江苏省科技支撑计划项目(BE2010006)
- 作品数：3 被引量：13H指数：1
- 相关作者：彭大青李亮罗伟科李忠辉董逊更多>>
- 相关机构：南京电子器件研究所教育部更多>>
- 发文基金：江苏省科技支撑计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长被引量：13
- 2013年
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗糙度小于0.5 nm,其位错密度低于106cm-3。
- 李亮李忠辉罗伟科董逊彭大青张东国
- 关键词：GAN薄膜MOCVD
- 补偿网络对Cascode结构放大器线性度的改善
- 2012年
- 宽带功率放大器是现代多频段无线通信系统中的关键器件.Cascode结构由于其良好的带宽特性以及输出阻抗特性,被广泛应用在宽带功率放大器的设计当中.带宽和线性是宽带功率放大器的重要指标.通常用RLC补偿网络可以增加Cascode结构功率放大器的带宽.本文提出通过选择合适的RLC补偿网络电路参数,使得晶体管处于良好的工作状态,可以实现在增加Cascode放大器带宽的同时,改善其线性度.从电路原理上分析了——补偿网络改善功率放大器非线性的原因,并利用Volterra级数方法计算了三阶交调截止点(IP3),证实了IP3可以改善3dB±.采用2μm InGaP/GaAs HBT半导体工艺流片后,测试结果表明,其3dB工作宽带扩展了1GHz(带宽从1.5GHz扩展到2.5GHz),IP3改善了3dB,与计算结果非常一致.
- 张晓东王钟高怀程建春吴浩东
- 关键词：补偿网络线性度VOLTERRASERIES
- N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长
- 2013年
- 采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。通过X射线双晶衍射(XRD)摇摆曲线和光致荧光(PL)谱测试研究了成核层生长时间对N极性GaN薄膜晶体质量和发光性能的影响。研究结果表明,成核层生长时间为300 s时,N极性GaN薄膜样品的位错密度最低,发光性能最好。采用拉曼(Raman)光谱对样品的应变状态进行了分析。
- 李亮罗伟科李忠辉董逊彭大青张东国
- 关键词：氮化镓金属有机物化学气相沉积
