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国防科技重点实验室基金(9140C060203060C0603)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：商耀辉郭维廉齐海涛李亚丽张雄文更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所天津大学更多>>
发文基金：中国博士后科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇隧穿
  • 1篇谐振隧穿二极...
  • 1篇二极管
  • 1篇负阻
  • 1篇INP
  • 1篇INP基
  • 1篇高性能

机构

  • 1篇天津大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇冯震
  • 1篇张雄文
  • 1篇李亚丽
  • 1篇齐海涛
  • 1篇郭维廉
  • 1篇商耀辉

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2007
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排序方式：
一种高性能InP基谐振隧穿二极管的研制
2007年
设计并用分子束外延技术生长了InP基InGaAs/AlAs体系RTD材料,采用传统湿法腐蚀、光学接触式光刻、金属剥离、台面隔离和空气桥互连工艺,研制出了具有优良负阻特性和较高阻性截止频率的InP基RTD单管.器件正向PVCR为17.5,反向PVCR为28,峰值电流密度为56kA/cm2,采用RNC电路模型进行数据拟合后得到阻性截止频率为82.8GHz.实验为今后更高性能RTD单管的研制,以及RTD与其他高速高频三端器件单片集成电路的设计与研制奠定了基础.
齐海涛冯震李亚丽张雄文商耀辉郭维廉
关键词：谐振隧穿二极管INP负阻
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