国家自然科学基金(51042010)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
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- 二维GaN基材料CVD制备与理论研究
- 二维纳米材料是一种结构为片状的新型纳米材料，水平尺寸大于100纳米，但厚度只有单个或几个原子厚。2004年二维单层材料因为石墨烯的发现正式宣布进入纳米材料的尖端领域。由于这些二维材料具有层状晶体结构，极端的量子限制效应导...
- 赵滨悦
- 关键词：化学气相沉积法电子性质光学性质
- 文献传递
- Te掺杂GaN纳米线场发射性能的研究
- 氮化镓(GaN)材料是一种优异的宽禁带半导体材料,由于其具有优良的光电特性,所以受到科技工作者的广泛关注。众所周知,GaN材料具有小的电子亲和势(2.7-3.3eV),同时还具有高熔点、高热导率和高载流子迁移率,因此非常...
- 张玉龙
- 关键词：GAN纳米线场发射密度泛函理论化学气相沉积
- 文献传递
- GaN纳米线场发射性能增强研究
- 氮化镓（GaN）是一种性能优异的宽禁带半导体材料（3.4eV），具有优良的光学、电学性质、热稳定性和机械性能好，在光电子和微电子器件等领域具有广泛的应用。GaN材料电子亲和势小（2.7-3.3eV），而且物理性质和化学性...
- 崔真
- 关键词：氮化镓纳米线场发射性能形貌特征
- 文献传递
- 未钝化和H钝化GaN纳米线的电子结构被引量：1
- 2013年
- 用密度泛函理论研究直径为9.5,15.9和22.5,未钝化和H钝化GaN纳米线的能带和态密度.结果表明:未钝化和H钝化GaN纳米线的能隙都是直接带隙,未钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径的增加减小,但是变化不明显,H钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径增大也是减小的,但是减小的幅度比未钝化的大.未钝化GaN纳米线表面N原子的2p电子主要聚集在价带顶,表面Ga原子的4p电子主要聚集在导带底,这两种电子都具有很强的局域性,而且决定着能隙值;加H钝化可以消除表面原子产生的表面效应.
- 李恩玲郗萌崔真程旭辉徐锐马德明刘满仓王雪文
- 关键词：纳米线电子结构密度泛函理论
- Sn掺杂GaN纳米线的制备及第一性原理研究
- GaN是宽禁带直接带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,禁带宽度3.4eV,物理和化学性质稳定,热导率高、饱和电子飘移速率大、临界击穿电场高,电子亲和势(2.7-3.3 eV)和功函数(4.1 eV)小,在短波长发光器件、微波高频大...
- 宋莎
- 关键词：化学气相沉积GAN纳米线场发射密度泛函理论功函数
- 文献传递
- 石墨烯基异质结密度泛函理论研究
- 自石墨烯问世以来，因其出色的导电性和导热性被广泛用于诸多领域，同时也开启了二维(2D)材料时代的大门。2D材料因其厚度达到了原子级尺度以及具有独特的光电属性一直处于研究领域的前沿。高质量的2D晶体材料不仅有利于探索2D极...
- 郑江山
- 关键词：电子性能
- 文献传递
- Sb掺杂GaN纳米线的制备及第一性原理研究
- GaN是一种宽禁带直接带隙Ⅲ族氮化物半导体材料（3.4eV），因其具有优良的光学、电学性质，且化学和物理稳定性好，而被广泛应用于光电子和微电子器件等领域。另外，GaN材料热导率高、电子亲和势（2.7-3.3eV）和功函数...
- 李丹丹
- 关键词：功函数化学气相沉积GAN纳米线第一性原理
- 文献传递
- 氮化镓纳米铅笔与纳米塔制备及优异场发射性能研究（英文）
- 2018年
- 通过化学气相沉积法,用氧化镓和氨气反应成功制备出氮化镓纳米铅笔和纳米塔。通过扫描电镜表征发现氮化镓纳米铅笔分为两个部分:底部是一个大直径的纳米线,顶部是一个小直径的纳米线;氮化镓纳米塔为层状结构。氮化镓纳米铅笔和纳米塔的形成机理是气-液-固机制。场发射性能测试显示氮化镓纳米铅笔的开启电场为2.6 V/μm,纳米塔的开启电场为4.1 V/μm,这使得它们可以用于场发射平板显示及显示装置的冷阴极电子源,它们还可以使用于设计复杂纳米电子器件。
- 崔真李恩玲
- 关键词：氮化镓纳米复合材料场发射
- AlN包覆GaN纳米线复合结构制备及第一性原理研究
- 氮化镓(GaN)为Ⅲ-Ⅴ族性能优异的直接宽带隙半导体材料，具有功函数小、热导率高、物化性质稳定以及熔点高(1500℃)等特点，是一种很有前途的场发射阴极材料。氮化铝(AlN)与GaN相似，也为Ⅲ-Ⅴ族直接宽带隙半导体材料...
- 吴桂双
- 关键词：GAN纳米线复合结构第一性原理化学气相沉积
- 文献传递
- InN包覆GaN纳米线复合结构制备及密度泛函理论研究
- 复合结构纳米材料由于其独特的化学和物理特性以及广泛的应用前景，继半导体掺杂、改形等技术，成为研究的热点。氮化镓（GaN）和氮化铟（InN）属Ⅲ-V族半导体材料，在实验上已能成功合成GaN和InN纳米线，二者具备相同的晶体...
- 吴蓓
- 关键词：密度泛函理论纳米复合结构
- 文献传递
