年; 随着器件尺寸逐渐逼近物理极限,硅基器件中硅与二氧化硅界面的微小变化都会对器件特性造成很大的影响,基于此,运用桥氧模型构建了不同尺寸的界面,研究了精细电子结构硅与二氧化硅界面的有限尺寸效应,进而利用第一原理计算了其对纳米晶体管电性能的影响.理论计算结果表明,硅-硅和硅-氧的键长随尺寸的增大呈饱和趋势,界面对可见光的吸收能力以及界面的势垒则随尺寸的减小逐渐增大.最后,隧穿电流的研究结果表明,界面的有限尺寸效应对纳米级别器件的栅极漏电流存在很大的调控作用,而且在大尺寸器件界面特性计算中起重要作用的过渡区和镜像电势,对有限尺寸效应表现出了不同的敏感度.因此,界面的有限尺寸效应对栅极漏电流的影响在纳米级别的器件中已经不可忽略.; 李海霞李海霞朱灿焰毛凌锋; 关键词：有限尺寸效应隧穿电流

干法刻蚀和氢等离子体处理制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT特性被引量：1: 2021年; 增强型p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅与源漏之间的沟道特性对器件性能具有重要的影响。在同一晶圆衬底上,采用干法刻蚀和氢等离子体处理栅与源、漏之间的p-GaN,制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT。对器件静态、动态特性和栅极漏电特性进行研究,采用两种方法制备的器件均具有较高的击穿电压(>850 V@10μA/mm)。通过氢等离子体处理制备的器件的方块电阻较大,导致输出电流密度较低,在动态特性和栅极漏电方面具有明显的优势,氢等离子体处理技术提高了界面态的缺陷激活能,从而实现了较低的栅极反向漏电。; 冯玉昆于国浩吴冬东杜仲凯张炳良李新宇张宝顺; 关键词：ALGAN/GAN异质结增强型

基于离子注入隔离的微缩化发光二极管阵列性能被引量：1: 2020年; 基于F离子注入隔离技术实现一种新型微缩化发光二极管(micromicro-LED)阵列器件,并系统研究注入能量及发光孔径对micro-LED阵列器光电性能的影响.研究结果表明:相比于F离子50 ke V单次注入器件, 50/100 ke V两次注入器件具有更好的光电性能,器件反向漏电降低8.4倍,光输出功率密度提升1.3倍.同时,在不同的发光孔径(6, 8, 10μm)条件下,器件反向漏电流均为3.4×10–8 A,但正向工作电压随孔径增大而减小,分别为3.3, 3.1, 2.9 V.此外,器件不同发光孔径的有效发光面积比(实际发光面积与器件面积之比)分别为85%, 87%, 92%.与传统台面刻蚀micro-LED器件相比,离子注入隔离技术实现的micro-LED器件具有较低反的向漏电流密度、较高的光输出密度及有效发光面积比.; 高承浩徐峰张丽赵德胜魏星车玲娟庄永漳张宝顺张晶

hBN层厚对MoS2/hBN异质结纳米晶体管光电特性的影响被引量：1: 2020年; 采用第一性原理方法研究了单层二硫化钼(MoS2)在1到7层六方氮化硼(hBN)衬底上构成的垂直范德华异质结的电子结构的精细演变过程,并对其光电特性进行了分析。不仅计算了hBN层数改变对异质结光学性质影响基础上,还进一步研究了hBN层数改变对单层MoS2光学性质的影响,最后计算了hBN层数改变对异质结势垒的影响。计算结果表明,MoS2/hBN范德华异质结作为栅介质构造的MoS2 FET,可以借助二维半导体hBN层数的改变来调控其性质。研究结果为新一代基于MoS2的场效应晶体管和光电探测器的研发提供必要的理论基础。; 李海霞毛凌锋; 关键词：第一性原理计算六方氮化硼

纳米尺度下MoS2/hBN界面的表面态和电容特性研究: 2020年; 采用第一性原理计算并分析了单层二硫化钼(MoS2)在1到7层六方氮化硼(hBN)衬底上构成的垂直异质结的表面特性及其MIS(金属-绝缘体-半导体)结构的电容-电压特性。在分析hBN层数改变对MoS2介电常数影响的基础上,进一步研究了其对MoS2/hBN界面表面态的影响,最后计算了hBN层数改变对异质结的MIS结构的影响。计算结果表明,新型MoS2/hBN异质结构造的MoS2 FET,可以借助二维层状hBN层数的改变来调控其界面的性质,为新一代基于MoS2的纳米器件的研发提供必要的理论支撑。; 李海霞李海霞崔磊; 关键词：表面态 MIS 第一性原理计算

基于特征选择和降维的心音信号识别的研究: 2022年; 为提高心音信号识别的高效性,论文将特征选择后的参数进行降维处理,得到计算成本降低且识别率满足需求的心音识别模型。首先使用小波包分解和功率谱估计计算心音参数,接下来使用4种方法进行特征选择,通过比较识别率,找出能较好反映心音本质特征且具有差异性的参数,最后再将特征选择得到的参数分别用主成分分析法和线性判别分析法进行降维处理,并分别计算降维处理后的识别率。210例样本的识别测试结果表明,降维后的信号识别率达到92.9%,证明该方法能在降维的基础上保证足够的识别率。; 李海霞朱慧博张施琴毛凌锋; 关键词：心音降维

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国家自然科学基金(61774014)