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国家教育部博士点基金(20121103110018)

作品数:2 被引量:10H指数:2
相关作者:徐晨蒋国庆曹亚鹏陈弘达解意洋更多>>
相关机构:北京工业大学中国科学院更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇质子注入
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇腔面
  • 1篇面发射
  • 1篇面发射激光器
  • 1篇晶体
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇光子
  • 1篇光子晶体
  • 1篇发射激光器
  • 1篇NI
  • 1篇AU
  • 1篇GAN
  • 1篇LED
  • 1篇垂直腔
  • 1篇垂直腔面
  • 1篇垂直腔面发射
  • 1篇垂直腔面发射...

机构

  • 2篇北京工业大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇徐晨
  • 1篇孙捷
  • 1篇许坤
  • 1篇解意洋
  • 1篇陈弘达
  • 1篇曹亚鹏
  • 1篇蒋国庆
  • 1篇葛海亮
  • 1篇陈茂兴
  • 1篇郑雷

传媒

  • 1篇电子科技
  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
石墨烯/NiAu复合透明导电层在GaN LED的应用被引量:2
2014年
通过溅射方法制备Ni/Au层,用作石墨烯和p型GaN之间的插入层来减小接触电势。研究了Ni和Au的厚度比与GaN LED性能的关系。结果表明,在1.5 nm总厚度的条件下,Ni与Au厚度比为1 nm/0.5 nm时为最佳,可同时兼顾透光性能和良好欧姆接触,此时,石墨烯/NiAu复合透明导电层可以明显地降低GaN LED的工作电压,同时在蓝光波段具有很高的透光率,因而提高了GaN LED的发光性能。
郑雷徐晨孙捷许坤陈茂兴葛海亮
关键词:石墨烯NIAUGANLED
质子注入型光子晶体垂直腔面发射激光器制备被引量:8
2016年
在光子晶体垂直腔面发射激光器中采用质子注入工艺,使台面工艺变成纯平面工艺,降低了光子晶体结构制备难度,简化了器件制备,提高了器件的均匀性。质子注入型光子晶体垂直腔面发射激光器中的光子晶体结构,在电流限制孔小于光子晶体缺陷孔时,仍能控制器件光束及模式特性,该结果可用于优化器件阈值电流,制备高性能低阈值电流基横模器件。实验所设计制备的器件,在注入电流小于12.5 m A时,阈值电流2.1 m A,出光功率大于1 m W,远场发射角小于7°,有效验证了光子晶体结构在质子注入型面发射激光器中的光束改善及模式控制作用。
蒋国庆徐晨解意洋荀孟曹亚鹏陈弘达
关键词:质子注入光子晶体垂直腔面发射激光器
共1页<1>
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