国家科技重大专项(2011ZX02504-002)
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
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- 一种新型FS-CIGBT器件设计及仿真
- 2013年
- 由于新型高压场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-CIGBT)器件结构与普通IGBT器件结构相比,增加了一层p阱及n阱的结构,因此会产生电势的自钳位效应,保护器件正面结构,防止出现高压失效现象,提高器件的可靠性,同时会降低器件的正向导通压降以及开关损耗。鉴于新结构器件的优势,借助仿真软件Sentaurus TCAD,设计了新型FS-CIGBT器件的各项结构参数以及工艺制造流程,并仿真模拟了其各项电学特性参数。仿真得到FS-CIGBT的击穿电压为8 129 V,在额定电流密度25 A/cm2条件下,导通压降为3.6 V,器件关断损耗为103 mJ/cm2,且各项特性参数均优于普通结构的IGBT器件的特性。
- 谈景飞王波朱阳军
- 关键词：仿真电学特性
